传感装置、制造方法和检测装置

    公开(公告)号:CN104126131A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201380000967.3

    申请日:2013-02-28

    CPC classification number: G01S17/36 G01S7/4863 G01S17/89

    Abstract: 本发明涉及一种传感装置(1),尤其是用于3D相机传感器的飞行时间(ToF)和/或CCD传感装置,所述传感装置包括至少一个模拟和一个数字电路组件,以及用于将所述模拟电路组件的模拟信号转换为所述数字电路组件(2)的数字信号以及执行逆转换的一个A-D转换器(8),其中所述模拟电路组件和所述数字电路组件分别包括至少一个用于以电子方式实现功能的模块,以及其中所述模拟电路组件的所述模块之一被设计为用于检测光辐射的传感单元(3),所述数字电路组件的所述模块之一被设计为用于处理数字信号的信号处理单元。为了促进到基于应用的传感单元的改进型集成,包括所述A-D转换器的电路组件作为集成电路集成在芯片中,并且所述芯片被使用1-poly技术制造为半导体结构。

    在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底

    公开(公告)号:CN102956441A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210305251.1

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: H01L21/32139 H01L21/0337 H01L21/0338

    Abstract: 本发明涉及在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底。一种包括光刻构图步骤的在衬底上制造半导体部件的方法,在衬底上,提供第一层和作为第一层的掩模的第二层,提供作为第二层的掩模的第三层,对第二层依次进行至少两个光刻构图工艺,在一个构图工艺中,在制造由用于第三层的掩模层的光敏层构成的结构后,在第三层的构图边缘形成正倾角α,给定第三层的厚度h,保持开放的结构的尺寸减小D=2*h/tanα的值,在另一个构图工艺中,在制造由用于第三层的掩模层的光敏层制构成的结构后,在第三层的构图边缘形成负倾角β,给定第三层的厚度h,剩余结构的尺寸减小W=2*h/tanβ的值,由被分别构图的第三层构图第二层。

    高动态范围像素
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107426510A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710082834.5

    申请日:2017-02-16

    Inventor: B·德科伊

    Abstract: 根据本发明的图像传感器是具有由像素组成的矩阵的图像传感器,用于从拍摄的两张原始图像中产生具有更高动态范围的生成的图像,其中,图像传感器的像素设计得和解调像素一样,分别具有:用于从接收到的辐射中产生带电粒子的转换区域,用于在时间上将产生的带电粒子分成两个带电粒子流的分离装置,具有两个储存器的储存装置,用于分离地储存所述两个带电粒子流的带电粒子,和读取装置,用于将所储存的带电粒子转换为电信号,其中,所述分离装置设计为用于,将在一个周期中产生的带电粒子分成两个不同的时段。

    传感装置、制造方法和检测装置

    公开(公告)号:CN104126131B

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201380000967.3

    申请日:2013-02-28

    CPC classification number: G01S17/36 G01S7/4863 G01S17/89

    Abstract: 本发明涉及一种传感装置(1),尤其是用于3D相机传感器的飞行时间(ToF)和/或CCD传感装置,所述传感装置包括至少一个模拟和一个数字电路组件,以及用于将所述模拟电路组件的模拟信号转换为所述数字电路组件(2)的数字信号以及执行逆转换的一个A‑D转换器(8),其中所述模拟电路组件和所述数字电路组件分别包括至少一个用于以电子方式实现功能的模块,以及其中所述模拟电路组件的所述模块之一被设计为用于检测光辐射的传感单元(3),所述数字电路组件的所述模块之一被设计为用于处理数字信号的信号处理单元。为了促进到基于应用的传感单元的改进型集成,包括所述A‑D转换器的电路组件作为集成电路集成在芯片中,并且所述芯片被使用1‑poly技术制造为半导体结构。

    用于光子检测的半导体结构

    公开(公告)号:CN102891154B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201210319474.3

    申请日:2012-07-20

    CPC classification number: H01L27/1463

    Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1,101,201),包括:衬底(2,102,202),其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成,接触区(3,103,203),其设置在所述衬底的前侧,偏置层(4,104,204),由具有第二掺杂的半导体材料构成,设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧,其中接触区至少部分地与偏置层相对,以便在横向方向出现重叠区域,保护环(5,105,205),设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区,其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造,所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。

    光谱仪和用于调整滤光器阵列的方法

    公开(公告)号:CN108072446B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN201711146661.5

    申请日:2017-11-17

    Inventor: B·德科伊

    Abstract: 用于尤其在250nm至1150nm的波长范围内接受光谱的光谱仪(1),包括传感器阵列(4)和用于基于波长过滤辐射的滤光器阵列(5),其中为了降低制造成本设置用于标记由滤光器阵列(5)覆盖的传感器像素的装置(13),其具有非易失性存储器(14),其中存储了滤光器阵列(5)关于传感器阵列(4)的坐标和/或滤光器阵列(5)关于传感器阵列(4)的坐标变换,以便借助所存储的坐标和/或坐标变换使传感器像素对应于各个滤光器像素(7)和/或激活各个滤光器像素(7),根据哪些传感器像素由相应的滤光器像素(7)覆盖。

    产生高动态范围像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN107426510B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201710082834.5

    申请日:2017-02-16

    Inventor: B·德科伊

    Abstract: 根据本发明的图像传感器是具有由像素组成的矩阵的图像传感器,用于从拍摄的两张原始图像中产生具有更高动态范围的生成的图像,其中,图像传感器的像素设计得和解调像素一样,分别具有:用于从接收到的辐射中产生带电粒子的转换区域,用于在时间上将产生的带电粒子分成两个带电粒子流的分离装置,具有两个储存器的储存装置,用于分离地储存所述两个带电粒子流的带电粒子,和读取装置,用于将所储存的带电粒子转换为电信号,其中,所述分离装置设计为用于,将在一个周期中产生的带电粒子分成两个不同的时段。

    光谱仪和用于调整滤光器阵列的方法

    公开(公告)号:CN108072446A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711146661.5

    申请日:2017-11-17

    Inventor: B·德科伊

    Abstract: 用于尤其在250nm至1150nm的波长范围内接受光谱的光谱仪(1),包括传感器阵列(4)和用于基于波长过滤辐射的滤光器阵列(5),其中为了降低制造成本设置用于标记由滤光器阵列(5)覆盖的传感器像素的装置(13),其具有非易失性存储器(14),其中存储了滤光器阵列(5)关于传感器阵列(4)的坐标和/或滤光器阵列(5)关于传感器阵列(4)的坐标变换,以便借助所存储的坐标和/或坐标变换使传感器像素对应于各个滤光器像素(7)和/或激活各个滤光器像素(7),根据哪些传感器像素由相应的滤光器像素(7)覆盖。

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