La cellule intégrée comporte par exemple au moins un transistor NMOS (T2) et un transistor PMOS (T1), ladite cellule étant réalisée dans une technologie du type silicium sur isolant totalement déserté, les substrats de tous les transistors de la cellule étant polarisables par une même tension de polarisation ajustable (Vbias) destinée à être reçue sur une entrée de polarisation (EPL) de la cellule.