公开(公告)号：KR102239203B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020150184169A

申请日：2015-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카히로 시오자와 ,  겐이치 우에다

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6835

Abstract: 본 발명은 간이한 구성의 장치에 의해, 표면에 패턴이 형성된 기판에의 도포막의 형성과, 당해 도포막의 표면 제거를 기판의 면 내에서 균일성 높게 행하는 것이다. 표면에 패턴이 형성된 기판에 도포액을 도포해서 도포막을 형성하는 도포 공정과, 도포막의 성분을 기화시켜 막 두께를 작게 하기 위해, 기판을 가열하는 막 제거 공정과, 상기 막 제거 공정과 함께 또는 상기 막 제거 공정 후에, 가교 반응에 의해 당해 도포막을 경화시키기 위해 기판을 가열하는 막 경화 공정을 구비하고, 상기 막 경화된 도포막의 평균 막 두께가, 상기 막 제거 공정 전의 도포막의 평균 막 두께의 80％ 이하가 되도록 상기 막 제거 공정이 행해지도록 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR102237508B1

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020140073526A

申请日：2014-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요스케 하치야 ,  히사시 가와노 ,  미츠노리 나카모리 ,  준 노나카 ,  쇼고 미조타 ,  다츠야 나가마츠 ,  다이스케 사이키 ,  가즈히로 데라오카 ,  다카시 야부타

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

Abstract: 소수화 처리된 기판의 표면을 제전하는 것이 가능한 액 처리 방법 등을 제공한다.
액 처리가 행해진 회전하는 기판(W)의 표면에 소수화액을 공급하여, 상기 기판의 표면을 소수화하고, 이 소수화된 기판(W)의 표면에, 알칼리성의 린스액을 공급하여 린스 세정을 행함으로써, 액 처리에 따라 대전한 기판(W)의 제전을 행한다.

公开(公告)号：KR20210035124A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020210035110A

申请日：2021-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유키요시 사이토 ,  토모히로 카네코

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67718 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67781

Abstract: 단위 시간당 반송 매수의 증가를 도모하는 것이다. 제 1 반송 장치는 카세트로부터 기판을 취출하여 반송한다. 제 1 수용부는 제 1 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용한다. 제 1 기판 처리 유닛은, 높이 방향으로 배열되는 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어지고, 기판에 대하여 소정의 처리를 행한다. 제 2 수용부는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 제 2 반송 장치는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 동일 그룹에 대응하는 제 2 수용부로부터 기판을 취출하여 동일 그룹의 제 1 기판 처리 유닛으로 반송한다. 제 2 기판 처리 유닛은 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부 및 제 2 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 이전 장치는, 기판을 제 1 수용부와 제 2 수용부의 사이에서 이전하고 또한 기판을 제 1 수용부와 제 2 기판 처리 유닛의 사이에서 반송한다.

公开(公告)号：KR20210035074A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025975A

申请日：2019-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠히로 이와노 ,  마사노리 호소야

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 따른 에칭 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에서 플루오르 카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 기판 상에 플루오르 카본을 포함하는 퇴적물이 형성된다. 기판은 실리콘 함유 재료로 형성된 제 1 영역 및 금속 함유 재료로 형성된 제 2 영역을 가진다. 이어서, 챔버 내에서 희가스의 플라즈마가 생성되고, 기판에 희가스 이온이 공급된다. 그 결과, 퇴적물 중의 플루오르 카본에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 희가스의 플라즈마가 생성될 시에는, 전자석에 의해, 기판의 중심 상에서의 수평 성분보다 큰 수평 성분을 기판의 엣지측 상에서 가지는 자장의 분포가 형성된다.

公开(公告)号：KR102233755B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020197018956A

申请日：2017-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다이키 가토우 ,  슈지 아즈모 ,  유사쿠 가시와기

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02315 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 피처리체에 SiC막을 ALD법에 의해 형성하는 성막 방법은, 활성화 가스를 플라스마화한 활성화 가스 플라스마에 의해, 피처리체의 표면을 활성화시키는 활성화 공정과, 당해 활성화 공정에 의해 표면이 활성화된 피처리체에, 화학식 RSiX
1
3 또는 RSiHClX
2 로 표현되는 전구체를 포함하는 원료 가스를 공급해서 SiC막을 형성하는 막 형성 공정을 포함하고, R은 불포화 결합을 갖는 유기기이며, X
1 은 H, F, Cl, Br 및 I에서 선택되어 것이고, X
2 는 Cl, Br 및 I에서 선택되는 것이다.

