公开(公告)号：KR1020120098440A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020120017367

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a titanium nitride film and a recording medium for recording a program are provided to prevent ammonium chloride from being generated as a by-product. CONSTITUTION: A reaction pipe(2) has a cylindrical shape. An exhaust unit(3) for discharging a gas inside the reaction pipe is installed on one side of the reaction pipe. The upper end of the exhaust unit is connected to an exhaust port(4). A lid(5) is installed on the bottom of the reaction pipe. The lid is formed of a material having excellent heat-resistant and corrosion-resistant properties such as quartz. A wafer boat(6) is installed on upper part the lid. [Reference numerals] (100) Controller

Abstract translation: 目的：提供用于形成氮化钛膜的方法和装置和用于记录程序的记录介质，以防止作为副产物产生氯化铵。 构成：反应管（2）具有圆筒形状。 用于排出反应管内的气体的排气单元（3）安装在反应管的一侧。 排气单元的上端连接到排气口（4）。 盖（5）安装在反应管的底部。 盖由具有优异的耐热和耐腐蚀性能的材料如石英形成。 晶片舟（6）安装在盖的上部。 （附图标记）（100）控制器

公开(公告)号：KR1020060004643A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020057000622

申请日：2004-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D3/0453 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/2995

Abstract: A method and an apparatus for processing an organosiloxane film is disclosed which enables to obtain an interlayer insulating film with a low dielectric constant by a thermal treatment at a low treatment temperature. A semiconductor wafer (10) onto which a coating film is applied is loaded into a reaction tube (2) of a thermal treatment apparatus (1). After stabilizing the inside of the reaction tube (2) at a certain pressure, hydrogen is introduced into an inner tube (3) through an acid gas-introducing tube (13) and the coating film is heated in an acidic atmosphere. Next, the temperature within the reaction tube (2) is raised to a certain point, and the coating film of the semiconductor wafer (10) is heated in an acidic atmosphere. Then, after exhausting the gas from the reaction tube (2), ammonia is introduced into the inner tube (3) through an alkaline gas-introducing tube (14) and the coating film is heated in an alkaline atmosphere.

Abstract translation: 公开了一种用于处理有机硅氧烷膜的方法和装置，其能够通过在低处理温度下的热处理获得具有低介电常数的层间绝缘膜。 将其上涂覆有涂膜的半导体晶片（10）装载到热处理装置（1）的反应管（2）中。 在一定压力下使反应管（2）的内部稳定后，通过酸性气体引入管（13）将氢气引入内管（3）中，并在酸性气氛中加热涂膜。 接下来，将反应管（2）内的温度升高到某一点，并且在酸性气氛中加热半导体晶片（10）的涂膜。 然后，在从反应管（2）排出气体后，通过碱性气体引入管（14）将氨引入内管（3）中，并在碱性气氛中加热涂膜。

公开(公告)号：KR101528289B1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：KR1020120017367

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

公开(公告)号：KR1020060004654A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020057016680

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C18/12 ,  C23C16/56 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: A surface modification method and a surface modification apparatus for interlayer insulating films are disclosed which enable to improve adhesion properties of an interlayer insulating film without changing the dielectric constant. An interlayer insulating film is formed on a semiconductor wafer (10) by firing a coating film. The surface of the interlayer insulating film is modified by heating the inside of a reaction tube (2), where the semiconductor wafer (10) is housed, to a certain temperature while supplying a gas with oxidizing activity into the reaction tube (2). The gas with oxidizing activity is ozone, water vapor, oxygen or a mixed gas of hydrogen and oxygen.

Abstract translation: 公开了一种用于层间绝缘膜的表面改性方法和表面改性装置，其能够改善层间绝缘膜的粘附性而不改变介电常数。 通过焙烧涂膜在半导体晶片（10）上形成层间绝缘膜。 通过将容纳半导体晶片（10）的反应管（2）的内部加热到一定温度，同时向反应管（2）供给具有氧化活性的气体，来改变层间绝缘膜的表面。 具有氧化活性的气体是臭氧，水蒸气，氧气或氢气和氧气的混合气体。

公开(公告)号：KR1020150035941A

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020150034195

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/318 ,  H01L2924/04941

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

Abstract translation: （主题）提供了形成氮化钛膜的方法，形成氮化钛膜的装置和用于记录程序的存储器。 （溶液）作为形成氮化钛膜的方法，首先，将通过加热器（7）容纳半导体晶片（W）的反应管的内部进行加热（2）加热到200℃〜350℃ 。 然后，在反应管中提供含有钛原料的薄膜沉积气体，以在半导体晶片（W）上产生氮化钛。 作为钛原料，使用除了氯原子以外的含有钛的甲基环戊二烯基（二甲基氨基）钛。

公开(公告)号：KR1020060004644A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020057000623

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D3/0453 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: A method for treating an organosiloxane coating film which has a first process of transporting a substrate (W) provided with a coating film of a chemical fluid based on a polysiloxane havng an organic functional group into a reaction chamber (2), and a second process of subjecting the substrate (W) to the heat treatment in the reaction chamber (2) to heat the coating film, wherein the second process comprises a temperature setting step of heating the inside of the reaction chamber (2) to a treatment temperature, and a supply step of supplying a heating gas to the reaction chamber (2) having the treatment temperature, while activating the heating gas in a gas activation section (14).

