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公开(公告)号：KR101929941B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020120087993
申请日：2012-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 저항 변화 물질 소자 및 이를 적용한 디바이스가 개시된다. 개시된 저항 변화 물질 소자는, 제1및 제2전극 사이에 위치되는 저항 변화 물질층을 구비한다. 제1및 제2전극 중 어느 한 전극과 저항 변화 물질층 사이에는 자가 정류층이 마련된다.
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公开(公告)号：KR101906974B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020110038442
申请日：2011-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터가각각동일한구조의산화물반도체트랜지스터로이루어지는광센싱장치및 상기광센싱장치의동작신뢰성을향상시킬수 있는구동방법이개시된다. 개시된광센싱장치에따르면, 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터는하나의기판위에서동일한구조로인접하여형성되며, 스위치트랜지스터에광이입사하는것을방지하기위하여스위치트랜지스터의광입사면에는광차폐막이더 배치된다. 또한, 개시된광센싱장치의구동방법에따르면, 시간의흐름에따른스위치트랜지스터의문턱전압시프트를방지하기위하여, 광차폐막에는음(-)의바이어스전압이인가된다.
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公开(公告)号：KR101814603B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020110058639
申请日：2011-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: A61B6/03 , G01T1/161 , H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14609 , A61B6/037 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H04N5/3698 , H01L2924/00
Abstract: 에너지해상도가개선된픽셀소자가제공된다. 이를위해본 발명은, 적어도하나의포토다이오드, 및포토다이오드에전압을공급하며, 전압저장유닛및 전압조절유닛을포함하는, 적어도하나의전압공급유닛을포함하고, 프리차지모드에서, 전압저장유닛은포토다이오드의애노드와연결되어제1 애노드전압을저장하고, 센싱모드에서, 전압조절유닛은포토다이오드의애노드의제2 애노드전압을전압저장유닛에저장된제1 애노드전압과동일하게조절하는것을특징으로하는픽셀소자를개시한다.
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公开(公告)号：KR101761817B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020110019646
申请日：2011-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/08 , G01T1/24 , H01L27/146 , G01N23/04
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 대면적엑스선검출기개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판에배치된복수의칩과, 상기각 칩에대응되게그 위에배치된복수의픽셀전극과, 상기복수의픽셀전극과상기복수의픽셀패드를전기적으로연결하는재분배층을구비한다. 상기재분배층상에서상기칩의핀패드가형성된이면상에형성된복수의제1전극패드와, 상기제1전극패드및 상기제2전극핀패드를전기적으로연결하는와이어를포함한다. . 상기와이어는칩들사이의갭에배치된다.
Abstract translation: 大面积X射线探测器启动。 它公开了一种大面积的X射线检测器，设置在印刷电路板上的芯片，所述多个和所述对应于每个芯片中的多个设置在其上的像素电极，并且所述多个像素电极和电连接所述多个像素垫的 重新分配层。 以及用于电连接的第一多个电极焊盘，所述第一电极焊盘和在销侧形成形成在再分布层上的芯片的销垫的第二电极焊盘的线。 。 导线布置在芯片之间的间隙中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101678671B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020100029982
申请日：2010-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기가개시된다. 개시된이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기는, 엑스선이입사되는제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을통과한엑스선이입사되는제2 포토컨덕터층을포함한다. 제1 포토컨덕터층과제2 포토컨덕트층은탠덤구조로이루어져있다. 제1 포토컨덕터층은저 에너지대역의엑스선을흡수하는실리콘으로이루어지며, 제2 포토컨덕터층은실리콘보다높은에너지대역의엑스선을흡수하는물질로형성된다.
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公开(公告)号：KR101634250B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020100058624
申请日：2010-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: G01T1/24 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14687 , H01L31/085 , H01L2224/16225 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 대면적엑스선검출기및 제조방법이개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판상에타일링되며, 상기인쇄회로기판과전기적으로연결된복수의주문형반도체와, 상기인쇄회로기판상에서상기복수의주문형반도체를덮는평탄화막과, 상기평탄화막상에서상기각 주문형반도체에대응되게형성된복수의픽셀전극과, 상기평탄화막상에서상기복수의픽셀전극들을덮는포토컨덕터층을구비한다. 상기픽셀전극과상기주문형반도체의콘택은상기평탄화막에형성된비아홀을채운콘택플러그로연결된다.
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公开(公告)号：KR101622307B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020090060236
申请日：2009-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N13/00
CPC classification number: G09G3/001 , G02B27/2264 , G09G3/003 , G09G3/3225 , G09G3/3611 , G09G2300/023 , G09G2310/0213 , G09G2340/10 , H04N13/395
Abstract: 입체영상디스플레이장치가개시된다. 개시된입체영상디스플레이장치는적어도하나의투명디스플레이패널을포함하며, 깊이방향으로이격배치된복수의디스플레이패널; 상기복수의디스플레이패널각각에영상신호를인가하는제어부;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101571139B1
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020090053494
申请日：2009-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본발명은비정질반도체 TFT의전기적특성을산출하는방법및 장치에관한것으로, 본발명에따른전기적특성산출방법은비정질반도체 TFT에빛을조사하여 C-V의광 응답특성을측정하여입력받고, 빛을조사하지않은경우와빛을조사한경우의전기용량각각을연산하여 C-V의함수로모델링한후, 측정된광 응답특성과모델링된함수를조합하여상태밀도를산출함으로써, 비정질반도체 TFT의전기적특성을제공한다.
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公开(公告)号：KR101552975B1
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：KR1020090001942
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , C09K13/04
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에대해서개시된다. 상기산화물반도체는 In산화물에 Hf이포함되어형성된것으로이를박막트랜지스터의채널물질로적용할수 있다.
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