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公开(公告)号：CN1795286A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014269.X
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/5846 , C23C14/0078 , C23C14/568
Abstract: 本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序，在控制用于保持基板的基板座(13)的运送速度的同时，在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基板座(13)，调节最终形成的薄膜的膜成分，形成具有产生迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜。
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公开(公告)号：CN1788104A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03826575.3
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。
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公开(公告)号：CN1993492A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026467.2
申请日：2005-08-05
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/34 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置能够使等离子中一定程度的比例的离子与薄膜接触来进行成膜。薄膜形成装置(1)具有：等离子发生单元(80)，其设在真空槽(11)的与所述开(11a)对应的位置，并在真空槽(11)内产生等离子；基板保持架(13)，其在真空槽(11)内保持基体；离子消灭单元(90)，其设在等离子发生单元(80)和基板保持架(13)之间。离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上相对于等离子发生单元(80)遮蔽基板保持架(13)的面积，小于离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上的剩余面积。
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公开(公告)号：CN1795287A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。等离子体发生单元(61)构成为具有电介质壁(63)和涡状天线(65a、65b)。天线(65a、65b)相对于高频电源(69)并联连接，在与天线(65a、65b)的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。
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公开(公告)号：CN100543174C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200580026467.2
申请日：2005-08-05
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/34 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，具有：等离子发生单元，其设在真空槽的与开口对应的位置，并在真空槽内产生等离子；在真空槽内保持基体并以旋转轴线为中心旋转驱动的基体保持单元；和离子消灭单元，其设在等离子发生单元和基体保持单元之间，并使由等离子发生单元产生的离子消灭，离子消灭单元由以排列多个与基体保持单元的旋转轴线平行的方向的筋的方式配置的纵栅和以排列多个与基体保持单元的旋转方向平行的方向的筋的方式配置的横栅构成，离子消灭单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上相对于等离子发生单元遮蔽基体保持单元的面积，小于等离子发生单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上的剩余面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1320156C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200310113060.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室11内的成膜工序区20、40和反应工序区60在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶29a、29b、49a、49b之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板35和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板36，在基板S相对修正板35和屏蔽板36移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区60使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
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公开(公告)号：CN1795287B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。真空容器(11)内的壁面上覆盖有绝缘体，气体导入单元向等离子体发生单元(61)产生等离子体的区域导入反应性气体和惰性气体。
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公开(公告)号：CN100489149C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200480014269.X
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/5846 , C23C14/0078 , C23C14/568
Abstract: 本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序，在控制用于保持基板的基板座(13)的运送速度的同时，在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基板座(13)，调节最终形成的薄膜的膜成分，形成具有产生迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜。
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公开(公告)号：CN1536098A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200310113060.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室11内的成膜工序区20、40和反应工序区60在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶29a、29b、49a、49b之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板35和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板36，在基板S相对修正板35和屏蔽板36移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区60使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
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公开(公告)号：CN100513632C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN03826575.3
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。
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