公开(公告)号：CN119730415B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510237717.6

申请日：2025-03-03

Applicant: 浙大城市学院

Inventor： 杜思超 ,  张硕 ,  刘雪沥 ,  王婕 ,  常多凯

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/12 ,  H10F77/122 ,  H10F71/00 ,  H10F39/12

Abstract: 本发明涉及用于柔性红外图像传感器的光敏材料探测器及像素结构，包括：红外感光材料结构、绝缘层和柔性衬底；其中，所述柔性衬底上方设置有所述绝缘层；所述绝缘层上方设置有红外感光材料结构；所述红外感光材料结构为肖特基异质结；所述肖特基异质结由六方氮化硼、转角石墨烯和二维材料结构形成；所述六方氮化硼、转角石墨烯和二维材料结构均与电极相连接。本发明的有益效果是：本发明在像素结构中引入转角石墨烯，由于转角石墨烯含有零带隙且转角石墨烯的功函数可以通过电压调节，该像素结构能够响应非常宽的波长范围，并且可以实现对响应波长的选择性。

公开(公告)号：CN118281106B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410358352.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  李孝峰 ,  黄炳林 ,  吴乘焓 ,  王绍军 ,  陈泽锋

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/227 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法，包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层，其中，底部电极层与硅膜层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触；该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光，产生热载流子注入到硅膜层中，然后被底部电极层收集形成光电流，从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测；且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类，可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外，该光电探测器在施加3V以下偏压时，可产生光电导增益和雪崩效应，将光电响应度提高3‑4个数量级，在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W，与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。

公开(公告)号：CN115513312B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202211144013.7

申请日：2022-09-20

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 熊祎灵 ,  曾磊

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/225 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及一种用于单光子雪崩光电二极管SPAD的接触层，其为由外延晶圆的阻挡层上表面、从两侧向中间逐级向下凹陷形成的N级同轴对称台阶结构。本发明还涉及一种用于SPAD的接触层的制备方法，其包括：对外延晶圆的阻挡层进行N次刻蚀得到接触层。本发明提供的接触层的厚度从两侧向中间逐渐减小，使得SPAD在完成pn结的制备过程中，只需要一次锌扩散就能够得到有源区边缘扩散深度小于中间区域且曲率半径更大的锌扩散形貌，从而实现在有效防止边缘预先击穿的同时，增强横向电场分量，减少电荷持续效应对SPAD的单光子性能的影响。此外，本发明还涉及一种SPAD及其制备方法。

公开(公告)号：CN115023625B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202080082538.5

申请日：2020-10-26

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 崎村升 ,  半泽文彦 ,  佃恭范

IPC: G01S7/4863 ,  G01C3/06 ,  H10F30/225 ,  H10F30/20 ,  G01S17/14 ,  G01S17/89 ,  H04N25/70

Abstract: [问题]为了提供一种能够在宽视野(FOV)进行高精度的测距的光接收装置和光接收电路。[解决方案]该光接收装置包括：光检测器阵列，包括多个像素，每个像素被配置为响应于光检测器与光子的反应而输出脉冲；计数器电路，被配置为对从光检测器阵列的至少一个像素输出的脉冲进行计数；以及控制电路，被配置为基于计数器电路的计数的脉冲数量从光检测器阵列中选择要启用的像素和要停用的像素。

公开(公告)号：CN119855259A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411790055.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 卫家奇 ,  郑婉华 ,  曹澎 ,  彭红玲 ,  宋春旭

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/29 ,  H10F71/00 ,  H10F77/124 ,  H10F77/12

Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器和光电子材料技术领域，该雪崩光电探测器自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层；其中，倍增层采用AlGaAsSb制成；渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1‑x‑yAs制成；吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1‑xAs和GaAsySb1‑y制成。本发明可以实现拓展波长的短波红外探测和较高的信噪比，并有效减少带隙差异引起的载流子捕获，减少界面处的晶格应变，从而降低缺陷密度，优化载流子从吸收层到倍增层的注入效率，因而提高器件性能。

公开(公告)号：CN114242580B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202111523078.8

