公开(公告)号：KR1020120101911A

公开(公告)日：2012-09-17

申请号：KR1020110020026

申请日：2011-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임선미 ,  박한병 ,  차호권

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  G11C8/16

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412

Abstract: PURPOSE: A static random access memory cell is provided to implement the optimum integration by forming a pair of transistors at each active part. CONSTITUTION: A first NMOS active part(121) and a second NMOS active part(122) are arranged between a first PMOS active part(111) and a second PMOS active part(112). The first PMOS active part, the first NMOS active part, the second NMOS active part, and the second PMOS active part are successively arranged in the first direction. The active parts are extended in a second direction which is vertical to the first direction and are defined by a device isolation pattern formed on a semiconductor substrate. [Reference numerals] (AA) Second direction; (BB) First direction

Abstract translation: 目的：提供一个静态随机存取存储单元，通过在每个有源部分形成一对晶体管来实现最佳的积分。 构成：第一NMOS有源部分（121）和第二NMOS有源部分（122）被布置在第一PMOS有源部分（111）和第二PMOS有源部分（112）之间。 第一PMOS有源部分，第一NMOS有源部分，第二NMOS有源部分和第二PMOS有源部分依次排列在第一方向上。 有源部分在与第一方向垂直的第二方向上延伸并且由形成在半导体衬底上的器件隔离图案限定。 （附图标记）（AA）第二方向; （BB）第一方向