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公开(公告)号：KR1019970028812A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950043921
申请日：1995-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정중에서 사진공정시 웨이퍼에 패턴을 형성하는데 사용하는 레티클에 관한 것으로, 특히 정렬정도를 향상시킬 수 있는 사진공정용 레티클과 이 레티클의 정렬방법에 대한 것이다.
종래의 레티클은 스크리브 라인내 양 에지에 형성된 키만으로 각 스텝별로 서로 정렬하게 되어 장시간 사용하게 되면 렌즈 왜곡이 서로 달라서 패턴 미스의 체크시 데이터 오류의 발생을 방지할 수 없게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 레티클의 중심부위와 스크리브 라인내 상하부에 각각 소정크기의 키를 형성하고, 스크리브라인이 없는 가장 스크리브 라인에 상기 키와 대칭되게 키를 형성하여, 단계별 1피치의 이동시 상기 레티클에 의한 노광부위를 다음 스텝에서 일부 중복시켜 레티클을 정렬하므로서 렌즈의 왜곡현상을 적절히 조정하여 정렬하므로서 패턴을 형성하도록 하였다.-
公开(公告)号：KR100156422B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950034169
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/62 , G03F1/84 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F1/44
Abstract: 반도체장치의 제조를 위한 노광공정시 제1스텝용으로 사용하는 레티클이 개시되어 있다.
본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 얼라인 마크가 상호 인접하여 쌍을 이루며 형성되어 있는 주척 패턴과 부척 패턴으로 이루어지며, 상기 주척 패턴은 사각판상의 사각판 패턴과 상기 사각판 패턴의 각 변을 따라 분리 형성된 막대형 패턴으로 구성되어 있으며, 상기 부척 패턴은 상기 주척 패턴과 오버랩될 경우 상기 주척 패턴의 상기 사각판 패턴내에 포함되어져 상기 주척 패턴과의 상대적 위치관계가 검사될 수 있도록 구성되어 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100161594B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019950043921
申请日：1995-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정중에서 사진공정시 웨이퍼에 패턴을 형성하는데 사용하는 레티클에 관한 것으로, 특히 정렬정도를 향상시켜 수 있는 사진공정용 레티클과 이 레티클의 정렬방법에 대한 것이다. 종래의 레티클은 스크리브 라인내 양 에지에 형성된 키만으로 각 스텝별로 서로 정렬하게되어 장시간 사용하게되면 렌즈 왜곡이 서로 달라서 패턴 미스의 채크시 데이터 오류의 발생을 방지할 수 없게되는 문제점이 있었다. 본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 레티클의 중심부위와 스크리브 라인내 상하부에 각각 소정크기의 키를 형성하고, 스크리브라인이 없는 가상 스크리브 라인에 상기 키와 대칭되게 키를 형성하여, 단계별 1 피치의 이동시 상기 레티클에 의한 노광부위를 다음 스텝에서 일부 중복시켜 레티클을 정렬하므로서 렌즈의 왜곡현상을 적절히 조정하여 정렬하므로서 패턴을 형성하도록 하였다.
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公开(公告)号：KR1019970048936A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950065732
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/62 , G03F1/34
Abstract: 본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 특히 우변과 하변에 스크라이브 라인영역을 가지는 레티클을 마스크로 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 샷단위로 노광하는 반도체 제조방법에 있어서, 노광되지 않은 웨이퍼에지 부위에 형성되는 누적층의 에지가 경사지게 형성되도록 상기 각 층에 대응하는 레티클의 에지를 레이아웃하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 누적층의 에지에서 언에치되는 것을 방지하고 더미 샷노광을 할 필요가 없게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970022513A
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：KR1019950034169
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/62 , G03F1/84 , H01L21/027
Abstract: 반도체장치의 제조를 위한 노광공정시 제1스텝용으로 사용하는 레티클이 개시되어 있다.
본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 얼라인 마크가 상호 인접하여 쌍을 이루며 형성되어 있는 주척 패턴과 부척 패턴으로 이루어지며, 상기 주척 패턴은 사각판상의 사각판 패턴과 상기 사각판 패턴의 각 변을 따라 분리 형성된 막대형 패턴으로 구성되어 있으며, 상기 부척 패턴은 상기 주척 패턴과 오버랩될 경우 상기 주척 패턴의 상기 사각판 패턴내에 포함되어져 상기 주척 패턴과의 상대적 위치관계가 검사될 수 있도록 구성되어 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.
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