申请日：2021-12-13

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 石峰 ,  叶瑾琳 ,  龚正致

IPC: H01L21/306 ,  H10F71/00 ,  H10F30/225 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAs/InAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAs/InAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAs/InAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。

公开(公告)号：CN119730455A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411884122.1

申请日：2024-12-19

Applicant: 数字宁波科技有限公司

Inventor： 李晓儿 ,  李卓 ,  卫学彬 ,  李晓栋 ,  修镜洋 ,  梅浩 ,  杨剑波 ,  刘洪伟 ,  朱巧玲

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/225 ,  H10F77/30 ,  H10F77/42

Abstract: 本申请提供一种SiNx‑SiO2雪崩光电探测器制备方法及器件，涉及半导体器件的加工工艺技术领域，所述方法包括：提供特定掺杂浓度的第一掺杂类型衬底，所述衬底包括外延层；对所述外延层进行第二掺杂类型的掺杂，形成第一区域；在所述第一区域上方进行第一掺杂类型的离子注入，形成第二区域，所述第一区域与所述第二区域形成雪崩结区域；对所述第一区域进行刻蚀形成浅沟槽隔离区域；在所述浅沟槽隔离区域表面以及SiNx‑SiO2雪崩光电探测器表面生成第一介质层；在所述第一介质层上方生成第二介质层。该方法通过形成新的浅槽隔离结构，降低了暗噪声、提高了表面钝化效果。在非浅槽隔离区域的表面SiNx‑SiO2，降低了光线反射，提高了光电探测效率。

公开(公告)号：CN119698086A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411766812.7

申请日：2024-12-04

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  刘俊彤 ,  陈金 ,  郁菲茏 ,  李鑫

IPC: H10F30/225 ,  H10F71/00 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/123 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明涉及一种基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器及其制作方法，基于抑制复合电流机制的平面型雪崩单光子探测器包括从下到上的顺序生长在衬底上的缓冲层、P型层、N型层；N型层为非均匀掺杂的N型碲镉汞，掺杂呈现高斯分布；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被P型层与N型层吸收，且在P型层与N型层界面处进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。

公开(公告)号：CN113287204B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080008797.3

申请日：2020-02-06

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 八木慎一郎 ,  若野寿史

IPC: H10F30/225 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10F39/18 ,  G01S7/481 ,  G01S17/894

Abstract: 本发明旨在提高测距精度。根据本发明的雪崩光电二极管传感器包括第一半导体基板(51)和与所述第一半导体基板的第一面接合的第二半导体基板(52)。所述第一半导体基板包括以矩阵状排列的多个光电转换部(21)和用于将所述多个光电转换部彼此元件分离的元件分离部(157)。所述多个光电转换部具有第一光电转换部(21)。所述元件分离部具有第一元件分离区域(157A)和第二元件分离区域(157B)。所述第一光电转换部布置在所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间。所述第一半导体基板还包括排列于与第一面相对的一侧的第二面上并且排列于所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间的多个凹凸部(181)。所述第二半导体基板包括连接到所述多个光电转换部各者的读出电路(22)。

公开(公告)号：CN119497434A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411317269.2

申请日：2024-09-20

Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所

Inventor： 王兴 ,  刘立宇 ,  常宇 ,  乔凯 ,  王捷英 ,  尹飞 ,  张文富 ,  胡炳樑

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种背入射式雪崩光电探测器及其制备方法，解决了现有光电探测器的探测效率难以提升、探测效率过低、探测波段受限以及工艺兼容性较差等技术问题。本发明的光电探测器包括由下至上依次设置的衬底层、倍增层、空间电荷层、吸收层、P接触层，以及钝化区、负极金属和正极金属；其中衬底层用于入射光的进入，正极金属包括同轴设置的圆盘结构和圆环结构；其中，圆盘结构位于钝化区的上方且直径小于P接触层；圆环结构位于钝化区内，且外径小于圆盘结构的直径；圆环结构的下端与P接触层连接，上端面与钝化区的上表面齐平并与圆盘结构的底部连接。本发明光电探测器的探测效率明显提升。