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公开(公告)号：JP6115566B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2014507729
申请日：2013-03-18
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1085 , H01L27/14625 , H01L31/02327 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , G02B6/12004
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公开(公告)号：JP2015191069A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014067114
申请日：2014-03-27
Applicant: 日本電気株式会社
Abstract: 【課題】小型かつ低電圧駆動の光変調用素子および光変調器において高集積化できないという問題を解決する光変調用素子および光変調器を提供する。 【解決手段】本発明の光変調用素子は、千鳥配置された複数の電極パットと、前記電極パットを避けるように折り曲げられ、かつ各電極パットからの駆動電圧によって、複数の部分で光位相変調する2つのアームと、前記2つのアームが光の入力側で分岐する光分岐構造と、前記2つのアームが光の出力側で結合する光結合構造とを備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种光调制元件和光调制器，其解决了对小型和低电压驱动光调制元件和光调制器不可能高集成度的问题。解调：光调制元件包括： 以Z字形方式设置的多个电极焊盘; 两个臂被弯曲以避免电极焊盘并且通过来自每个电极焊盘的驱动电压在多个部分执行光学相位调制; 其中两个臂在光的输入侧分支的光学分支结构; 以及光耦合结构，其中两个臂耦合在光的输出侧。
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公开(公告)号：JP2018173539A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2017071594
申请日：2017-03-31
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2202/10 , G02F2202/105
Abstract: 【課題】低電流密度、低消費電力、高い変調度、低電圧駆動、および高速変調を、サブミクロンの領域内で実現可能な、改善されたキャリアプラズマ効果を示すシリコン・ベース電気光学変調器を提供する。 【解決手段】SiあるいはSiGe結晶を含む導波路構造を具備する電気光学変調器において、前記導波路構造内を伝播する光の電界方向が前記SiあるいはSiGe結晶の 方向とほぼ平行となるように設定されることを特徴とする電気光学変調器。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP6413296B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2014067112
申请日：2014-03-27
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: H04B10/5561 , G02F1/0123 , G02F1/2257 , H04B10/0795
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5773410B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2011043937
申请日：2011-03-01
Applicant: 日本電気株式会社 , エージェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチ
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/066 , G02F2201/12 , G02F2202/06 , G02F2202/105
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公开(公告)号：JP2019215488A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2018113707
申请日：2018-06-14
Applicant: 日本電気株式会社 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
Abstract: 【課題】リブ型Si導波路と高効率に光結合し、変調効率を高めると共に、積層された半導体層における電気容量や引出抵抗の低減を実現する、Si基板上に集積化可能なSIS型電気光学変調器を提供する。 【解決手段】導電型の異なる第1の半導体層4及び第2の半導体層5と両半導体層間の誘電体層11で構成されるSIS型接合において、両半導体層に結合された電極からの電気信号により、自由キャリアが、誘導体層11の両側で蓄積、除去、または反転することにより、光信号電界が感じる自由キャリア濃度が変調されることを利用した電気光学変調器であって、SIS型接合の幅方向に直交する偏光成分を有する光が誘電体層11に入射され、該入射する光の波長をλ、該入射光に対する実効屈折率をn eff とした時、SIS型接合の幅Wが、λ/n eff 以下であることを特徴とする。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6425271B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2015508155
申请日：2014-02-04
IPC: H03F3/08
CPC classification number: H04B10/697 , H03F3/08 , H04B10/0795 , H04B10/693 , H04L25/085
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公开(公告)号：JP6314972B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2015507689
申请日：2013-11-28
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/0113 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063
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公开(公告)号：JP6187456B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2014507675
申请日：2013-03-14
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/225 , G02F1/2257 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2202/104
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