Invention Publication
- Patent Title: 一种基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器及其制作方法
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Application No.: CN202411766812.7Application Date: 2024-12-04
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Publication No.: CN119698086APublication Date: 2025-03-25
- Inventor: 李冠海 , 刘俊彤 , 陈金 , 郁菲茏 , 李鑫
- Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
- Applicant Address: 上海市虹口区玉田路500号
- Assignee: 中国科学院上海技术物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海技术物理研究所
- Current Assignee Address: 上海市虹口区玉田路500号
- Agency: 上海沪慧律师事务所
- Agent 严忠泽
- Main IPC: H10F30/225
- IPC: H10F30/225 ; H10F71/00 ; H10F77/30 ; H10F77/20 ; H10F77/123 ; H10F77/14

Abstract:
本发明涉及一种基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器及其制作方法,基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器包括从下到上的顺序生长在衬底上的缓冲层、P型层、N型层;N型层为非均匀掺杂的N型碲镉汞,掺杂呈现高斯分布;光子从衬底入射,P型层上的阴极引出端接电源的负极,N型层上的阳极引出端接电源的正极,光子被P型层与N型层吸收,且在P型层与N型层界面处进行倍增。本发明工艺简单,设计紧凑,同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流,提高增益。
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