-
公开(公告)号：WO2018169194A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/KR2018/000723
申请日：2018-01-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유리파괴장치는, 유리에 부착가능하고, 유리에 맞닿는 부분에 관통개구가 마련된 본체부; 본체부에 내장된 구동부; 본체부에 내장되고, 관통개구를 관통하여 유리로 충격을 가하는 파괴징이 마련된 파괴유도부; 및 구동부에 연결되어, 구동부의 작동시 회전되면서 파괴유도부의 락킹을 해제하는 작동바를 포함하고, 파괴유도부는 락킹해제시 파괴징이 관통개구를 관통하여 유리에 충격을 가하도록 작동되는 것이 바람직하다.
-
公开(公告)号：WO2012020964A2
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005784
申请日：2011-08-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김동환 , 탁성주 , 강민구 , 박성은
IPC: H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 모듈에서 태양전지 셀과 셀 사이를 연결하는 인터커넥터 리본과, 태양전지 셀 사이의 연결부위의 부식을 방지하기 위해, 인터커넥터 리본 상에 방식용 양극으로서 희생금속을 부착한 것을 특징으로 하는 내부식성 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 외부환경에 의한 인터커넥터 리본의 부식을 방지함으로써 리본과 셀 간의 연결부위의 직렬저항 증가를 방지하고 발전 효율의 열화를 현저하게 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 아울러, 태양전지 모듈의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种耐腐蚀光伏组件，其特征在于，连接光伏电池的连接器带和光伏电池之间的空间以及用于阴极保护的阳极的牺牲金属连接到互连器带上以防止连接的腐蚀 光伏电池之间的一部分。 本发明可以防止带状和电池之间的连接部分处的串联电阻的增加，并且可以通过防止由于外部环境导致的互连器带的腐蚀而显着降低发电效率的劣化。 此外，光伏组件的寿命可以延长。
-
公开(公告)号：KR1020130104776A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026615
申请日：2012-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A crystalline silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a photocurrent loss due to the recombination of electrons and holes by forming a bottom electrode structure using the mixed paste of Al and Ag. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate (110) is divided into first regions (101) and a second region (106) which is formed between the first regions. A crystalline silicon layer (120) is arranged on the crystalline silicon substrate. A top electrode structure (150) is electrically connected to the crystalline silicon layer. A rear field effect layer (140) is formed on the first and second regions. A bottom electrode structure (130) is electrically connected to the rear field effect layer.
Abstract translation: 目的：提供一种晶体硅太阳能电池及其制造方法，以通过使用Al和Ag的混合浆料形成底部电极结构来减少由于电子和空穴的复合导致的光电流损失。 结构：晶体硅衬底（110）被分成形成在第一区域之间的第一区域（101）和第二区域（106）。 在晶体硅衬底上设置结晶硅层（120）。 顶部电极结构（150）电连接到晶体硅层。 在第一和第二区域上形成后场效应层（140）。 底部电极结构（130）电连接到后场效应层。
-
公开(公告)号：KR1020110047829A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090104608
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon solar cell using an induced current device is provided to maximally increase a filling rate by reducing interface detects. CONSTITUTION: A second type silicon layer is formed on the upper side of a first type crystalline silicon substrate. A passivation layer or anti-reflection layer(130) is formed on the upper side of the second type silicon layer. A front metal electrode is formed on the upper side of the passivation layer or anti-reflection layer. A rear metal electrode(140) is formed on the lower side of the first type crystalline silicon substrate. A front metal electrode is selectively fired by using an induced current device. A passivation layer is formed between the first type crystalline silicon substrate and the second type silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供使用感应电流装置制造硅太阳能电池的方法，通过减少接口检测来最大限度地增加填充率。 构成：在第一种晶体硅衬底的上侧形成第二类型的硅层。 钝化层或抗反射层（130）形成在第二类硅层的上侧。 在钝化层或防反射层的上侧形成有前金属电极。 后金属电极（140）形成在第一类型晶体硅衬底的下侧。 通过使用感应电流装置选择性地烧制前金属电极。 在第一类型晶体硅衬底和第二类型硅层之间形成钝化层。
-
公开(公告)号：KR100776819B1
公开(公告)日：2007-11-19
申请号：KR1020050127679
申请日：2005-12-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0749 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 동축형 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명은 도전성을 가진 와이어부재로 마련되는 제1전극부와, 상기 와이어부재의 외주면을 따라 형성되고, 태양광을 받아 여기된 전자를 방출하도록 구비되는 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 상부에 형성되고, 상기 제1반도체로부터 발생된 전자를 전도할 수 있도록 마련되는 제2반도체층과, 상기 제2반도체층 상에 적층되어 전자 또는 정공이 통전되도록 마련되는 제2전극부와, 상기 제1전극부의 적어도 일 단부에 구비되어 외부의 회로나 부하에 전기를 공급하도록 하는 제1단자부 및 상기 제2전극부의 일 단부에 배치되어 상기 제1단자부와 짝을 이루어 전원의 역할을 하도록 구비되는 제2단자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축형 태양전지 및 그 제조방법으로서, 계절이나 하루의 태양의 고도에 따른 태양광의 입사량에 의한 영향을 받지 않아 광변환 효율이 우수하고 장시간 사용시 안정적 특성을 갖는 특징이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070066469A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050127679
申请日：2005-12-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0749 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: A coaxial solar cell is provided to improve optic conversion efficiency by preventing influence by the incident quantity of solar light according to the altitude of the sun during a day or a season in a year. A first electrode part(110) is made of a conductive wire member. A first semiconductor layer(140) discharges the electrons excited by solar light, formed along the outer circumference of the wire member. A second semiconductor layer(150) is installed to conduct the electrons generated from the first semiconductor layer, formed on the first semiconductor layer. A second electrode part is installed to conduct electrons or holes, stacked on the second semiconductor layer. A first terminal part supplies electricity to an external circuit or load, installed at more than one end of the first electrode part. A second terminal part(170) is disposed at one end of the second electrode part, and the first and second terminal parts becomes a pair to function as a power source. The first semiconductor layer can be made of a p-type semiconductor like CuInSe2, and the second semiconductor layer can be made of an n-type semiconductor like CuInSe2 or CdS.
