公开(公告)号：CN119947218A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411539719.2

申请日：2024-10-31

Applicant: IMEC 非营利协会

Inventor： A·P·彼得 ,  L·彼得森巴伯萨利马 ,  S·德米恩克 ,  A·赛普维达马克斯

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85 ,  H10D62/17 ,  H10D64/27

Abstract: 本公开涉及用于加工CFET器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成在一个方向上水平延伸的至少一个鳍结构，其中所述至少一个鳍结构包括第一层堆叠和位于第一层堆叠上方的第二层堆叠；在所述至少一个鳍结构周围形成一组栅极结构，其中所述一组栅极结构被布置成垂直于所述至少一个鳍结构并且彼此相距确定的距离，并且其中所述一组栅极结构在沟道区中覆盖所述至少一个鳍结构并在所述沟道区的相对侧上的鳍切口区中暴露所述至少一个鳍结构；通过至少部分地去除鳍切口区中的至少一个鳍结构来形成初步鳍切口，从而在栅极结构之间产生相应凹部，其中第一和第二层堆叠的沟道层的端面被暴露在凹部中；以及形成部分地覆盖凹部的侧壁的覆盖层。

公开(公告)号：CN119894078A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411401532.6

申请日：2024-10-09

Applicant: IMEC 非营利协会

Inventor： A·P·彼得 ,  A·赛普维达马克斯 ,  曾文德 ,  S·德米恩克 ,  L·彼得森巴伯萨利马 ,  V·H·维加冈萨雷斯

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开涉及一种用于处理互补场效应晶体管CFET器件的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成至少一个鳍结构，其中该至少一个鳍结构包括水平顶面以及该顶面和衬底之间的两个垂直取向的侧面，并且其中该至少一个鳍结构包括第一层堆叠以及该第一层堆叠上方的第二层堆叠；以及围绕该至少一个鳍结构形成具有非均匀层厚度的栅极介电层；其中被布置在该至少一个鳍结构的顶面上的栅极介电层的层厚度大于被布置在该至少一个鳍结构的侧面上的栅极介电层的层厚度。

公开(公告)号：CN111354786B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201911192022.1

申请日：2019-11-28

Applicant: IMEC 非营利协会

Inventor： 有村拓晃 ,  A·P·彼得 ,  H·F·W·德克士

IPC: H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H10D64/66

Abstract: 在第一方面中，本发明涉及形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及(b)通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的等离子体功率下，将氧化物层(300)沉积在Si封盖层(200)上。

公开(公告)号：CN114188221A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110776883.5

申请日：2021-07-09

Applicant: IMEC 非营利协会

Inventor： 曾文德 ,  P·莫林 ,  A·P·彼得

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及栅极间隔物图案化，具体地，涉及一种用于在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法(100)，所述方法包括：提供(110)鳍片(1)，其具有至少一个与鳍片(1)交叉的伪栅极(2)，其中栅极硬掩模(3)存在于伪栅极(2)的顶部；提供(120)栅极间隔物(4)以使得其覆盖伪栅极(2)和栅极硬掩模(3)；凹陷(140)栅极间隔物(4)以使得至少部分栅极硬掩模(3)被暴露出来；通过区域选择性沉积，在暴露的部分栅极硬掩模(3)上选择性地生长(150)额外封盖材料(5)。