-
公开(公告)号：KR101609182B1
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020130010761
申请日：2013-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L28/75 , H01L28/92
Abstract: (과제) 고유전율화및 저(低)리크전류화를양립시킬수 있는커패시터의제조방법및, 커패시터, 그리고, 그러한커패시터에이용되는유전체막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 기판상의하부전극층을형성하는공정과, 하부전극층위에계면컨트롤기능을갖는제1 TiO막을형성하는공정과, 제1 TiO막위에 ZrO계막을형성하는공정과, ZrO계막을형성한후, ZrO계막의 ZrO를결정화하기위한어닐을행하는공정과, ZrO계막 위에, 용량막으로서기능하는제2 TiO막을형성하는공정과, 제2 TiO막위에상부전극층을형성하는공정에의해커패시터를제조한다.
-
公开(公告)号：KR101528289B1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020120017367
申请日：2012-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/34 , C23C16/45542 , H01L21/28562
Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.
-
公开(公告)号：KR101451716B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020090056458
申请日：2009-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546
Abstract: (과제) 결정화하고 있고, 그리고 리크 전류도 작은 지르코니아계 막을 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 진공 유지 가능한 처리 용기 내에 피(被)처리체를 삽입하여, 처리 용기 내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 처리 용기 내에 지르코늄 원료와 산화제를 서로 번갈아 복수회 공급하여 기판상에 ZrO
2 막을 성막하는 공정과, 처리 용기 내에 실리콘 원료와 산화제를 서로 번갈아 1회 또는 복수회 공급하여 기판상에 SiO
2 막을 성막하는 공정을, 막 중의 Si 농도가 1∼4atm%가 되도록 공급 횟수를 조정하여 행하고, 이들 공급 횟수의 ZrO
2 막 성막과 SiO
2 막 성막을 1 사이클로 하여, 이 사이클을 1 이상 행하여 소정 막두께의 지르코니아계 막을 성막한다.
결정화, 성막, 지르코니아계 막-
公开(公告)号：KR1020150035941A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020150034195
申请日：2015-03-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/34 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/28088 , H01L21/318 , H01L2924/04941
Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.
Abstract translation: （主题）提供了形成氮化钛膜的方法，形成氮化钛膜的装置和用于记录程序的存储器。 （溶液）作为形成氮化钛膜的方法，首先，将通过加热器（7）容纳半导体晶片（W）的反应管的内部进行加热（2）加热到200℃〜350℃ 。 然后，在反应管中提供含有钛原料的薄膜沉积气体，以在半导体晶片（W）上产生氮化钛。 作为钛原料，使用除了氯原子以外的含有钛的甲基环戊二烯基（二甲基氨基）钛。
-
公开(公告)号：KR1020100087248A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：KR1020100003508
申请日：2010-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A vertical heat treating device for forming a high dielectric layer, components thereof and a heat-insulating cylinder are provided to reduce stress from the high dielectric layer accumulated on the surface by selecting materials with a linear thermal expansion coefficient close to the linear thermal expansion coefficient of the high dielectric layer. CONSTITUTION: A reaction container(2) stores a plurality of substrates which are laminated with a vertical space. A supporting member supports the processed substrate in the reaction container. A heater(3) heats the processed substrate in the reaction chamber. An exhaust system exhausts the reaction container. A gas supply system supplies metal source gas and oxide gas to the reaction container and includes a gas nozzle installed in the reaction container.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成高电介质层的垂直热处理装置，其部件和绝热筒，以通过选择线性热膨胀系数接近于线性热的材料来减少来自积聚在表面上的高介电层的应力 高介电层的膨胀系数。 构成：反应容器（2）存储层叠有垂直空间的多个基板。 支撑构件在反应容器中支撑经处理的基板。 加热器（3）加热反应室中的经处理的基板。 排气系统排出反应容器。 气体供给系统向反应容器提供金属源气体和氧化物气体，并且包括安装在反应容器中的气体喷嘴。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101577964B1
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020150034195
申请日：2015-03-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/34 , C23C16/45542 , H01L21/28562
Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.
-
公开(公告)号：KR1020100019952A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020090056458
申请日：2009-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546
Abstract: PURPOSE: Film forming method and apparatus are provided to suppress grain boundary leak in a state that keeps zirconia crystallization by depositing by depositing a zirconia type film including silicon of 1~4atm% and zirconia through an ALD method. CONSTITUTION: A processed article is inserted inside a treatment basin keeping a vacuum condition. The in-vacuum state of the treatment basin is maintained. The zirconium raw material and oxidizer are alternated inside the treatment basin and it is supplied multiple times. ZrO2 layer is formed on the upper of the substrate. A silicon material and oxidizer is supplied inside the treatment basin. The SiO2 protection substrate is formed on the upper part.
