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公开(公告)号：CN1925184B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610125682.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
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公开(公告)号：CN101060138A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610143366.X
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L27/1296 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种非晶硅薄膜晶体管和具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器件。该晶体管包括非晶硅薄膜晶体管部分，其包括栅电极、栅绝缘层、非晶硅层和源/漏电极，这些全部形成在衬底上；以及热生成部分，用于产生热并将所述热施加到该非晶硅层以恢复阈值电压。
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公开(公告)号：CN115050752A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210219026.X
申请日：2022-03-08
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 提供了具有三维堆叠结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个沟道结构，在基板上并布置成三维阵列；多个栅电极，在平行于基板的方向上延伸；以及多个源电极和漏电极，在垂直于基板的方向上延伸。栅电极连接到在平行于基板的方向上排列的沟道结构，源电极和漏电极连接到在垂直于基板的方向上排列的沟道结构。沟道结构包括沟道层和在沟道层上的铁电层。
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公开(公告)号：CN100573897C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610092400.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1953230B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻-变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN101064345B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610149433.9
申请日：2006-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；热氧化层，形成于所述源欧姆层和漏欧姆层之间的沟道的表面上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该热氧化层；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN100593242C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
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公开(公告)号：CN1953230A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN118250996A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311786037.7
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L27/088 , H01L29/10
Abstract: 本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置，该存储装置包括：在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。
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