公开(公告)号：WO2015194782A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/KR2015/005746

申请日：2015-06-09

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본 발명은 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 바람직하게는 기판을 마련하는 단계: 상기 기판의 상면에 절연층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 절연층의 상면에 제1 반도체층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 반도체층의 상면 일부를 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 전극과 소정거리 이격된 상기 제1 반도체층의 상면을 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층의 상면에 제2 반도체층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 제2 반도체층의 상면에 전류확산층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 전류확산층에 전압을 인가하여, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이에 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 전압을 인가하여, 상기 채널층과 제2 전극의 계면 사이에서 빛을 방출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体场致发光元件及其制造方法，所述制造方法更优选包括以下工序：准备基板; 通过将其层叠在基板的上表面上而形成绝缘层; 通过在绝缘层的上表面上层叠第一半导体层而形成第一半导体层; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，蚀刻第一半导体层的与上述第一电极隔开预定距离的上表面，以及在蚀刻后的第一半导体层的上表面上形成第二电极 半导体层; 通过在第一半导体层上层叠第二半导体层而形成第二半导体层; 通过在第二半导体层的上表面上层叠电流扩散层; 通过向所述电流扩散层施加电力，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成沟道层; 以及通过向所述第一电极和所述第二电极中的每一个施加电力，从所述沟道层和所述第二电极之间的界面发射光。

公开(公告)号：KR101693590B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020140072815

申请日：2014-06-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본발명은간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법에관한것으로서, 보다바람직하게는기판을마련하는단계: 상기기판의상면에절연층을적층하여형성하는단계; 상기절연층의상면에제1 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 반도체층의상면일부를식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극및 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 전극과소정거리이격된상기제1 반도체층의상면을식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제2 전극을형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에제2 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제2 반도체층의상면에전류확산층을적층하여형성하는단계; 상기전류확산층에전압을인가하여, 상기제2 반도체층과상기제1 반도체층사이에채널층을형성하는단계; 및상기제1 전극및 제2 전극에각각전압을인가하여, 상기채널층과제2 전극의계면사이에서빛을방출하는단계;를포함하고, 상기제1 반도체층은 Si, Ge, SiC, AlP, GaP 및 PbTe 중적어도하나로구성되고, 상기제2 반도체층은산화물로구성되는것을특징으로한다. 이러한구성에의해, 본발명의간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법은전기적방식을이용하여고농도채널층을형성하여보다많은방사성재결합이되도록함으로써, 간접밴드갭반도체전기발광소자의발광효율을향상시킬수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体场致发光元件及其制造方法，所述制造方法更优选包括以下工序：准备基板; 通过将其层叠在基板的上表面上而形成绝缘层; 通过在绝缘层的上表面上层叠第一半导体层而形成第一半导体层; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，蚀刻第一半导体层的与上述第一电极隔开预定距离的上表面，以及在蚀刻后的第一半导体层的上表面上形成第二电极 半导体层; 通过在第一半导体层上层叠第二半导体层而形成第二半导体层; 通过在第二半导体层的上表面上层叠电流扩散层; 通过向所述电流扩散层施加电力，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成沟道层; 以及通过向所述第一电极和所述第二电极中的每一个施加电力，从所述沟道层和所述第二电极之间的界面发射光。

公开(公告)号：KR1020160128692A

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：KR1020150060437

申请日：2015-04-29

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김민석 ,  김정규 ,  민현기 ,  이병주

IPC: B09C1/08 ,  B09C1/00

Abstract: 본발명은철과인을사용한비소오염토양의복원방법에관한것이다. 본발명의비소오염토양의복원방법은철을이용하여토양내 비소를안정화시키고식물초기뿌리활착에중요한인을이용하여식생의재도입을촉진함으로써, 인공적으로조성한오염토양을대상으로한 연구실의실험규모에서가아닌실제비소오염토양에대해진정한의미로토양복원을달성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150144117A

