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公开(公告)号：CN108559264B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810211195.2
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚砜基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚砜作为聚合物的基体材料；同时采用无机纳米陶瓷粒子作为无机纳米填料，并对纳米填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机纳米陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚砜聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和高储能密度的交联型聚芳醚砜基介电复合材料。制备得到的聚芳醚砜基介电复合薄膜具备较高的介电常数，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的储能密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108456411B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810211192.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L71/10 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/38 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/22 , C08G65/40 , C08J5/18 , C08J3/24
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚酮基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚酮作为聚合物的基体材料；同时采用具有高绝缘性的无机陶瓷粒子作为无机填料，并对填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚酮聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和耐高电压的交联型聚芳醚酮基介电复合材料。制备得到的聚芳醚酮基介电复合薄膜具备较低的介电损耗，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的耐高电压性。
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公开(公告)号：CN108559264A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810211195.2
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C08K9/02 , C08G75/23 , C08J5/18 , C08J2381/06 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L81/06
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚砜基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚砜作为聚合物的基体材料；同时采用无机纳米陶瓷粒子作为无机纳米填料，并对纳米填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机纳米陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚砜聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和高储能密度的交联型聚芳醚砜基介电复合材料。制备得到的聚芳醚砜基介电复合薄膜具备较高的介电常数，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的储能密度。
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公开(公告)号：CN108456411A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810211192.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L71/10 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/38 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/22 , C08G65/40 , C08J5/18 , C08J3/24
CPC classification number: C08K9/02 , C08G65/4012 , C08G65/4087 , C08J3/24 , C08J5/18 , C08J2371/10 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/38 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L71/00
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚酮基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚酮作为聚合物的基体材料；同时采用具有高绝缘性的无机陶瓷粒子作为无机填料，并对填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚酮聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和耐高电压的交联型聚芳醚酮基介电复合材料。制备得到的聚芳醚酮基介电复合薄膜具备较低的介电损耗，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的耐高电压性。
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公开(公告)号：CN105778090B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610333115.1
申请日：2016-05-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C08G73/06 , C07D209/48 , C07D487/04
Abstract: 本发明公开了含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物及其制备方法，属于高分子材料及其制备技术领域。本发明的目的是解决现有的超支化酞菁会明显降低酞菁聚合物的热分解温度和共轭程度，对材料的性能产生不利影响的问题。本发明通过4‑氨基邻苯二甲腈与酸酐单体反应得到含酰亚胺结构的四氰基封端单体，然后通过聚合反应得到含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物。本发明中所制备的含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物无论在三级非线性光学性能还是在热稳定性都有着明显的提升，集高性能结构与功能高分子于一体，有望成为光学器件的理想材料。
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公开(公告)号：CN105778090A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610333115.1
申请日：2016-05-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C08G73/06 , C07D209/48 , C07D487/04
Abstract: 本发明公开了含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物及其制备方法，属于高分子材料及其制备技术领域。本发明的目的是解决现有的超支化酞菁会明显降低酞菁聚合物的热分解温度和共轭程度，对材料的性能产生不利影响的问题。本发明通过4?氨基邻苯二甲腈与酸酐单体反应得到含酰亚胺结构的四氰基封端单体，然后通过聚合反应得到含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物。本发明中所制备的含酰亚胺结构的超支化金属酞菁齐聚物无论在三级非线性光学性能还是在热稳定性都有着明显的提升，集高性能结构与功能高分子于一体，有望成为光学器件的理想材料。
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