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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970022513A
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：KR1019950034169
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/62 , G03F1/84 , H01L21/027
Abstract: 반도체장치의 제조를 위한 노광공정시 제1스텝용으로 사용하는 레티클이 개시되어 있다.
본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 얼라인 마크가 상호 인접하여 쌍을 이루며 형성되어 있는 주척 패턴과 부척 패턴으로 이루어지며, 상기 주척 패턴은 사각판상의 사각판 패턴과 상기 사각판 패턴의 각 변을 따라 분리 형성된 막대형 패턴으로 구성되어 있으며, 상기 부척 패턴은 상기 주척 패턴과 오버랩될 경우 상기 주척 패턴의 상기 사각판 패턴내에 포함되어져 상기 주척 패턴과의 상대적 위치관계가 검사될 수 있도록 구성되어 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100442630B1
公开(公告)日：2004-08-02
申请号：KR1020020000415
申请日：2002-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/40
CPC classification number: G02B6/3636 , G02B6/30 , G02B6/3652
Abstract: This invention provides an optical fiber block (20) that includes an optical-fiber-alignment portion (210) and a stress-reduction-depth portion (220). In the optical-fiber-alignment portion, a V groove array (212) is arranged to accommodate the non-coated fiber portion of a ribbon fiber. The V groove array is formed by primary and secondary wet-etching processes on a silicon wafer, and further includes first V grooves at both sides and second V grooves different from the first V grooves disposed between the first V grooves. Meanwhile, the stress-reduction-depth portion is formed by another wet etching, extending to a predetermined depth from the optical-fiber-alignment portion, for reducing stress caused by a variation in the coating thickness of the optical fibers.
Abstract translation: 本发明提供一种包括光纤对准部分（210）和应力降低深度部分（220）的光纤块（20）。 在光纤对准部分中，V型槽阵列（212）布置成容纳带状光纤的未涂覆光纤部分。 V槽阵列通过在硅晶片上的一次和二次湿蚀刻工艺形成，并且还包括在两侧的第一V形凹槽和与位于第一V形凹槽之间的第一V形凹槽不同的第二V形凹槽。 另一方面，应力减小深度部分通过从光纤对准部分延伸到预定深度的另一湿法蚀刻形成，以减小由光纤的涂层厚度变化引起的应力。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020030059684A
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：KR1020020000415
申请日：2002-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/40
CPC classification number: G02B6/3636 , G02B6/30 , G02B6/3652
Abstract: PURPOSE: An optical block is provided to obtain high reliance by minimizing effect of epoxy resin. CONSTITUTION: A bare optical fiber is arranged at an arranging part(210) in order to arrange a ribbon optical fiber. A stress reduction depth part(220) is etched from the arranging part(210) by a predetermined depth. A V-groove array(212) includes the first 1V grooves(213) and the second 2V groove(214). A bare optical fiber of a ribbon optical fiber is arranged at the first 1V grooves(213). The second 2V groove(214) is located between the first 1V groove(213) and the first 1V groove(213). A flat surface(220a) is formed at the stress reduction depth part(220). A part of the bare optical fiber and a coated optical fiber is arranged on the flat surface(220a). The optical fiber includes upper surfaces(210a) adjacent to the first 1V grooves(213).
Abstract translation: 目的：提供光学块，以通过最小化环氧树脂的影响来获得高依赖性。 构成：在布置部分（210）处布置裸光纤，以便布置带状光纤。 从配置部（210）蚀刻减压深度部（220）预定的深度。 V形槽阵列（212）包括第一1V槽（213）和第二2V槽（214）。 带状光纤的裸光纤布置在第一个1V槽（213）处。 第二2V槽（214）位于第一1V槽（213）和第一1V槽（213）之间。 在应力减少深度部分（220）处形成平坦表面（220a）。 在平坦表面（220a）上布置裸光纤和涂覆光纤的一部分。 光纤包括与第一1V槽（213）相邻的上表面（210a）。
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公开(公告)号：KR100156422B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950034169
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/62 , G03F1/84 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F1/44
Abstract: 반도체장치의 제조를 위한 노광공정시 제1스텝용으로 사용하는 레티클이 개시되어 있다.
본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 얼라인 마크가 상호 인접하여 쌍을 이루며 형성되어 있는 주척 패턴과 부척 패턴으로 이루어지며, 상기 주척 패턴은 사각판상의 사각판 패턴과 상기 사각판 패턴의 각 변을 따라 분리 형성된 막대형 패턴으로 구성되어 있으며, 상기 부척 패턴은 상기 주척 패턴과 오버랩될 경우 상기 주척 패턴의 상기 사각판 패턴내에 포함되어져 상기 주척 패턴과의 상대적 위치관계가 검사될 수 있도록 구성되어 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970023757A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037820
申请日：1995-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 원하는 콘택홀 패턴이 형성된 반도체소자 제조용 레티클이 개시되어 있다.
본 발명의 레티클은 반도체 웨이퍼상에 전사하기 위하여 레티클상에 형성하는 콘택홀 패턴이 사각형의 각 꼭지점 부근이 외부로 확장된 꽃무늬 형상으로 된 것을 특징으로 한다.
따라서 웨이퍼상에 원하는 사각형의 콘택홀 패턴을 정확히 전사할 수 있어 콘택의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
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