公开(公告)号：KR1020060052455A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.

公开(公告)号：KR100735936B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.