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公开(公告)号：KR20210032613A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020190113643A
申请日：2019-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/357 , H04N3/1568 , H04N5/3694 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센서는, 공통 모니터 출력 라인, 제 1 모니터링 신호를 출력하는 제 1 모니터링 픽셀, 제 2 모니터링 신호를 출력하는 제 2 모니터링 픽셀, 및 입사광에 기초하는 감지 신호를 출력하도록 구성되는 액티브 픽셀을 포함하는 픽셀 어레이, 공통 모니터 출력 라인을 통해 제 1 및 제 2 모니터링 신호들을 수신하고 그리고 제 1 및 제 2 모니터링 신호들을 비닝함으로써 제 1 평균 모니터링 신호를 생성하도록 구성되는 비닝 회로, 및 평균 모니터링 신호의 AC(alternating current) 성분을 샘플링 하고 그리고 평균 모니터링 신호의 샘플링 된 AC 성분을 감지 신호와 커플링 하도록 구성되는 아날로그 디지털 변환기를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019107732A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/011856
申请日：2018-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 다양한 실시예들은 생체 정보 및 터치를 감지하기 위한 복수의 전극 라인들을 포함하는 패널을 구비하는 전자 장치에 관한 것으로, 상기 전자 장치는 복수의 전극 라인들을 포함하는 패널; 및 상기 복수의 전극 라인들을 통해 터치 정보 또는 생체 정보를 감지하는 감지 회로를 포함하고, 상기 복수의 전극 라인들은, 연속하여 배치된 3개 이상의 전극 라인들을 포함하는 다수의 그룹으로 구성되고, 상기 다수의 그룹 중 일부 그룹은 상기 3개 이상의 전극 라인들 중 일부 전극 라인들이 상기 감지 회로와 전기적으로 끊어지고, 나머지 전극 라인들이 상기 감지 회로와 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예들이 가능하다.
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公开(公告)号：KR102246893B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020130153696
申请日：2013-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김경민
IPC: G06F16/00
Abstract: 대화형시스템, 이의제어방법, 대화형서버및 이의제어방법이제공된다. 본대화형시스템의제어방법에따르면, 대화형서버가기 분석된발화패턴에키워드를대입하여생성된쿼리데이터를저장하는단계, 디스플레이장치가사용자음성을수신하여사용자음성을음성데이터로변환하고상기대화형서버로전송하는단계및 음성데이터가수신된경우, 대화형서버는저장된쿼리데이터를이용하여사용자음성에대한검색을수행하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101811615B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020120042415
申请日：2012-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03M7/16 , H03K23/005
Abstract: 이진-그레이변환회로는버퍼부및 변환부를포함한다. 버퍼부는 n(n은 2이상의자연수)비트의이진코드의최하위비트에상응하는제1 이진비트신호를제외한제2 이진비트신호내지제n 이진비트신호및 전원전압에응답하여 n비트의데이터코드를발생한다. 변환부는이진코드및 데이터코드에기초하여 n비트의그레이코드를발생하며, 이진코드의제k(k는 1이상 n이하의자연수) 이진비트신호에응답하여데이터코드의제k 데이터비트신호를래치하여제k 데이터비트신호의논리레벨에상응하도록그레이코드의제k 그레이비트신호를발생한다.
