公开(公告)号：KR101433068B1

公开(公告)日：2014-08-22

申请号：KR1020127024269

申请日：2011-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: H01L21/673 ,  B65D85/86 ,  G03F1/82

CPC classification number: H01L21/67359 ,  H01L21/67393 ,  Y10T137/86035

Abstract: 사용 환경에 따라, 수납된 기판에 이물이 부착되는 것을 효과적으로 방지한다. 기판 수납 장치(100) 내로 외기를 취입하는 급기부(110)와, 급기부에 대향하여 배치된 배기부(120)와, 급기부와 배기부의 사이에 설치되고, 이들 사이를 연통하는 연통홀(142)을 가지는 기판 재치판(140)과, 급기부에 설치된 급기 필터(112)와, 급기부 또는 배기부에 설치된 팬(122)을 구비하고, 기판 수납 장치(100) 내의 상태를 검출하는 상태 센서와, 파티클 대전 장치와, 온조 장치 중 어느 하나 또는 2 개 이상의 조합을 장착홀(150)에 착탈 가능하게 설치했다.

公开(公告)号：KR1020140101450A

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：KR1020147021676

申请日：2011-02-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B5/02 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67028

Abstract: 이물이 부착되고 저압의 분위기 중에 배치되는 기판을 향해 상기 저압의 분위기보다 고압의 가스를 분무해서 복수의 가스 분자로 이루어지는 클러스터를 형성하고, 해당 클러스터를 이온화하는 일 없이 상기 기판에 충돌시키는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법이 제공된다.

Abstract translation: 其中向在其上的异物附着它被设置在低压力的气氛中的衬底，其通过在高压喷射的气体比在低压气氛，以形成包含多个气体分子的簇，碰撞而不电离簇到衬底 提供了一种基板清洁方法。

公开(公告)号：KR1020130007577A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127024269

申请日：2011-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: H01L21/673 ,  B65D85/86 ,  G03F1/82

CPC classification number: H01L21/67359 ,  H01L21/67393 ,  Y10T137/86035

Abstract: 사용 환경에 따라, 수납된 기판에 이물이 부착되는 것을 효과적으로 방지한다. 기판 수납 장치(100) 내로 외기를 취입하는 급기부(110)와, 급기부에 대향하여 배치된 배기부(120)와, 급기부와 배기부의 사이에 설치되고, 이들 사이를 연통하는 연통홀(142)을 가지는 기판 재치판(140)과, 급기부에 설치된 급기 필터(112)와, 급기부 또는 배기부에 설치된 팬(122)을 구비하고, 기판 수납 장치(100) 내의 상태를 검출하는 상태 센서와, 파티클 대전 장치와, 온조 장치 중 어느 하나 또는 2 개 이상의 조합을 장착홀(150)에 착탈 가능하게 설치했다.

公开(公告)号：KR1020120024686A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117028659

申请日：2010-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  우메하라야스토시 ,  가타오카유키 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: A61K8/25 ,  A61K8/022 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61K8/27 ,  A61Q11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  C03C4/0007 ,  C03C4/0021 ,  C03C4/0035 ,  C03C12/00 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67288

Abstract: 장치에 발생하는 이상을 정밀도 좋게 검출하는 이상 검출 시스템을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)에 발생하는 이상을 검출하는 이상 검출 시스템(100)은, 이상의 발생에 기인하는 AE를 검출하는 복수의 초음파 센서(41)와, 초음파 센서(41)의 각 출력 신호를 각각 제1 신호와 제2 신호로 분배하는 분배기(65)와, 제1 신호를 예컨대 10 kHz로 샘플링하여, 정해진 특징을 검출했을 때에 트리거 신호를 발생시키는 트리거(52)와, 트리거 신호를 수신하여 트리거 발생 시각을 결정하는 트리거 발생 시각 카운터(54)와, 제2 신호를 예컨대 1 MHz로 샘플링한 샘플링 데이터를 작성하는 데이터 로거 보드(55)와, 샘플링 데이터 중 트리거 발생 시각 카운터(54)로부터 결정된 트리거 발생 시각을 기준으로 한 일정 기간에 상당하는 데이터의 파형 해석을 행함으로써 플라즈마 처리 장치(2)에 발생한 이상을 해석하는 PC(50)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110031095A

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：KR1020100086414

申请日：2010-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  마츠이히데후미 ,  시오야마사히로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  G01R31/26 ,  G06F3/06 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A method for determining whether to start a process in a substrate processing device and a recording medium are provided to accurately sense the change of the number of corpuscles by approximating the change of the number of the corpuscles remaining on the substrate processing device with an exponential function. CONSTITUTION: A chamber(11) receives a wafer. An exhaust system(14) exhausts a chamber. A seasoning process of a higher temperature and/or lowerer temperature atmosphere than a plasma etching process is repeated for a preset number of times. The number of particles flowing in a first exhaust line(15) of the exhaust system is measured. The change of the measured particles is measured according to the lapse of time. When the decrease of the number of the particles is changed, it is determined that a plasma etching process can begin.

