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公开(公告)号:CN1993492A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200580026467.2
申请日:2005-08-05
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/34 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置,该薄膜形成装置能够使等离子中一定程度的比例的离子与薄膜接触来进行成膜。薄膜形成装置(1)具有:等离子发生单元(80),其设在真空槽(11)的与所述开(11a)对应的位置,并在真空槽(11)内产生等离子;基板保持架(13),其在真空槽(11)内保持基体;离子消灭单元(90),其设在等离子发生单元(80)和基板保持架(13)之间。离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上相对于等离子发生单元(80)遮蔽基板保持架(13)的面积,小于离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上的剩余面积。
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公开(公告)号:CN100543174C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200580026467.2
申请日:2005-08-05
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/34 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置,具有:等离子发生单元,其设在真空槽的与开口对应的位置,并在真空槽内产生等离子;在真空槽内保持基体并以旋转轴线为中心旋转驱动的基体保持单元;和离子消灭单元,其设在等离子发生单元和基体保持单元之间,并使由等离子发生单元产生的离子消灭,离子消灭单元由以排列多个与基体保持单元的旋转轴线平行的方向的筋的方式配置的纵栅和以排列多个与基体保持单元的旋转方向平行的方向的筋的方式配置的横栅构成,离子消灭单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上相对于等离子发生单元遮蔽基体保持单元的面积,小于等离子发生单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上的剩余面积。
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