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公开(公告)号:CN103917582A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280053901.6
申请日:2012-10-09
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: H05K1/0313 , B32B15/08 , B32B15/09 , B32B15/20 , B32B27/20 , B32B27/286 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/182 , B32B2250/42 , B32B2305/55 , B32B2307/202 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , C08J5/18 , C08J2300/12 , C08J2367/03 , C09K19/3809 , H05K1/024 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K3/022 , H05K3/4626 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供能够抑制加热前后的相对介电常数发生变化的热塑性液晶聚合物薄膜以及使用了该热塑性液晶薄膜的层叠体和电路基板。对于上述热塑性液晶聚合物薄膜而言,在从比该薄膜的熔点低30℃的温度到比该薄膜的熔点高10℃的温度的范围对薄膜加热1小时的情况下,在1~100GHz的频率下测得的对薄膜加热后的相对介电常数(εr2)相对于对薄膜加热前的相对介电常数(εr1)的变化率满足下述式(I)。|εr2-εr1|/εr1×100≤5(I)(式中,εr1为对薄膜加热前的相对介电常数,εr2为对薄膜加热后的相对介电常数,这些相对介电常数在同一频率下进行测定)。
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公开(公告)号:CN110446738B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201880020206.7
申请日:2018-03-26
Applicant: 株式会社可乐丽
Abstract: 本发明提供能够降低高频频带下的介电损耗角正切的热塑性液晶聚合物及其膜。上述热塑性液晶聚合物含有下述式(I)、(II)、(III)和(IV)所表示的重复单元,热塑性液晶聚合物中的式(I)所表示的重复单元和式(II)所表示的重复单元的合计量相对于全部重复单元的合计量的摩尔比率为50~90摩尔%,式(III)所表示的重复单元与式(IV)所表示的重复单元的摩尔比为23/77~77/23。(式中,Ar1和Ar2为彼此不同的二价芳香族基团)。
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公开(公告)号:CN104220236A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201380017961.7
申请日:2013-03-08
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: B29C35/02 , B29C55/005 , B29C55/12 , B29C55/143 , B29D7/01 , B29K2101/00 , B29K2105/0079 , B29L2007/00 , C08J5/18 , C08J2300/20 , C08J2300/22 , C08J2367/04 , C09K19/3809 , C09K2219/03
Abstract: 本发明提供热塑性液晶聚合物薄膜及其制造方法。上述制造方法具备:准备工序,准备在MD方向及TD方向均具有3.25以下的介电常数的热塑性液晶聚合物薄膜;以及拉伸工序,在比薄膜的热变形温度(Td)低60℃的温度(Td-60℃)至比Td低5℃的温度(Td-5℃)的范围内对上述薄膜进行加热并拉伸。例如,拉伸工序中的加热温度可以为比所拉伸的薄膜的热变形温度(Td)低40℃的温度(Td-40℃)至比Td低10℃的温度(Td-10℃)的范围内。
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公开(公告)号:CN110446738A
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201880020206.7
申请日:2018-03-26
Applicant: 株式会社可乐丽
Abstract: 本发明提供能够降低高频频带下的介电损耗角正切的热塑性液晶聚合物及其膜。上述热塑性液晶聚合物含有下述式(I)、(II)、(III)和(IV)所表示的重复单元,热塑性液晶聚合物中的式(I)所表示的重复单元和式(II)所表示的重复单元的合计量相对于全部重复单元的合计量的摩尔比率为50~90摩尔%,式(III)所表示的重复单元与式(IV)所表示的重复单元的摩尔比为23/77~77/23。(式中,Ar1和Ar2为彼此不同的二价芳香族基团)
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公开(公告)号:CN103917582B
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201280053901.6
申请日:2012-10-09
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: H05K1/0313 , B32B15/08 , B32B15/09 , B32B15/20 , B32B27/20 , B32B27/286 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/182 , B32B2250/42 , B32B2305/55 , B32B2307/202 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , C08J5/18 , C08J2300/12 , C08J2367/03 , C09K19/3809 , H05K1/024 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K3/022 , H05K3/4626 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供能够抑制加热前后的相对介电常数发生变化的热塑性液晶聚合物薄膜以及使用了该热塑性液晶薄膜的层叠体和电路基板。对于上述热塑性液晶聚合物薄膜而言,在从比该薄膜的熔点低30℃的温度到比该薄膜的熔点高10℃的温度的范围对薄膜加热1小时的情况下,在1~100GHz的频率下测得的对薄膜加热后的相对介电常数(εr2)相对于对薄膜加热前的相对介电常数(εr1)的变化率满足下述式(I)。|εr2‑εr1|/εr1×100≤5 (I)(式中,εr1为对薄膜加热前的相对介电常数,εr2为对薄膜加热后的相对介电常数,这些相对介电常数在同一频率下进行测定)。
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