本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：提供半导体初始结构，其中，半导体初始结构包括衬底和于衬底一侧间隔排布的多个初始结构；形成第一牺牲结构，第一牺牲结构形成于初始结构的周向表面；于第一牺牲结构远离衬底的一侧依次形成第二牺牲层和第三牺牲层，在衬底的厚度方向上，形成于初始结构的周向表面的部分第二牺牲层的尺寸为第一尺寸，形成于相邻的初始结构之间的衬底一侧的第二牺牲层的尺寸为第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸；去除部分第三牺牲层和部分第二牺牲层，得到第二牺牲结构和第三牺牲结构；通过湿法刻蚀工艺去除第三牺牲结构。采用本方法可以保持掩膜结构表面形貌的完整性，提高后续制备工艺的制备质量。