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公开(公告)号：CN108780151B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201680081313.1
申请日：2016-02-08
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
IPC: G01S17/08 , G01S17/894 , G01S7/481 , G01S7/497
Abstract: 本发明涉及一种飞行时间距离测量装置。光源(24)包括多个发射部分(70，72)，每个发射部分照亮子区域(R1，R2)中相应的一个。光接收器(26)包括与发射部分(70、72)中的相应的一个对应的多个接收部分(74、76)。第一控制器(28)控制(i)第一发射部分(70)发射包括基频的N阶谐波分量的发射光，(ii)第二发射部分(72)发射包括M阶谐波分量的发射光。第二控制器(30)控制与第一发射部分(70)相对应的第一接收部分(74)感测N阶谐波分量和M阶谐波分量，和当第一接收部分(74)同时感测N阶分量和所述M阶分量时，多路径检测器(82)检测多路径误差的发生。
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公开(公告)号：CN107003410B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201680003613.8
申请日：2016-01-22
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
Inventor： M·波普
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4914
Abstract: 一种TOF距离传感器，用于检测到物体的距离，通过接收由物体反射的辐射，该辐射来自利用调制频率调制的发射源，具有像素矩阵，用于记录像素图像。该像素矩阵由解调像素组成，该解调像素用于在背面接收辐射。解调像素具有转换区域，用于从接收到的辐射产生载流子，以及分隔器件，用于根据调制频率分隔载流子，以及屏障，用于关于载流子将转换区域与分隔器件隔离，以及屏障孔，用于使载流子从转换区域通过进入分隔器件中。TOF距离传感器这样设计，即每至少两个解调像素形成公共的屏障孔。
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公开(公告)号：CN104126131A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201380000967.3
申请日：2013-02-28
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
CPC classification number: G01S17/36 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明涉及一种传感装置（1），尤其是用于3D相机传感器的飞行时间（ToF）和/或CCD传感装置，所述传感装置包括至少一个模拟和一个数字电路组件，以及用于将所述模拟电路组件的模拟信号转换为所述数字电路组件（2）的数字信号以及执行逆转换的一个A-D转换器（8），其中所述模拟电路组件和所述数字电路组件分别包括至少一个用于以电子方式实现功能的模块，以及其中所述模拟电路组件的所述模块之一被设计为用于检测光辐射的传感单元（3），所述数字电路组件的所述模块之一被设计为用于处理数字信号的信号处理单元。为了促进到基于应用的传感单元的改进型集成，包括所述A-D转换器的电路组件作为集成电路集成在芯片中，并且所述芯片被使用1-poly技术制造为半导体结构。
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公开(公告)号：CN102956441A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210305251.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/423 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 本发明涉及在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底。一种包括光刻构图步骤的在衬底上制造半导体部件的方法，在衬底上，提供第一层和作为第一层的掩模的第二层，提供作为第二层的掩模的第三层，对第二层依次进行至少两个光刻构图工艺，在一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层构成的结构后，在第三层的构图边缘形成正倾角α，给定第三层的厚度h，保持开放的结构的尺寸减小D=2＊h/tanα的值，在另一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层制构成的结构后，在第三层的构图边缘形成负倾角β，给定第三层的厚度h，剩余结构的尺寸减小W=2＊h/tanβ的值，由被分别构图的第三层构图第二层。
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公开(公告)号：CN102891154B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210319474.3
申请日：2012-07-20
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108020845B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201711071599.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司 , 瓦莱奥开关传感器有限公司
IPC: G01S17/894 , G01S7/491
Abstract: 为了精确的距离测量，本发明提出一种用于确定与对象(14)的距离的接收装置(1)，包括：接收器，该接收器包括半导体结构(2)，该半导体结构(2)具有产生光诱导的载流子的、朝向背面(B)的光敏区域(4)，以及朝向正面(F)的输送区域(6)，其中光敏区域(4)和输送区域(6)通过具有在光敏区域(4)与输送区域(6)之间的通道(7)的分隔层(5)相互空间分隔开，其中输送区域(6)具有至少两个并列的栅极(8,8a,8b)的布置，其中栅极中的至少之一(8a,8b)位于在通道(7)的覆盖区域(9)中。
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公开(公告)号：CN108780151A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680081313.1
申请日：2016-02-08
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4815 , G01S7/4911 , G01S7/497 , G01S17/36
Abstract: 本发明涉及一种飞行时间距离测量装置。光源(24)包括多个发射部分(70，72)，每个发射部分照亮子区域(R1，R2)中相应的一个。光接收器(26)包括与发射部分(70、72)中的相应的一个对应的多个接收部分(74、76)。第一控制器(28)控制(i)第一发射部分(70)发射包括基频的N阶谐波分量的发射光，(ii)第二发射部分(72)发射包括M阶谐波分量的发射光。第二控制器(30)控制与第一发射部分(70)相对应的特定接收部分(74)感测N阶谐波分量和M阶谐波分量，和当特定接收部分(74)同时感测N阶分量和所述M阶分量时，多路径检测器(82)检测多路径误差的发生。
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公开(公告)号：CN104126131B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380000967.3
申请日：2013-02-28
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
CPC classification number: G01S17/36 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明涉及一种传感装置（1），尤其是用于3D相机传感器的飞行时间（ToF）和/或CCD传感装置，所述传感装置包括至少一个模拟和一个数字电路组件，以及用于将所述模拟电路组件的模拟信号转换为所述数字电路组件（2）的数字信号以及执行逆转换的一个A‑D转换器（8），其中所述模拟电路组件和所述数字电路组件分别包括至少一个用于以电子方式实现功能的模块，以及其中所述模拟电路组件的所述模块之一被设计为用于检测光辐射的传感单元（3），所述数字电路组件的所述模块之一被设计为用于处理数字信号的信号处理单元。为了促进到基于应用的传感单元的改进型集成，包括所述A‑D转换器的电路组件作为集成电路集成在芯片中，并且所述芯片被使用1‑poly技术制造为半导体结构。
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公开(公告)号：CN108020845A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711071599.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司 , 瓦莱奥开关传感器有限公司
CPC classification number: G01S7/4861 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14856
Abstract: 为了精确的距离测量，本发明提出一种用于确定与对象(14)的距离的接收装置(1)，包括：接收器，该接收器包括半导体结构(2)，该半导体结构(2)具有产生光诱导的载流子的、朝向背面(B)的光敏区域(4)，以及朝向正面(F)的输送区域(6)，其中光敏区域(4)和输送区域(6)通过具有在光敏区域(4)与输送区域(6)之间的通道(7)的分隔层(5)相互空间分隔开，其中输送区域(6)具有至少两个并列的栅极(8,8a,8b)的布置，其中栅极中的至少之一(8a,8b)位于在通道(7)的覆盖区域(9)中。
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公开(公告)号：CN102891154A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210319474.3
申请日：2012-07-20
Applicant: 埃斯普罗光电股份公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。
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