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公开(公告)号：FR3006809A1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：FR1355267
申请日：2013-06-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HASBANI FREDERIC , DI GILIO THIERRY
IPC: H01L27/092 , H03F3/30
Abstract: L'invention concerne une cellule MOS réalisée dans une technologie silicium entièrement déplété sur isolant, comportant au moins un premier transistor NMOS (1N) et au moins un deuxième transistor PMOS (1P) ou NMOS, formés dans un couche de silicium au-dessus d'une couche en matériau isolant, un premier caisson de type N (2N) et un deuxième caisson de type P (2P) ou de type N, étant réalisés, sous la couche isolante, respectivement à l'aplomb des premier et des deuxième transistors, dans une couche de type N présente sur un substrat de type P, une source du premier transistor NMOS étant polarisée à un potentiel négatif par rapport à un potentiel de polarisation du substrat, ledit caisson (2N) de ce premier transistor étant polarisé à un potentiel positif ou nul par rapport au potentiel de polarisation du substrat.
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公开(公告)号：FR2976723A1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：FR1155406
申请日：2011-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STERICSSON SA
Inventor： HASBANI FREDERIC , URARD PASCAL , BLISSON FABRICE , JACQUET DAVID
IPC: H01L23/58
Abstract: L'invention concerne un procédé d'alimentation d'un système intégré, le procédé comprenant des étapes consistant à : fournir au système des tensions d'alimentation (Vdd), de masse (Gnd) et de polarisation de caissons, les tensions de polarisation de caisson comprenant une tension de polarisation de caissons de transistors MOS à canal p (Vbpf, Vbpr), supérieure ou inférieure à la tension d'alimentation, et une tension de polarisation de caissons de transistors MOS à canal n (Vbnf, Vbnr), inférieure ou supérieure à la tension de masse, sélectionner par le système parmi les tensions fournies, selon qu'une unité de traitement (PU) du système se trouve dans une période d'activité ou d'inactivité, des tensions à fournir pour polariser les caissons des transistors MOS de l'unité de traitement, et fournir les tensions sélectionnées aux caissons des transistors MOS de l'unité de traitement.
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公开(公告)号：FR2825802A1
公开(公告)日：2002-12-13
申请号：FR0107666
申请日：2001-06-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HASBANI FREDERIC
Abstract: Device for comparing two resistances (Rint, Rext) comprises a measurement circuit (MES) equipped with means (M0, M1) for extraction of currents (Iint, Iext) passing though the two resistances so that they can be fed to an analogue to digital converter (CAN) equipped with means for dividing the two currents and transforming the resulting ratio into a digital signal, actualized continuously as a function of the environmental parameters, especially the temperature. An Independent claim is made for a system for correcting the values of integrated compensation resistances using in electronic, especially CMOS, circuits.
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4.发明专利
公开(公告)号：FR2999832A1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：FR1262039
申请日：2012-12-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TROCHUT SEVERIN , RIGAL EMILIE , BLISSON FABRICE , HASBANI FREDERIC , SELLER NICOLAS
Abstract: Une chaîne (CH1) d'interrupteurs sont respectivement connectés entre une première ligne d'alimentation (L1) couplée à une première tension et une deuxième ligne d'alimentation (L2) couplée audit domaine et commandables par un signal de commande (SC) de façon à les rendre passants. On propage le signal de commande depuis une première extrémité de la première chaîne vers une deuxième extrémité de la première chaîne sans commande des interrupteurs lors de cette première propagation et on propage le signal de commande en sens inverse depuis la deuxième extrémité vers la première extrémité avec une commande des interrupteurs lors de cette deuxième propagation à partir d'un groupe d'au moins un interrupteur situé à ladite deuxième extrémité. On détecte (MTR) l'arrivée du signal de commande (SC) au niveau de ladite première extrémité de la chaîne à l'issue de sa propagation en sens inverse, et on délivre un signal d'état (VDDI OK) en présence d'une condition de délivrance comportant ladite arrivée détectée du signal de commande.
