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公开(公告)号：CN102968220B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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公开(公告)号：CN102544032B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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公开(公告)号：CN102104072B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
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公开(公告)号：CN103792564A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310180851.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种驱动器电路，用于向列线输出根据能量电平来分类和计数光子的结果，所述驱动器电路包括：复用器，用于从计数器接收所述结果；驱动逆变器，用于从所述复用器和电源接收信号；以及，在所述电源和所述驱动逆变器的输入端之间连接的第一开关。
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公开(公告)号：CN102968220A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956263A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298165.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
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公开(公告)号：CN101257048B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN102759400A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
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公开(公告)号：CN101681925A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021283.0
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。
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公开(公告)号：CN101335301A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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