반도체 제조 방법
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019970048936A

    公开(公告)日:1997-07-29

    申请号:KR1019950065732

    申请日:1995-12-29

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 특히 우변과 하변에 스크라이브 라인영역을 가지는 레티클을 마스크로 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 샷단위로 노광하는 반도체 제조방법에 있어서, 노광되지 않은 웨이퍼에지 부위에 형성되는 누적층의 에지가 경사지게 형성되도록 상기 각 층에 대응하는 레티클의 에지를 레이아웃하는 것을 특징으로 한다.
    따라서, 본 발명에서는 누적층의 에지에서 언에치되는 것을 방지하고 더미 샷노광을 할 필요가 없게 된다.

    사진공정용 레티클
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019970028812A

    公开(公告)日:1997-06-24

    申请号:KR1019950043921

    申请日:1995-11-27

    Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정중에서 사진공정시 웨이퍼에 패턴을 형성하는데 사용하는 레티클에 관한 것으로, 특히 정렬정도를 향상시킬 수 있는 사진공정용 레티클과 이 레티클의 정렬방법에 대한 것이다.
    종래의 레티클은 스크리브 라인내 양 에지에 형성된 키만으로 각 스텝별로 서로 정렬하게 되어 장시간 사용하게 되면 렌즈 왜곡이 서로 달라서 패턴 미스의 체크시 데이터 오류의 발생을 방지할 수 없게 되는 문제점이 있었다.
    본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 레티클의 중심부위와 스크리브 라인내 상하부에 각각 소정크기의 키를 형성하고, 스크리브라인이 없는 가장 스크리브 라인에 상기 키와 대칭되게 키를 형성하여, 단계별 1피치의 이동시 상기 레티클에 의한 노광부위를 다음 스텝에서 일부 중복시켜 레티클을 정렬하므로서 렌즈의 왜곡현상을 적절히 조정하여 정렬하므로서 패턴을 형성하도록 하였다.

    반도체 장치
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019970008315A

    公开(公告)日:1997-02-24

    申请号:KR1019950022313

    申请日:1995-07-26

    Abstract: 웨이퍼 상의 잔 기포를 제거할 수 있는 반도체장치가 개시되어 있다. 액체 화학제를 사용하여 반도체 제조공정을 수행하는 반도체장치에 있어서, 상기 액체 화학제 속에 포함되어 있는 기체를 제거하기 위해 기체분압을 저하시켜 탈기시키는 진공펌프를 갖는 탈기설비를 구비한다. 현상액과 같은 액체 속에 포함되어 있는 잔 기포를 제거함으로써, 공정불량의 발생을 방지할 수 있다.

    반도체 장치의 웨이퍼 구조
    9.
    发明公开
    반도체 장치의 웨이퍼 구조 无效
    半导体器件的晶圆结构

    公开(公告)号:KR1019970030390A

    公开(公告)日:1997-06-26

    申请号:KR1019950039889

    申请日:1995-11-06

    Abstract: 본 발명은 반도체장치의 반도체기판으로 사용되는 웨이퍼의 구조에 관한 것으로서, 환형의 라운드 영역(14a)과 일부분이 일직선상으로 절단된 플랫 영역(14b)을 구비하고, 그리고 웨이퍼바코드인 레이저 마크부분(12)이 상기 웨이퍼의 플랫 영역(14b)에 대향하는 상부 라운드 영역(14a)내에 형성되어 있으며, 상기 레이져 마크부분(l2)의 웨이퍼바코드는 약 2μm정도의 깊이를 갖는 홀로 이루어지며, 그리고 상기 레이져 마크부분(12)은 소프트마킹에 의해 형성된다. 이와같이, 형성된 웨이퍼는 레이저 마크부분의 홑내에 남아 있는 감광막이 완전히 세정될 수 있도록 하여서 후속하는 패턴화공정에서 양호한 미세패턴이 형성될 수 있고, 그리고 감광막의 분진에 의한 G-결함의 발생을 방지할 수 있다.

    반도체장치 제조용 레티클

    公开(公告)号:KR1019970022513A

    公开(公告)日:1997-05-28

    申请号:KR1019950034169

    申请日:1995-10-05

    Abstract: 반도체장치의 제조를 위한 노광공정시 제1스텝용으로 사용하는 레티클이 개시되어 있다.
    본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 얼라인 마크가 상호 인접하여 쌍을 이루며 형성되어 있는 주척 패턴과 부척 패턴으로 이루어지며, 상기 주척 패턴은 사각판상의 사각판 패턴과 상기 사각판 패턴의 각 변을 따라 분리 형성된 막대형 패턴으로 구성되어 있으며, 상기 부척 패턴은 상기 주척 패턴과 오버랩될 경우 상기 주척 패턴의 상기 사각판 패턴내에 포함되어져 상기 주척 패턴과의 상대적 위치관계가 검사될 수 있도록 구성되어 있다.
    따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.

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