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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101814111B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020110088323
申请日：2011-09-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명에서는리본스트링법으로실리콘웨이퍼를제조하는방법에있어서, 도가니에벌크(bulk) 상태의실리콘이용융된융액을공급하는단계; 상기도가니에스트링을통과시키고, 스트링사이에단결정실리콘시드층을용융된실리콘과접촉시키는단계; 상기스트링을끌어올려이동시켜스트링사이에리본결정을형성하는단계; 및상기형성된리본결정에서스트링을제거하는단계;를포함하는대면적의단결정실리콘웨이퍼제조방법이제공된다.
Abstract translation: 在本发明中，该方法包括在本体（本体）在用于制造硅晶片作为串带的制造方法的方法中，坩埚中的硅熔融液的熔融状态的供应; 将绳穿过坩埚并使单晶硅籽晶层与绳之间的熔融硅接触; 将琴弦向上拉，在弦之间形成带状晶体; 本发明还提供了一种制造具有大面积的单晶硅晶片的方法。
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公开(公告)号：KR1020160117770A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045138
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: PN 접합을이루는기판상에형성되는이중막패시베이션구조물은상기기판상에형성되며, 상기기판과의계면결함을억제하는진성비정질실리콘물질로이루어진제1 패시베이션박막및 상기제1 패시베이션박막상에형성되며, 캐리어의재결합을억제하는제2 배시베이션박막을포함한다. 이로써계면트랩밀도가감소되며, 고정전하효과가개선될수 있다.
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公开(公告)号：KR101356849B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020120026615
申请日：2012-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 결정질 실리콘 태양 전지는 제1 불순물이 도핑되며, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판, 상기 결정질 실리콘 기판 상에 배치되며, 상기 제1 불순물에 대응되는 제2 불순물이 도핑된 결정질 실리콘층, 상기 결정질 실리콘층의 상부에 배치되며, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물, 상기 결정질 실리콘 기판의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2 영역들에 걸쳐 형성된 후면 전계 효과층 및 상기 후면 전계 효과층의 아래에 배치되며, 상기 후면 전계 효과층과 전기적으로 연결된 하부 전극 구조물을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130025046A
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110088323
申请日：2011-09-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02P70/521 , C30B15/34 , C30B15/08 , C30B15/14 , C30B15/36 , C30B35/00 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a single crystal silicon wafer of a large area is provided to reduce manufacturing costs by not performing a cutting process after a ribbon crystal is grown. CONSTITUTION: Bulk type silicon melt is supplies to a crucible. A string(15) passes through the crucible. A single crystal silicon seed layer(17) is contacted with the silicon melt between the strings. A ribbon crystal is formed between the strings by moving the string. The string is removed from the ribbon crystal.
Abstract translation: 目的：提供大面积制造单晶硅晶片的方法，以便在生长带状晶体之后不进行切割处理来降低制造成本。 构成：散装型硅熔体供应到坩埚。 弦（15）穿过坩埚。 单晶硅种子层（17）与串之间的硅熔体接触。 通过移动弦线，在弦之间形成带状晶体。 将串从带状晶体中取出。
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公开(公告)号：KR1020130104776A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026615
申请日：2012-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A crystalline silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a photocurrent loss due to the recombination of electrons and holes by forming a bottom electrode structure using the mixed paste of Al and Ag. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate (110) is divided into first regions (101) and a second region (106) which is formed between the first regions. A crystalline silicon layer (120) is arranged on the crystalline silicon substrate. A top electrode structure (150) is electrically connected to the crystalline silicon layer. A rear field effect layer (140) is formed on the first and second regions. A bottom electrode structure (130) is electrically connected to the rear field effect layer.
Abstract translation: 目的：提供一种晶体硅太阳能电池及其制造方法，以通过使用Al和Ag的混合浆料形成底部电极结构来减少由于电子和空穴的复合导致的光电流损失。 结构：晶体硅衬底（110）被分成形成在第一区域之间的第一区域（101）和第二区域（106）。 在晶体硅衬底上设置结晶硅层（120）。 顶部电极结构（150）电连接到晶体硅层。 在第一和第二区域上形成后场效应层（140）。 底部电极结构（130）电连接到后场效应层。
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