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：KR1020140072815

申请日：2014-06-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본발명은간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법에관한것으로서, 보다바람직하게는기판을마련하는단계: 상기기판의상면에절연층을적층하여형성하는단계; 상기절연층의상면에제1 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 반도체층의상면일부를식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극및 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 전극과소정거리이격된상기제1 반도체층의상면을식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제2 전극을형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에제2 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제2 반도체층의상면에전류확산층을적층하여형성하는단계; 상기전류확산층에전압을인가하여, 상기제2 반도체층과상기제1 반도체층사이에채널층을형성하는단계; 및상기제1 전극및 제2 전극에각각전압을인가하여, 상기채널층과제2 전극의계면사이에서빛을방출하는단계;를포함하는것을특징으로한다. 이러한구성에의해, 본발명의간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법은전기적방식을이용하여고농도채널층을형성하여보다많은방사성재결합이되도록함으로써, 간접밴드갭반도체전기발광소자의발광효율을향상시킬수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体电发光器件及其制造方法。 该方法包括：准备衬底的步骤; 在所述基板的上表面上层叠形成绝缘层的工序; 在所述绝缘层的上表面上层叠形成第一半导体层的工序; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分的步骤，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，在第一半导体层的上表面上蚀刻预定距离的第一电极的步骤，以及在第一半导体层的上部形成第二电极 第一半导体层的表面; 在第一半导体层的上表面上层叠形成第二半导体层的工序; 在所述第二半导体层的上表面上层叠形成电流扩散层的工序; 通过向所述电流扩散层施加电压而在所述第一和第二半导体层之间形成沟道层的步骤; 以及通过向第一和第二电极施加电压而在第二电极和沟道层的界面之间发射光的步骤。 根据形成，间接带隙半导体电发光器件及其制造方法能够通过使用电气方法形成高浓度沟道层来提高间接带隙半导体电发光器件的发光效率 放射性重组。

公开(公告)号：KR1020170014850A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150108816

申请日：2015-07-31

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김민석 ,  김정규 ,  신정임 ,  민현기 ,  이병주

IPC: C05F11/00

Abstract: 본발명은가시박분쇄물을포함하는비료조성물또는상기비료조성물의제조방법에관한것이다. 본발명의비료조성물은우수한질소화학비료대체제로서토양무기태질소의함량및 작물의생산성을증가시키는특성을가진다. 또한, 본발명의비료조성물은생태계교란식물인가시박을바이오매스로서활용하는방안을제시한점에서친환경적이다.

公开(公告)号：KR1020090028324A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020070093827

申请日：2007-09-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김정규 ,  김대연 ,  이윤정 ,  구남인 ,  손경호 ,  이종근

IPC: A01H1/06 ,  A01H1/00

CPC classification number: A01H17/00 ,  A01G18/10 ,  A01G22/00 ,  B09C1/105 ,  Y10S47/905

Abstract: Oenothera odorata with improved arsenic resistanc, a cultivation method thereof and a oil composition for cultivating the Oenothera odorata are provided to reduce the arsenic toxicity of Oenothera odorata, and to overcome the lack of phosphorus and the rsenic toxicity of the soil polluted by abandoned mine tailing. Oenothera odorata improves arsenic resistance by being inoculated arbuscular mycorrhizae. the inoculated arbuscular mycorrhizae is glomus mosseae. a cultivation method of oenothera odorata comprises the steps of: subculturing arbuscular mycorrhizae and the host plant for cultivating arbuscular mycorrhizae, in a soil culture medium; preparing for culture bed soil including the root from which arbuscular mycorrhizae is infected by cutting the ground part the host plant for cultivating arbuscular mycorrhizae; and cultivating Oenothera odorata by sowing seeds of Oenothera odorata in the culture bed soil.

Abstract translation: 提供了具有改善的耐砷性的其他种子，其培养方法和用于培育欧烯酮气味的油组合物，以减少欧氏气单胞菌的砷毒性，并克服缺乏磷和被废弃矿尾矿污染的土壤的毒性 。 通过接种丛枝菌根来提高耐药性。 接种的丛枝菌根是鼠疫球菌。 一种培养方法包括以下步骤：在土壤培养基中传代培养菌根菌根和栽培丛枝菌根的宿主植物; 准备文化床土壤，包括通过切割宿主植物培养丛枝菌根的地面部分丛枝菌根感染的根; 并通过在培养床土壤中播种Oenothera odorata的种子培育乙烯气味。