公开(公告)号：CN105593986A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201380079870.6

申请日：2013-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下手义和 ,  马场伸治 ,  岩崎俊宽 ,  中川和之

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/28

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09427 ,  H05K2201/10704 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0465 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。

公开(公告)号：CN105593986B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201380079870.6

申请日：2013-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下手义和 ,  马场伸治 ,  岩崎俊宽 ,  中川和之

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/28

Abstract: 一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。