公开(公告)号：KR20210032904A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020200112679A

申请日：2020-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고키 치노 ,  사토시 야마다 ,  요시미츠 곤

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/334

Abstract: 개시되는 방법에서는, 그 위에 마스크가 마련된 기판의 실리콘 산화막이 에칭된다. 이 방법은, 플루오로카본 가스, 불소를 함유하지 않고 탄소를 함유하는 가스, 및 산소 함유 가스를 포함하는 제1 처리 가스로 형성되는 제1 플라즈마를 이용하여 기판에 대하여 제1 플라즈마 처리를 실행하는 공정을 포함한다. 이 방법은, 플루오로카본 가스를 포함하는 제2 처리 가스로 형성되는 제2 플라즈마를 이용하여 기판에 제2 플라즈마 처리를 실행하는 공정을 더 포함한다. 제1 플라즈마 처리의 실행 중의 기판의 온도는, 제2 플라즈마 처리의 실행 중의 기판의 온도보다 낮다.

公开(公告)号：KR102232129B1

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020170117091A

申请日：2017-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유지 사사키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67763 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772

Abstract: 본 발명은 기판 보관기 내의 산소 농도를 적절히 관리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판을 노출시켜 반송하는 기판 반송 영역과,
상기 기판을 기판 보관기 내에 유지하여 반송하는 기판 보관기 반송 영역과,
상기 기판 보관기 반송 영역 내에서 상기 기판 보관기를 보관하는 기판 보관기 보관 선반과,
상기 기판 보관기 보관 선반의 상기 기판 보관기에 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지 가스 공급 수단과,
상기 기판 보관기에 공급된 상기 퍼지 가스의 적산 유량을 취득하는 적산 유량 취득 수단과,
이송 배치부와,
상기 이송 배치부에 배치된 상기 기판 보관기에 퍼지 가스를 공급하는 제2 퍼지 가스 공급 수단과,
상기 기판 보관기를 개방하여, 상기 기판을 상기 기판 반송 영역 내로 이송하는 기판 이송 수단과,
상기 퍼지 가스의 적산 유량에 기초하여 상기 기판 보관기 내부의 산소 농도를 산출하고, 상기 산소 농도가 임계값 이하인 경우에는, 상기 기판 이송 수단에 의해 상기 기판을 상기 기판 반송 영역으로 이송시키는 제어 수단을 갖는다.

公开(公告)号：KR20210031836A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020200115356A

申请日：2020-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다로 이케다 ,  아츠시 구보 ,  에이키 가마타 ,  노부히코 야마모토

IPC: H01J37/32 ,  H01Q1/26

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01L21/67288 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L22/34 ,  H01Q1/26 ,  H01J2237/3321

Abstract: 본 발명은, 기판의 이면에 국소적인 성막을 행한다.
처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 배치되어, 기판이 보유 지지되는 기판 보유 지지 기구와, 상기 기판 보유 지지 기구의 하방에 배치되는 유전체 창과, 상기 유전체 창의 하방에 배치되어, 복수의 전자파를 방사하는 페이즈드 어레이 안테나를 갖는 플라스마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR20210031827A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020200112494A

申请日：2020-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카유키 가츠누마 ,  마사노부 혼다 ,  유타 나카네 ,  신야 이시카와

IPC: H01L21/033 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: [과제] 유기막과 함께 제거하기 쉬운 보호막에 의해 유기막의 플라즈마 에칭에 의한 보우잉의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.
[해결수단] 하나의 예시적 실시형태에 있어서 에칭 방법이 제공된다. 에칭 방법은 유기막에 대한 플라즈마 에칭을 실행하는 공정(a)를 포함한다. 유기막 상에는 마스크가 마련되어 있다. 플라즈마 에칭에 의해 오목부가 유기막에 형성된다. 에칭 방법은, 오목부를 규정하는 유기막의 측벽면 상에 유기 보호막을 형성하는 공정(b)를 추가로 포함한다. 에칭 방법은, 공정(b) 후, 유기막에 대한 추가적인 플라즈마 에칭을 실행하는 공정(c)를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210031824A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020200112171A

申请日：2020-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쇼고 후쿠이 ,  포한 후앙

IPC: H01L21/02 ,  B08B7/00 ,  F26B5/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B7/0021 ,  F26B5/005 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 초임계 유체를 사용한 건조 처리 시의 기판에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 시스템을 제공한다. 기판 처리 장치의 세정 방법은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜서, 상기 기판을 건조시키는 건조 처리가 행하여지는 기판 처리 장치의 세정 방법이며, 상기 초임계 유체와, 극성 분자를 포함하고 상기 액체보다도 비점이 낮은 용매가 혼합된 제1 세정용 유체를 상기 기판 처리 장치의 내부에서 확산시키는 공정과, 상기 제1 세정용 유체의 확산 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부로부터 상기 제1 세정용 유체를 배출하는 공정을 갖는다.