Invention Publication
CN1570686A 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法
- Patent Title (English): Method for realizing stress optical waveguide polarization insensitivity of silicon group silicon dioxide with symmetric structure
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Application No.: CN03147558.2Application Date: 2003-07-22
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Publication No.: CN1570686APublication Date: 2005-01-26
- Inventor: 安俊明 , 李健 , 郜定山 , 夏君磊 , 李建光 , 王红杰 , 胡雄伟
- Applicant: 中国科学院半导体研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 汤保平
- Main IPC: G02B6/13
- IPC: G02B6/13

Abstract:
一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法,包括如下步骤:(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层;(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层;(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半;(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层;(5)进行抛光处理;(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层,形成条状对称结构的光波导层;(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层,整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
Public/Granted literature
- CN1226644C 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 Public/Granted day:2005-11-09
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