Abstract translation: 目的：通过ALD法沉积包含1〜4atm的硅和氧化锆的氧化锆型膜，通过沉积来保持氧化锆结晶的状态，提供成膜方法和装置来抑制晶界泄漏。 构成：将处理过的物品插入处理池内，保持真空状态。 处理池的真空状态得以维持。 锆原料和氧化剂在处理池内交替，并提供多次。 ZrO 2层形成在基板的上部。 在处理池内提供硅材料和氧化剂。 SiO2保护基板形成在上部。
-
公开(公告)号：KR101552856B1
公开(公告)日：2015-09-14
申请号：KR1020110047724
申请日：2011-05-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02159 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40
Abstract: (과제) 요철형상부위에도리크전류가작아고유전율의지르코니아계막을확실히성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것이다. (해결수단) 진공보지(保持) 가능한처리용기내에피(被)처리체를삽입하고, 처리용기내를진공으로보지한상태로하고, 처리용기내에지르코늄원료와산화제를이 순서로공급하여피처리체상에 ZrO막을형성하는제1 공정과, 상기처리용기내에지르코늄원료와실리콘원료와산화제를이 순서로공급하여피처리체상에 Si가도프된 ZrO막을형성하는제2 공정을, 각각의횟수를조정하여실시함으로써, 막중의 Si 농도를제어하면서소정막두께의지르코니아계막을성막한다.
-
公开(公告)号：KR1020130090808A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020130010761
申请日：2013-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L28/75 , H01L28/92
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor, the capacitor, and a method for forming a dielectric layer used for the capacitor are provided to suppress a leak current of a bottom electrode by forming a first TiO2 layer. CONSTITUTION: A bottom electrode layer is formed on a substrate. A first TiO2 layer is formed on the bottom electrode layer. A ZrO2 layer is formed on the first TiO2 layer. An annealing process is performed on the ZrO2 layer. A second TiO2 layer is formed on the ZrO2 layer. [Reference numerals] (A1) Bottom electrode layer is formed on the concave part of an insulation layer; (A2) Process 1; (B1) Etching and removing an insulation layer; (B2) Process 2; (C1) First TiO2 layer is formed on a bottom electrode layer; (C2) Process 3; (D1) ZrO2 layer is formed on a first TiO2 layer; (D2) Process 4; (E1) Anneal for crystallizing ZrO2; (E2) Process 5; (F1) Second TiO2 layer is formed on a ZrO2 layer; (F2) Process 6; (G1) Top electrode layer is formed on a second TiO2 layer; (G2) Process 7
Abstract translation: 目的：提供一种制造电容器的方法，电容器和用于形成用于电容器的电介质层的方法，以通过形成第一TiO 2层来抑制底部电极的漏电流。 构成：在基板上形成底部电极层。 在底部电极层上形成第一TiO 2层。 在第一TiO 2层上形成ZrO 2层。 在ZrO2层上进行退火处理。 在ZrO 2层上形成第二TiO 2层。 （A1）在绝缘层的凹部上形成底电极层， （A2）方法1; （B1）蚀刻除去绝缘层; （B2）方法2; （C1）第一TiO 2层形成在底部电极层上; （C2）方法3; （D1）在第一TiO 2层上形成ZrO 2层; （D2）方法4; （E1）ZrO2结晶退火; （E2）方法5; （F1）在ZrO2层上形成第二TiO 2层; （F2）方法6; （G1）顶电极层形成在第二TiO 2层上; （G2）工艺7
-
公开(公告)号：KR101264786B1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020100003508
申请日：2010-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
Abstract: 금속산화물로이루어지는고(高)유전체막을퇴적에의해형성하기위한종형(vertical) 열처리장치는, 복수의피처리기판을상하로간격을형성하여적층한상태에서수납하도록구성된반응용기와, 반응용기내에서피처리기판을지지하는지지부재와, 반응용기내의피처리기판을가열하는히터와, 반응용기내를배기하는배기계와, 반응용기내로금속소스가스및 산화가스를공급하는가스공급계를구비하고, 가스공급계는, 반응용기내에설치된가스노즐을포함하고, 가스노즐은, 티탄을주성분으로하는금속으로이루어진다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.02 seconds)
