公开(公告)号：KR102235755B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020190082104A

申请日：2019-07-08

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김승환

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76838 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/8083

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자는 기본 소자, 상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 중간층 및 상기 기본 소자에 대향하는 방향에서 상기 중간층에 형성되는 금속층을 포함할 수 있으며, 중간층 내부에는 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 전도성 필라멘트가 생성될 수 있다.

公开(公告)号：WO2021006526A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：PCT/KR2020/008531

申请日：2020-06-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김승환

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자는 기본 소자, 상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 중간층 및 상기 기본 소자에 대향하는 방향에서 상기 중간층에 형성되는 금속층을 포함할 수 있으며, 중간층 내부에는 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 전도성 필라멘트가 생성될 수 있다.

公开(公告)号：WO2016137123A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/KR2016/000700

申请日：2016-01-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  최리노

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: 본 발명은 소스 또는 드레인이 형성되는 반도체 소자에 관한 것으로, 반도체층, 반도체 소자의 소스 또는 드레인을 형성하는 금속층, 및 상기 금속층과 상기 반도체층 사이에 형성되는 유전층을 포함함으로써, 저온 공정만으로 낮은 컨택 저항을 구현하는 반도체 소자를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及其中形成源极或漏极的半导体器件，并且可以提供一种半导体器件，其包括半导体层，形成半导体器件的源极或漏极的金属层和形成的介电层 在金属层和半导体层之间。 因此，半导体器件只能通过低温工艺实现低接触电阻。

公开(公告)号：WO2015194782A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/KR2015/005746

申请日：2015-06-09

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본 발명은 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 바람직하게는 기판을 마련하는 단계: 상기 기판의 상면에 절연층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 절연층의 상면에 제1 반도체층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 반도체층의 상면 일부를 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 전극과 소정거리 이격된 상기 제1 반도체층의 상면을 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층의 상면에 제2 반도체층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 제2 반도체층의 상면에 전류확산층을 적층하여 형성하는 단계; 상기 전류확산층에 전압을 인가하여, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이에 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 전압을 인가하여, 상기 채널층과 제2 전극의 계면 사이에서 빛을 방출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体场致发光元件及其制造方法，所述制造方法更优选包括以下工序：准备基板; 通过将其层叠在基板的上表面上而形成绝缘层; 通过在绝缘层的上表面上层叠第一半导体层而形成第一半导体层; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，蚀刻第一半导体层的与上述第一电极隔开预定距离的上表面，以及在蚀刻后的第一半导体层的上表面上形成第二电极 半导体层; 通过在第一半导体层上层叠第二半导体层而形成第二半导体层; 通过在第二半导体层的上表面上层叠电流扩散层; 通过向所述电流扩散层施加电力，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成沟道层; 以及通过向所述第一电极和所述第二电极中的每一个施加电力，从所述沟道层和所述第二电极之间的界面发射光。

公开(公告)号：KR101794714B1

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：KR1020160032842

申请日：2016-03-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김선우 ,  김승환 ,  최리노

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417

Abstract: 본발명의제1 실시예에따른반도체소자는, 채널영역, 고농도로도핑된 소스영역및 드레인영역을포함한반도체기판; 상기반도체기판의채널영역상에형성된게이트구조체; 상기반도체기판상의소스영역및 드레인영역에형성된제1 중간층; 상기제1 중간층상에형성된제2 중간층; 및상기제2 중간층상에금속물질로형성된소스전극및 드레인전극을포함한다. 본발명은접촉저항감소를위한반도체표면공정기술로써금속과반도체사이에고 유전율의산화물을이중중간층으로형성하여반도체표면에서의접촉저항을감소할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170125148A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：KR1020160054551

申请日：2016-05-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  인하대학교 산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  최리노 ,  최창환 ,  김승환

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/265 ,  H01L27/108

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자의 3차원적층구조형성방법은제1웨이퍼상에실리콘층(Si층)을적층하는방식으로제조되는 3차원적층구조형성방법으로서, 제2웨이퍼에집적회로를형성하기위한공정중 적어도일부공정을수행하는단계, 상기제2웨이퍼상에글라스기판을본딩하는단계, 상기제2웨이퍼에서상기글라스기판과결합되어있고, 집적회로를형성하기위한공정의적어도일부공정이수행된상기실리콘층을분리하는단계, 상기실리콘층을상기제1웨이퍼에전사하는단계를포함한다.

Abstract translation: 一种三维层状结构形成根据本发明的一个实施例的半导体器件是三维层叠结构形成方法以这样的方式作出一个第一晶片上层压的硅层（Si层），该集成电路到第二晶片 用于形成与第二晶片上的玻璃基板结合的集成电路的工艺的至少一部分包括以下步骤： 分离所执行的硅层，并将硅层转移到第一晶片。

公开(公告)号：KR101784489B1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020160046062

申请日：2016-04-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  인하대학교 산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  최리노 ,  최창환 ,  김승환

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명의다층구조를갖는반도체소자는, 수용웨이퍼상에형성되고수직으로이격된복수의채널층으로구성된게이트영역; 상기게이트영역의양측에각각형성되어상기채널층들과연결된소스/드레인영역들; 상기소스/드레인영역의각 층과층 사이에형성된선택적식각층을포함하는점에그 특징이있다. 본발명은게이트올 어라운드형반도체소자의다층구조를형성하는데 있어서공정과정을단순화하여시간및 비용을줄일수 있다.

