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公开(公告)号：CN111004507B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201911167290.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种交联型聚醚酰亚胺基介电复合薄膜的制备方法和用途，采用具有核壳结构的纳米陶瓷粒子作为填料，并对该填料的表面进行有机功能化改性，引入了可交联官能团，使纳米粒子与聚醚酰亚胺基体发生交联反应，形成网状结构，解决填料的分散性及相容性问题；同时采用具有良好耐热性和机械性能的可交联聚醚酰亚胺作为聚合物基体材料，制备具有良好介电性能的交联型聚醚酰亚胺基介电复合薄膜材料，其在室温下和高温下均具备较高的介电常数以及较低的介电损耗。实验证明，本发明的聚醚酰亚胺基介电复合薄膜材料在室温下和高温下均具有良好的介电性能，是一种有希望在介电电容器、半导体及电子封装等现代电子电力领域应用的复合介电材料。
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公开(公告)号：CN111004507A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911167290.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种交联型聚醚酰亚胺基介电复合薄膜的制备方法和用途，采用具有核壳结构的纳米陶瓷粒子作为填料，并对该填料的表面进行有机功能化改性，引入了可交联官能团，使纳米粒子与聚醚酰亚胺基体发生交联反应，形成网状结构，解决填料的分散性及相容性问题；同时采用具有良好耐热性和机械性能的可交联聚醚酰亚胺作为聚合物基体材料，制备具有良好介电性能的交联型聚醚酰亚胺基介电复合薄膜材料，其在室温下和高温下均具备较高的介电常数以及较低的介电损耗。实验证明，本发明的聚醚酰亚胺基介电复合薄膜材料在室温下和高温下均具有良好的介电性能，是一种有希望在介电电容器、半导体及电子封装等现代电子电力领域应用的复合介电材料。
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公开(公告)号：CN108559264B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810211195.2
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚砜基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚砜作为聚合物的基体材料；同时采用无机纳米陶瓷粒子作为无机纳米填料，并对纳米填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机纳米陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚砜聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和高储能密度的交联型聚芳醚砜基介电复合材料。制备得到的聚芳醚砜基介电复合薄膜具备较高的介电常数，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的储能密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106633098B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201710079223.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基超支化金属酞菁@纳米钛酸钡复合材料及其制备方法和应用；所述的复合材料中的超支化金属酞菁@纳米钛酸钡颗粒具有核壳结构，先对所述内核纳米钛酸钡作表面处理，引入双氰基末端官能团，然后接枝超支化金属酞菁对内核纳米钛酸钡作进一步的包覆，通过对纳米钛酸钡表面的有机官能化修饰，降低无机纳米颗粒与有机聚合物的表面能差异，增强界面作用，减少粒子的聚集，改善纳米颗粒在聚合物基体中的分散性，从而得到具有高介电常数、低介电损耗、高击穿强度的聚合物基超支化金属酞菁@纳米钛酸钡复合材料，所述复合材料还具有优异的加工性能。所述复合材料适用于制备嵌入式电容器、薄膜电容器、高储能电容等电子电器设备。
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公开(公告)号：CN108456411A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810211192.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L71/10 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/38 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/22 , C08G65/40 , C08J5/18 , C08J3/24
CPC classification number: C08K9/02 , C08G65/4012 , C08G65/4087 , C08J3/24 , C08J5/18 , C08J2371/10 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/38 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L71/00
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚酮基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚酮作为聚合物的基体材料；同时采用具有高绝缘性的无机陶瓷粒子作为无机填料，并对填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚酮聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和耐高电压的交联型聚芳醚酮基介电复合材料。制备得到的聚芳醚酮基介电复合薄膜具备较低的介电损耗，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的耐高电压性。
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公开(公告)号：CN108456411B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810211192.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L71/10 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/38 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/22 , C08G65/40 , C08J5/18 , C08J3/24
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚酮基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚酮作为聚合物的基体材料；同时采用具有高绝缘性的无机陶瓷粒子作为无机填料，并对填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚酮聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和耐高电压的交联型聚芳醚酮基介电复合材料。制备得到的聚芳醚酮基介电复合薄膜具备较低的介电损耗，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的耐高电压性。
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公开(公告)号：CN108559264A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810211195.2
申请日：2018-03-14
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C08K9/02 , C08G75/23 , C08J5/18 , C08J2381/06 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L81/06
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚芳醚砜基介电复合材料及其制备方法和用途，所述方法采用了具有良好热学和力学性能且含有活性官能团(烯丙基侧基)的聚芳醚砜作为聚合物的基体材料；同时采用无机纳米陶瓷粒子作为无机纳米填料，并对纳米填料表面进行有机功能化改性，引入苯并环丁烯，形成具有可反应性官能团的具有核壳结构的无机纳米陶瓷粒子，并作为交联点，与具有活化官能团的聚芳醚砜聚合物基体发生交联反应，形成三维网络结构，制备出具有良好耐热性、柔性和高储能密度的交联型聚芳醚砜基介电复合材料。制备得到的聚芳醚砜基介电复合薄膜具备较高的介电常数，较宽的温度适用范围，同时其击穿场强也有明显提升，从而获得高温下较高的储能密度。
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公开(公告)号：CN106633098A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710079223.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基超支化金属酞菁@纳米钛酸钡复合材料及其制备方法和应用；所述的复合材料中的超支化金属酞菁@纳米钛酸钡颗粒具有核壳结构，先对所述内核纳米钛酸钡作表面处理，引入双氰基末端官能团，然后接枝超支化金属酞菁对内核纳米钛酸钡作进一步的包覆，通过对纳米钛酸钡表面的有机官能化修饰，降低无机纳米颗粒与有机聚合物的表面能差异，增强界面作用，减少粒子的聚集，改善纳米颗粒在聚合物基体中的分散性，从而得到具有高介电常数、低介电损耗、高击穿强度的聚合物基超支化金属酞菁@纳米钛酸钡复合材料，所述复合材料还具有优异的加工性能。所述复合材料适用于制备嵌入式电容器、薄膜电容器、高储能电容等电子电器设备。
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