Abstract translation: 目的：提供一种用于确定是否启动基板处理装置和记录介质中的处理的方法，以通过使基板处理装置中剩余的小粒数的变化近似来准确地感测小数的数量的变化， 指数函数。 构成：室（11）接收晶片。 排气系统（14）排气室。 比等离子体蚀刻工艺更高温度和/或更低温度气氛的调味过程重复预定次数。 测量在排气系统的第一排气管线（15）中流动的颗粒的数量。 测量的颗粒的变化根据时间的流逝来测量。 当颗粒数量的减少改变时，确定等离子体蚀刻工艺可以开始。

公开(公告)号：KR100910070B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020070085983

申请日：2007-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 협소 공간에 면하는 구성부품을 효율적으로 또한 충분히 세정할 수 있는 세정 장치를 제공한다. 세정 장치(100)는, 본체(120)와, 본체(120) 내부로부터 굴곡가능하게 연장된 이중관 노즐(110)을 갖는다. 이중관 노즐(110)은, 분출관(114)과, 상기 분출관(114)을 둘러싸는 흡인관(112)을 갖고, 분출관(114)의 분출구(114a)는 흡인관(112)의 흡인구(112a)내에서 개구된다. 분출관(114)은 그 분출구(114a) 근방에서 잘록부(114b)를 갖고, 공급된 소정의 가스를 상기 잘록부(114b)에서 가속한다. 그 결과, 상기 가스의 일부가 에어로졸화되고, 또한 상기 가스는 가속에 의해 충격파를 형성한다. 이로써, 분출관(114)은 가스 및 상기 가스와 동일한 물질로 이루어지는 에어로졸을 포함한 충격파를 구조물(50)의 표면에 부착된 파티클(P)을 향해서 분출한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种能够有效且充分地清洁面向狭窄空间的组成部件的清洁装置。 清洁装置100具有主体120和从主体120的内部可弯曲延伸的双管嘴110。 双管喷嘴110具有排出管114和围绕排出管114的吸入管112.排出管114的排出孔114a连接到吸入口112a ）它是公开的。 排出管114在出气口114a附近具有收缩部114b，并加速在收缩部114b中供给的预定气体。 结果，一部分气体被雾化，气体也通过加速形成冲击波。 因此，喷射管114将包括气体和由与气体相同的材料制成的气溶胶的冲击波朝向附着到结构50的表面的颗粒P喷射。

公开(公告)号：KR1020080087716A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：KR1020080027562

申请日：2008-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate process method are provided to control rapidly temperature of components of a process chamber by injecting a temperature-controlled gas. A substrate processing apparatus(10) includes a process chamber in which a substrate is loaded. The substrate processing apparatus processes the substrate by performing a plasma process using plasma. The substrate processing apparatus includes an injection unit for injecting a temperature-controlled gas toward at least a part of components of the process chamber facing the plasma. The injection unit includes a nozzle(39) for injecting the temperature-controlled gas. The injection unit includes a temperature measurement device(43) for measuring the temperature of the components of the process chamber.

Abstract translation: 提供基板处理装置和基板处理方法，通过注入温度控制气体来控制处理室的部件的快速温度。 衬底处理装置（10）包括其中装载衬底的处理室。 基板处理装置通过使用等离子体进行等离子体处理来处理基板。 基板处理装置包括用于朝面向等离子体的处理室的部件的至少一部分注入温度控制气体的注入单元。 注射单元包括用于喷射温度控制气体的喷嘴（39）。 注射单元包括用于测量处理室的部件的温度的温度测量装置（43）。

公开(公告)号：KR100810796B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020060024148

申请日：2006-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  히로오카다카아키 ,  시미즈아키타카 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

公开(公告)号：KR100762529B1

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020060019180

申请日：2006-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  무라카미다카히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 가스를 체류시키는 일 없이 챔버내에 공급할 수 있는 가스 공급 부재 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 가스 공급 부재인 가스도입 샤워헤드(32)는 가스 구멍(35)의 챔버 대향부측의 외연부에, 가스 구멍(35)의 중심축으로 관해 n회 회전 대칭성(n은 2 이상의 자연수)을 갖는 사면(201)을 갖는다. 사면(201)의 경사각은 전극판 공간 대향면(36S)에 대해 20° 이다. 또한, 가스 구멍(35)은 직경이 2㎜이며, 각각의 간격이 5㎜로 되도록 배치된다.

公开(公告)号：KR100735936B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.