Abstract translation: 提供同轴太阳能电池，以通过在一年或一年的季节中根据太阳的高度来防止太阳光的入射量的影响来提高光学转换效率。 第一电极部分（110）由导线构件制成。 第一半导体层（140）沿着线构件的外周排出由太阳光激发的电子。 安装第二半导体层（150）以导电形成在第一半导体层上的由第一半导体层产生的电子。 安装第二电极部分以导电堆叠在第二半导体层上的电子或空穴。 第一端子部分向外部电路或负载供电，安装在第一电极部分的不止一端。 第二端子部分（170）设置在第二电极部分的一端，并且第一和第二端子部分成为一对用作电源。 第一半导体层可以由诸如CuInSe 2的p型半导体制成，并且第二半导体层可以由诸如CuInSe 2或CdS的n型半导体制成。
-
公开(公告)号：KR101356849B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020120026615
申请日：2012-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 결정질 실리콘 태양 전지는 제1 불순물이 도핑되며, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판, 상기 결정질 실리콘 기판 상에 배치되며, 상기 제1 불순물에 대응되는 제2 불순물이 도핑된 결정질 실리콘층, 상기 결정질 실리콘층의 상부에 배치되며, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물, 상기 결정질 실리콘 기판의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2 영역들에 걸쳐 형성된 후면 전계 효과층 및 상기 후면 전계 효과층의 아래에 배치되며, 상기 후면 전계 효과층과 전기적으로 연결된 하부 전극 구조물을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR101144256B1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：KR1020100106998
申请日：2010-10-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a back side electrode of a solar battery is provided to improve photo-electricity conversion efficiency by forming a back surface field in the back side electrode total area and reducing back side recombination. CONSTITUTION: A back surface field(20) is formed in the back side electrode total area of a silicon wafer(50). The silicon wafer is single crystal or poly-crystal. A back side electrode layer(10) is formed in the whole of the base side of the back surface field. A surface reformed back side electrode layer(30) is formed in the whole of the base side of the back surface field. The surface reformed back side electrode layer is formed by injecting and evaporating a metal plasma ion to the back side electrode layer. An ion source of the metal plasma ion comprises at least one among Ag, Cu, and Au.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池的背面电极的方法，以通过在背面电极总面积中形成背面场并减少背面复合来提高光电转换效率。 构成：在硅晶片（50）的背面电极总面积上形成背面场（20）。 硅晶片是单晶或多晶体。 背面电极层（10）形成在背面场的整个基底侧。 在后表面场的整个基底侧形成有表面改性背面电极层（30）。 表面改性背面电极层通过将金属等离子体离子注入并蒸发到后侧电极层而形成。 金属等离子体离子的离子源包括Ag，Cu和Au中的至少一种。
-
公开(公告)号：KR101115195B1
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020090104607
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 비정질/결정질 실리콘 간의 계면 결함을 줄일 수 있으며, PN 다이오드 특성향상을 통해 태양전지의 충진율의 증가 및 향상된 효율을 보여줄 수 있는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공하되, 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상에 제2 타입 비정질 실리콘층이 형성되어 있고, 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에는 투명 전도막과 상부전극이 형성되어 있으며, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하면에는 하부전극이 형성되어 있는 구조를 가지고 있는 실리콘 이종접합 태양전지에 있어서, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판과 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 사이의 계면 또는 상기 제2 타입 비정질 실리콘층과 상기 투명 전도막 사이의 계면에 패시베이션층을 형성하되, 상기 패시베이션층은 초순수 또는 HNO
3 용액을 이용한 산화공정으로 형성하는 기술을 제공하는 발명에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR101076545B1
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020090104606
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른실리콘이종접합태양전지제조방법은제1타입반도체물질이포함된제1타입결정질실리콘기판의전면에상기제1타입반도체물질과 P-N 접합구조를형성하는제2타입반도체물질이포함된제2타입비정질실리콘막을형성하는단계; 상기제2타입비정질실리콘막의전면에, TiO를도포한후 200~300℃의온도에서급속열처리(Rapid Thermal Anneal)하여제1 확산방지막을형성하는단계; 상기제1 확산방지막의전면에제1 투명전도성산화막을형성하는단계; 및상기제2타입비정질실리콘막에전기적으로연결되는전면전극과상기제1타입결정질실리콘기판에전기적으로연결되는배면전극을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.022 seconds)
