公开(公告)号：CN102956441A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305251.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 埃斯普罗光电股份公司

Inventor： B·德科伊 ,  M·安内塞 ,  M·波普

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明涉及在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底。一种包括光刻构图步骤的在衬底上制造半导体部件的方法，在衬底上，提供第一层和作为第一层的掩模的第二层，提供作为第二层的掩模的第三层，对第二层依次进行至少两个光刻构图工艺，在一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层构成的结构后，在第三层的构图边缘形成正倾角α，给定第三层的厚度h，保持开放的结构的尺寸减小D=2＊h/tanα的值，在另一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层制构成的结构后，在第三层的构图边缘形成负倾角β，给定第三层的厚度h，剩余结构的尺寸减小W=2＊h/tanβ的值，由被分别构图的第三层构图第二层。