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公开(公告)号：FR2905211A1
公开(公告)日：2008-02-29
申请号：FR0607451
申请日：2006-08-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FOURTOU CHRISTOPHE , HASBANI FREDERIC
Abstract: Dispositif d'adaptation d'une impédance de sortie d'un émetteur (Tx) comprenant au moins une première borne de sortie (A) reliée à une première impédance statique (Zol) externe audit émetteur (Tx) et formant un élément d'une charge statique équivalente, et un premier élément résistif programmable (Rout) en série avec la première impédance (Zol).Le dispositif comprend en outre un générateur de tension de référence (Vref) interne audit émetteur (Tx), un comparateur (CMP) recevant la tension de référence (Vref) et une tension de mesure (Vmeas) représentative de la tension aux bornes de la charge vue par l'émetteur (Tx), et générant un signal de comparaison (Vcomp) représentatif du résultat de comparaison, et une unité de commande (FSM) générant un signal de commande (n) en fonction du signal de comparaison (Vcomp), pour commander au moins l'élément résistif programmable (Rout).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2825802B1
公开(公告)日：2004-01-23
申请号：FR0107666
申请日：2001-06-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HASBANI FREDERIC
Abstract: A device for the comparison of two resistors is based upon analog information carried by currents. The device includes a measurement circuit for extracting the currents from the two resistors to be compared, and copies the currents to a parallel analog-digital converter that carries out the division of the extracted currents. The device converts the ratio of the extracted currents into a digital code that is the image of the ratio of the two resistors. The ratio is constantly re-updated as a function of environmental parameters of the circuit, such as the operating temperature. Also disclosed is a system for correcting the value of integrated compensated resistors. The system implements a device of this kind that does not use a reference voltage generator.
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公开(公告)号：FR2999802A1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：FR1262032
申请日：2012-12-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HASBANI FREDERIC , REMOND ERIC
IPC: H01L27/088 , H03B5/02
Abstract: La cellule intégrée comporte par exemple au moins un transistor NMOS (T2) et un transistor PMOS (T1), ladite cellule étant réalisée dans une technologie du type silicium sur isolant totalement déserté, les substrats de tous les transistors de la cellule étant polarisables par une même tension de polarisation ajustable (Vbias) destinée à être reçue sur une entrée de polarisation (EPL) de la cellule.
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公开(公告)号：FR2976369A1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：FR1154940
申请日：2011-06-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： COULOT THOMAS , ROUAT EMMANUEL , HASBANI FREDERIC
IPC: G05F1/575
Abstract: Dispositif intégré de régulation d'une tension du type à faible tension de déchet, comportant une borne d'entrée pour recevoir une tension de référence, une borne de sortie destinée à être connectée à une charge (LD), une première boucle de régulation (BCL1) connectée entre la borne de sortie et la borne d'entrée, et une deuxième boucle de régulation (BCL2) connectée à une charge additionnelle (LDA) et à la borne d'entrée, caractérisé en ce que la deuxième boucle de régulation comprend un filtre passe-haut (FLT).
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公开(公告)号：FR2964274A1
公开(公告)日：2012-03-02
申请号：FR1056791
申请日：2010-08-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PINON VINCENT , HASBANI FREDERIC
IPC: H02M3/155
Abstract: L'invention concerne un convertisseur à découpage comprenant des premier et second transistors de découpage, et des moyens de commande pour : maintenir les premier et second transistors respectivement fermé et ouvert pendant des premières phases de fonctionnement (t0-t1) ; maintenir les premier et second transistors respectivement ouvert et fermé pendant des secondes phases de fonctionnement (t2-t3) ; et appliquer un potentiel intermédiaire (VG2TH - &Dgr;V) sur la grille du second transistor pendant des phases intermédiaires (tl-t2, t3-t4) comprises entre les premières et secondes phases, ledit potentiel intermédiaire étant proche de la tension de seuil (VG2 ) du second transistor.
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公开(公告)号：FR2964274B1
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：FR1056791
申请日：2010-08-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PINON VINCENT , HASBANI FREDERIC
IPC: H02M3/155
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