Abstract translation: 二进制灰度转换电路包括缓冲器部分和转换部分。 缓冲区间n响应于二进制比特信号和对应于二进制码的至少显著位的电源电压比所述第一二进制位信号中的第二二进制比特信号到n位的第n个数据代码（n是2或更大的自然数）比特 它发生。 基于二进制代码和数据代码，并生成n比特的格雷码转换单元，第k个（k为n或小于1的自然数），以响应锁存的二进制比特信号的数据码的第k个数据位的信号的二进制代码的 格雷码的比特灰度信号以对应于第k个数据比特信号的逻辑电平。
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公开(公告)号：KR1020160069936A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020140176179
申请日：2014-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F1/3231 , G04G21/02 , G06F1/163 , G06F1/3234 , G06F3/01 , G06F3/14
Abstract: 절전제어방법및 이를제공하는전자장치가개시된다. 상기전자장치와기능적으로연결된센서를통해측정된측정값과지정된임계값을비교하여상기전자장치의착용여부를판단하는동작과상기전자장치가착용되지않았다고판단한경우, 상기전자장치와기능적으로연결된디스플레이의적어도일부를통해서알림을위한정보를표시하는기능을비활성화하는동작을포함할수 있다. 본전자장치는, 전자장치의상태정보를수집하기위한센서부및 상기전자장치와기능적으로연결된센서를통해측정된측정값과지정된임계값을비교하여상기전자장치의착용여부를판단하고상기전자장치가착용되지않았다고판단한경우, 상기전자장치와기능적으로연결된디스플레이의적어도일부를통해서알림을위한정보를표시하는기능을비활성화하도록처리하는제어부를포함할수 있다. 이외에도다른실시예들이가능할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于控制节电的方法和执行该方法的电子设备。 该方法可以包括将由功能性连接到电子设备的传感器单元测量的测量值与指定的阈值进行比较以确定电子设备是否佩戴的操作以及通知的显示信息的功能的停用操作 当确定电子设备未被磨损时，至少一部分功能性地连接到电子设备的显示器。 本电子设备可以包括收集电子设备的状态信息的传感器单元，以及将由与电子设备功能连接的传感器单元测量的测量值与指定的阈值进行比较的控制单元，以确定电子设备是否被磨损 并且当确定所述电子设备未被磨损时，通过所述功能性地连接到所述电子设备的所述显示器的至少一部分来停用显示用于通知的信息的功能。 各种其他实施例是可用的。
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公开(公告)号：KR1020150041705A
公开(公告)日：2015-04-17
申请号：KR1020130119915
申请日：2013-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 기판상에제1 배선이형성된다. 상기제1 배선상에제2 배선이형성된다. 상기제1 배선및 상기제2 배선사이에제1 셀이형성된다. 상기제1 셀은제1 선택소자및 제1 저항변화소자를갖는다. 상기제2 배선상에제3 배선이형성된다. 상기제2 배선및 상기제3 배선사이에제2 셀이형성된다. 상기제2 셀은제2 선택소자및 제2 저항변화소자를갖는다. 상기제2 선택소자는상기제1 선택소자와다른두께를보인다.
Abstract translation: 在基板上形成第一线。 第二线形成在第二线上。 在第一线和第二线之间形成第一电池。 第一单元具有第一选择元件和第一电阻变化元件。 在第二线上形成第三线。 在第二线和第三线之间形成第二电池。 第二单元具有第二选择元件和第二电阻变化元件。 第二选择元件的厚度与第一选择元件的厚度不同。
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公开(公告)号：KR1020140042987A
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：KR1020120109283
申请日：2012-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K17/70
Abstract: A two-terminal switching device and a controlling method thereof are disclosed. The disclosed two-terminal switching device comprises: a first terminal to which a switching signal and a main signal are applied; a resistance change device which is connected to the first terminal, switches a resistance to a low resistance state or a high resistance state depending on a first switching signal, and maintains the switched resistance state until a second switching signal is received; a second terminal which outputs the main signal, which is applied to the first terminal, when the resistance change device is in the low resistance state; a diode which is connected between the resistance change device and the second terminal in series and blocks the switching signal so that the switching signal which is applied to the first terminal is not delivered to the second terminal; and a resistance which is connected between a node between the resistance change device and the diode and a ground and makes the switching signal, which is blocked by the diode, flow in the ground.
Abstract translation: 公开了一种双端开关装置及其控制方法。 所公开的两端开关装置包括：施加开关信号和主信号的第一端子; 连接到第一端子的电阻变化装置根据第一开关信号将电阻切换到低电阻状态或高电阻状态，并保持开关电阻状态直到接收到第二开关信号; 当电阻变化器件处于低电阻状态时，输出施加到第一端子的主信号的第二端子; 二极管，串联连接在电阻变化器件和第二端子之间，并且阻断开关信号，使得施加到第一端子的开关信号不被传送到第二端子; 并且连接在电阻变化器件和二极管之间的节点与地之间的电阻，并且使由二极管阻塞的开关信号流入地。
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公开(公告)号：KR1020130020426A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110083056
申请日：2011-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L45/04
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory element and a memory device including the same are provided to increase data stored per unit area by including a multi-bit memory property. CONSTITUTION: A nonvolatile memory element includes a first electrode(E1), a second electrode(E2), and a memory layer(M1). The second electrode is separated from the first electrode. The memory layer is formed between the first electrode and the second electrode and includes a base layer and an ionic species exchange layer. The memory layer has a resistance change property by moving ionic species(20). The ionic species exchange layer has a multilayer structure including two layers.
Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器元件和包括该非易失性存储器元件的存储器件，以通过包括多位存储器特性来增加每单位面积存储的数据。 构成：非易失性存储元件包括第一电极（E1），第二电极（E2）和存储层（M1）。 第二电极与第一电极分离。 存储层形成在第一电极和第二电极之间，并且包括基底层和离子物种交换层。 存储层通过移动离子物质（20）具有电阻变化特性。 离子物种交换层具有包括两层的多层结构。
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