公开(公告)号：CN112969585A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201980072752.X

申请日：2019-11-07

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 小野寺稔 ,  砂本辰也 ,  高桥健 ,  中岛崇裕

IPC: B32B27/06 ,  C08J5/18 ,  B32B15/08 ,  B32B7/025 ,  B32B7/027 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供厚度方向的介电常数适合于毫米波雷达基材的热塑性液晶聚合物膜。所述热塑性液晶聚合物膜是含有能够形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物(以下将其称为热塑性液晶聚合物)的膜，其特征在于，23℃、20GHz下的厚度方向的介电常数为2.5～3.2，热变形温度为180～320℃。所述热塑性液晶聚合物膜在膜平面中膜的一个方向和与其正交的方向这两个方向的23℃、15GHz下的介电常数可以为2.6～3.7。

公开(公告)号：CN111511128A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010194970.5

申请日：2014-10-22

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 中岛崇裕 ,  小野寺稔 ,  砂本辰也

IPC: H05K3/38 ,  C08J5/18 ,  C08L67/04

Abstract: 本发明提供与由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物的热胶粘性优良的热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法。所述薄膜的制造方法通过下述工序来制造：掌握工序，分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜，对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部，通过X射线光电子能谱分析掌握[C-O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和调节工序，以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理，38≤X+Y≤65 (1)，-8.0≤Y-X≤8.0 (2)。

公开(公告)号：CN103270818B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180062324.2

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 大森一行 ,  砂本辰也

IPC: H05K3/28 ,  B29C43/32 ,  B29C65/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K1/0245 ,  B29C37/0075 ,  B29C43/18 ,  B29C43/203 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/281 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2203/068 ,  Y10T156/10

Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。

公开(公告)号：CN105683266A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480060003.2

申请日：2014-10-22

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 中岛崇裕 ,  小野寺稔 ,  砂本辰也

IPC: C08J5/18 ,  B32B27/08 ,  H05K3/28

Abstract: 本发明提供与由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物的热胶粘性优良的热塑性液晶聚合物的制造方法、以及电路基板及其制造方法。所述薄膜的制造方法通过下述工序来制造：掌握工序，分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜，对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部，通过X射线光电子能谱分析掌握[C-O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和调节工序，以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理，38≤X+Y≤65(1)，-8.0≤Y-X≤8.0(2)。

公开(公告)号：CN114762188A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083854.4

申请日：2020-11-30

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 砂本辰也 ,  宫内知嘉子 ,  矶上宏一郎

IPC: H01Q1/40 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/32

Abstract: 本发明提供对高频下的通信有用的天线系统。所述天线系统(100)由使高频穿透的第一玻璃层(101)、低介电层(103)和天线电路基板(107)构成，所述低介电层(103)具有比所述第一玻璃层(101)低的介电常数，并且与所述第一玻璃层(101)邻接，使从所述第一玻璃层(101)入射的高频穿透，所述天线电路基板(107)与所述低介电层(103)邻接，接收从所述低介电层(103)入射的高频，并且包含高频绝缘层(105)。

公开(公告)号：CN110050515A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780074452.6

申请日：2017-02-17

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 高桥健 ,  砂本辰也 ,  高桥朋宏 ,  中岛崇裕

IPC: H05K3/38 ,  B32B15/08 ,  C23C14/24 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明提供一种带金属蒸镀层的热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法，在270℃以上290℃以下的温度下将金属蒸镀到热塑性液晶聚合物薄膜的表面上而形成金属蒸镀层。

公开(公告)号：CN104663007B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201380049205.2

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 小野寺稔 ,  松永修始 ,  砂本辰也 ,  铃木繁昭

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/4602 ,  C09K19/2014 ,  C09K19/3087 ,  C09K19/322 ,  C09K19/3809 ,  C09K2019/122 ,  C09K2219/03 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/281 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4635 ,  H05K3/4688 ,  H05K3/4691 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/2063 ,  H05K2203/06 ,  H05K2203/12

Abstract: 本发明提供至少具备热塑性液晶聚合物薄膜和含有聚苯醚类树脂的胶粘层、即使使用液晶聚合物薄膜也能够低温成形的电路基板及其制造方法。所述热塑性液晶聚合物薄膜作为选自由绝缘基板、电路层材料和保护层组成的组中的至少一种的电路基板材料，隔着所述胶粘层与构成电路基板的其他电路基板材料层叠，所述胶粘层的玻璃化转变温度为200～300℃。

公开(公告)号：CN105934104A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610257650.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 大森一行 ,  砂本辰也

IPC: H05K3/28 ,  B29C43/18

CPC classification number: H05K1/0245 ,  B29C37/0075 ,  B29C43/18 ,  B29C43/203 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/281 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2203/068 ,  Y10T156/10

Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。

公开(公告)号：CN103917582A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280053901.6

申请日：2012-10-09

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 小野寺稔 ,  砂本辰也 ,  松永修始 ,  今野贵文

IPC: C08J5/18 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46 ,  B32B15/08 ,  B32B37/10

CPC classification number: H05K1/0313 ,  B32B15/08 ,  B32B15/09 ,  B32B15/20 ,  B32B27/20 ,  B32B27/286 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/182 ,  B32B2250/42 ,  B32B2305/55 ,  B32B2307/202 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  C08J5/18 ,  C08J2300/12 ,  C08J2367/03 ,  C09K19/3809 ,  H05K1/024 ,  H05K1/032 ,  H05K1/0326 ,  H05K3/022 ,  H05K3/4626 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2203/068 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供能够抑制加热前后的相对介电常数发生变化的热塑性液晶聚合物薄膜以及使用了该热塑性液晶薄膜的层叠体和电路基板。对于上述热塑性液晶聚合物薄膜而言，在从比该薄膜的熔点低30℃的温度到比该薄膜的熔点高10℃的温度的范围对薄膜加热1小时的情况下，在1～100GHz的频率下测得的对薄膜加热后的相对介电常数(εr2)相对于对薄膜加热前的相对介电常数(εr1)的变化率满足下述式(I)。|εr2-εr1|/εr1×100≤5(I)(式中，εr1为对薄膜加热前的相对介电常数，εr2为对薄膜加热后的相对介电常数，这些相对介电常数在同一频率下进行测定)。

公开(公告)号：CN112533985B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201980050798.1

申请日：2019-05-27

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 砂本辰也 ,  平松慎二 ,  小野寺稔

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/12 ,  C09J5/02 ,  B32B15/08 ,  B32B27/36

Abstract: 本发明提供粘接性良好的热塑性液晶聚合物成形体及其制造方法。上述热塑性液晶聚合物成形体是包含能够形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物的成形体，其中，在至少一部分具有被粘接部位，在被粘接部位的表面的X射线光电子能谱分析结果中，相对于C(1s)的峰面积的[C‑O键]的峰面积的比例＜C‑O＞与[COO键]的峰面积的比例＜COO＞之比＜C‑O＞/＜COO＞为1.5以上，并且，相对于C(1s)的峰面积的[C＝O键]的峰面积的比例＜C＝O＞与[COO键]的峰面积的比例＜COO＞之比＜C＝O＞/＜COO＞为0.10以上。