Abstract translation: 一种处理有机硅氧烷涂膜的方法，该方法具有将具有基于具有有机官能团的聚硅氧烷的化学流体的涂膜的基板（W）输送到反应室（2）的第一工序，以及第二工序 使所述基板（W）在所述反应室（2）中进行热处理以加热所述涂膜，其中所述第二工序包括将所述反应室（2）的内部加热至处理温度的温度设定步骤，以及 在气体活化部（14）中激活加热气体的情况下，向具有处理温度的反应室（2）供给加热气体的供给工序。

公开(公告)号：KR101577964B1

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：KR1020150034195

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

公开(公告)号：KR101059253B1

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020057000622

申请日：2004-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D3/0453 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/2995

Abstract: 유기실록산막을 처리하는 방법은, 유기 관능기를 갖는 폴리실록산계의 약액의 도포막이 배치된 기판(W)을 반응실(2) 내로 반입하는 공정과, 반응실(2) 내에서 기판(W)에 대해 열처리를 행하여 도포막을 소성하는 공정을 포함한다. 열처리는 반응실(2) 내를 제1 ph 또는 제1 처리 온도의 분위기로 설정하면서 도포막을 가열하는 제1 가열 공정과, 다음에 반응실(2) 내를 제2 ph 또는 제2 처리 온도의 분위기로 설정하면서 도포막을 가열하는 제2 가열 공정을 포함한다. 제1 ph는 도포막의 가수 분해 반응을 촉진하도록 선택된다. 제2 ph는 도포막의 축합 반응을 촉진하도록 선택된다.
반응실, 기판, 외관, 내관, 매니폴드, 반도체 웨이퍼, 열처리 장치

Abstract translation: 用于处理有机硅氧烷膜的方法是，相对于在反应室（2），以使所述基板的所述工序中的基板（W）（W）的涂膜设置在聚硅氧烷类的具有有机官能团引入反应室中的化学液体（2） 以及通过进行热处理来烘烤涂膜的步骤。 反应室2的在第一pH热处理或反应室中以所述第一加热步骤中，然后加热涂布膜，而在第一工艺温度（2）的气氛中，第二pH值或第二工艺温度范围内设定 以及在设定气氛的同时加热涂膜的第二加热步骤。 选择第一个pH值以促进涂膜的水解反应。 选择第二个pH值以促进涂膜的缩合反应。

公开(公告)号：KR101048949B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：KR1020057016680

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C18/12 ,  C23C16/56 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 유전율을 유지하면서 밀착성을 향상시킬 수 있는 층간 절연막 표면 개질 방법 및 표면 개질 장치를 제공하는 것이다.
반도체 웨이퍼(10)에는 층간 절연막이 도포막을 소성함으로써 이루어지고 있다. 반도체 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에, 상기 반응관(2) 내에 산화 활성 가스를 공급함으로써, 층간 절연막의 표면을 개질한다. 상기 산화 활성 가스는 오존, 증기, 산소, 수소 및 산소의 혼합 가스 중 어느 하나이다.
반도체 웨이퍼, 반응관, 내관, 외관, 매니폴드, 승온용 히터, 덮개

公开(公告)号：KR101003934B1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：KR1020057000623

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야싱고

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D3/0453 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 유기실록산막을 처리하는 방법은, 유기 관능기를 갖는 폴리실록산계의 약액의 도포막이 배치된 기판(W)을 반응실(2) 내로 반입하는 공정과, 반응실(2) 내에서 기판(W)에 대해 열처리를 행하여 도포막을 소성하는 공정을 포함한다. 열처리는, 반응실(2) 내를 가열하여 처리 온도로 설정하는 온도 설정 공정과, 처리 온도로 설정된 반응실(2) 내에, 반응실(2) 외에 배치된 가스 활성화부(14)로 소성용 가스를 활성화하면서 공급하는 공급 공정을 포함한다.
반응실, 가스 활성화부, 기판, 반도체 웨이퍼, 진공 펌프, 가스 도입관