High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Invention Application

US20160099143A1 High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology 有权

Title translation: 高温氧化硅原子层沉积技术

Patent Title: High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology
Patent Title (中): 高温氧化硅原子层沉积技术
Application No.: US14872775

Application Date: 2015-10-01
Publication No.: US20160099143A1

Publication Date: 2016-04-07
Inventor: Wenbo Yan , Cong Trinh , Ning Li , Victor Nguyen , Mihaela Balseanu , Li-Qun Xia , Mark Saly
Applicant: Applied Materials, Inc.
Main IPC: H01L21/02
IPC: H01L21/02 ; H01L21/687

Abstract:

Processes for depositing SiO2 films on a wafer surface utilizing an aminosilane compound as a silicon precursor are described.

Abstract(Chinese):

描述了使用氨基硅烷化合物作为硅前体在晶片表面上沉积SiO 2膜的工艺。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理