Abstract translation: 本发明的具有多层结构的半导体器件包括：形成在接收晶片上并由多个垂直隔开的沟道层组成的栅极区; 形成在栅极区两侧并连接到沟道层的源极/漏极区; 并且在各个层与源极/漏极区域之间形成可选的蚀刻层。 本发明简化了形成栅极 - 圆形半导体器件的多层结构的过程，从而减少了时间和成本。

公开(公告)号：KR102235755B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020190082104

申请日：2019-07-08

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김승환

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808

Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 반도체소자는기본소자, 상기기본소자의적어도일 방향에형성되는중간층및 상기기본소자에대향하는방향에서상기중간층에형성되는금속층을포함할수 있으며, 중간층내부에는중간층에대한전압의인가에따라서전도성필라멘트가생성될수 있다.

公开(公告)号：KR101693590B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020140072815

申请日：2014-06-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본발명은간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법에관한것으로서, 보다바람직하게는기판을마련하는단계: 상기기판의상면에절연층을적층하여형성하는단계; 상기절연층의상면에제1 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 반도체층의상면일부를식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극및 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 전극과소정거리이격된상기제1 반도체층의상면을식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제2 전극을형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에제2 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제2 반도체층의상면에전류확산층을적층하여형성하는단계; 상기전류확산층에전압을인가하여, 상기제2 반도체층과상기제1 반도체층사이에채널층을형성하는단계; 및상기제1 전극및 제2 전극에각각전압을인가하여, 상기채널층과제2 전극의계면사이에서빛을방출하는단계;를포함하고, 상기제1 반도체층은 Si, Ge, SiC, AlP, GaP 및 PbTe 중적어도하나로구성되고, 상기제2 반도체층은산화물로구성되는것을특징으로한다. 이러한구성에의해, 본발명의간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법은전기적방식을이용하여고농도채널층을형성하여보다많은방사성재결합이되도록함으로써, 간접밴드갭반도체전기발광소자의발광효율을향상시킬수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体场致发光元件及其制造方法，所述制造方法更优选包括以下工序：准备基板; 通过将其层叠在基板的上表面上而形成绝缘层; 通过在绝缘层的上表面上层叠第一半导体层而形成第一半导体层; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，蚀刻第一半导体层的与上述第一电极隔开预定距离的上表面，以及在蚀刻后的第一半导体层的上表面上形成第二电极 半导体层; 通过在第一半导体层上层叠第二半导体层而形成第二半导体层; 通过在第二半导体层的上表面上层叠电流扩散层; 通过向所述电流扩散层施加电力，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成沟道层; 以及通过向所述第一电极和所述第二电极中的每一个施加电力，从所述沟道层和所述第二电极之间的界面发射光。

公开(公告)号：KR1020150144117A

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：KR1020140072815

申请日：2014-06-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김광식 ,  김승환 ,  김정규

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14

Abstract: 본발명은간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법에관한것으로서, 보다바람직하게는기판을마련하는단계: 상기기판의상면에절연층을적층하여형성하는단계; 상기절연층의상면에제1 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 반도체층의상면일부를식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극및 상기제1 반도체층의상면에포토레지스트를현상하여상기제1 전극과소정거리이격된상기제1 반도체층의상면을식각하고, 식각된상기제1 반도체층의상면에제2 전극을형성하는단계; 상기제1 반도체층의상면에제2 반도체층을적층하여형성하는단계; 상기제2 반도체층의상면에전류확산층을적층하여형성하는단계; 상기전류확산층에전압을인가하여, 상기제2 반도체층과상기제1 반도체층사이에채널층을형성하는단계; 및상기제1 전극및 제2 전극에각각전압을인가하여, 상기채널층과제2 전극의계면사이에서빛을방출하는단계;를포함하는것을특징으로한다. 이러한구성에의해, 본발명의간접밴드갭반도체전기발광소자및 이의제조방법은전기적방식을이용하여고농도채널층을형성하여보다많은방사성재결합이되도록함으로써, 간접밴드갭반도체전기발광소자의발광효율을향상시킬수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种间接带隙半导体电发光器件及其制造方法。 该方法包括：准备衬底的步骤; 在所述基板的上表面上层叠形成绝缘层的工序; 在所述绝缘层的上表面上层叠形成第一半导体层的工序; 通过在第一半导体层的上表面上显影光致抗蚀剂蚀刻第一半导体层的上表面的一部分的步骤，以及在第一半导体层的蚀刻的上表面上形成第一电极; 通过在第一半导体层和第一电极的上表面上显影光致抗蚀剂，在第一半导体层的上表面上蚀刻预定距离的第一电极的步骤，以及在第一半导体层的上部形成第二电极 第一半导体层的表面; 在第一半导体层的上表面上层叠形成第二半导体层的工序; 在所述第二半导体层的上表面上层叠形成电流扩散层的工序; 通过向所述电流扩散层施加电压而在所述第一和第二半导体层之间形成沟道层的步骤; 以及通过向第一和第二电极施加电压而在第二电极和沟道层的界面之间发射光的步骤。 根据形成，间接带隙半导体电发光器件及其制造方法能够通过使用电气方法形成高浓度沟道层来提高间接带隙半导体电发光器件的发光效率 放射性重组。