本公开涉及一种用于处理互补场效应晶体管CFET器件的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成至少一个鳍结构，其中该至少一个鳍结构包括水平顶面以及该顶面和衬底之间的两个垂直取向的侧面，并且其中该至少一个鳍结构包括第一层堆叠以及该第一层堆叠上方的第二层堆叠；以及围绕该至少一个鳍结构形成具有非均匀层厚度的栅极介电层；其中被布置在该至少一个鳍结构的顶面上的栅极介电层的层厚度大于被布置在该至少一个鳍结构的侧面上的栅极介电层的层厚度。