公开(公告)号：KR1020060007776A

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020040057142

申请日：2004-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  홍진 ,  김현우 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

Abstract: 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 코팅되어 있고 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함한다. 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층은 졸-겔 반응으로부터 얻어지는 실리카 네트워크로 구성된다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, 실리케이트 올리고머, 가수분해 산물, 졸-겔 반응

公开(公告)号：KR100640595B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020040090780

申请日：2004-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 콜라케마야수바라마냐 ,  여인석

IPC: B32B33/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G11B5/712 ,  B05D1/185 ,  B05D7/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12104 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/298 ,  Y10T428/31663

Abstract: 10
12 입자/cm
2 이상의 파티클 밀도를 가질 뿐만이 아니라 기판의 전면에 균일하게 나노파티클 모노레이어 필름을 형성할 수 있는 방법 및 그에 따른 나노파티클 모노레이어 필름을 제공한다. 본 발명에 따른 나노파티클 모노레이어 필름의 제조방법에서는 먼저 기판을 준비한 다음, 상기 기판 상에 상기 기판을 형성하는 물질과 화학적으로 결합하는 일측 말단 작용기와 타측 말단 작용기로서 CH
3 기를 구비하는 화합물을 사용하여 표면 수정층(surface modifying layer)을 형성한다. 그리고, 화학적으로 합성된 나노파티클(chemically synthesized nanopaticles)을 포함하는 증착 용액을 표면 수정층 상에 가한 다음에, 소정의 시간 동안 상기 결과물을 방치하는 큐어링 공정을 진행하여 표면 수정층과 증착 용액의 계면 상에 상기 표면 수정층의 CH
3 기와 판-데르 발스 인력으로 결합한 나노파티클 모노레이어 필름이 형성되도록 한다. 그리고, 잔류하는 증착 용액은 제거되도록 기판을 스핀한다.
나노파티클, 모노레이어, SAM, 스핀 코팅

公开(公告)号：KR1020070019565A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020060074318

申请日：2006-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 콜라케마야수바라마냐 ,  이선우 ,  여인석

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0009 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  C07C211/03 ,  C07F7/1804

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 촉매 나노 입자들을 실리콘 원소를 함유하는 분자 물질의 표면 개선제, 예컨대, 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 표면 개선 처리하고, 표면 처리된 촉매 나노 입자들 상에 표면 처리에 의해 직경이 제어되게 탄소나노튜브를 성장시킨다. 탄소나노튜브는 표면 개선제의 분해에 의해 촉매 나노 입자 표면에 퇴적되는 실리콘 산화물 계열의 퇴적물에 의한 표면 스테릭 안정화(steric stabilization)에 의해서 직경이 제어되며 성장될 수 있다.
탄소나노튜브, 촉매 나노 입자, 표면 개선, 응집 현상, CVD

公开(公告)号：KR100585138B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040024022

申请日：2004-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  김현우 ,  윤진영 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 적어도 측벽에 코팅되어 있는 자기조립 분자층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, CD, 양이온성 고분자 전해질, 음이온성 고분자 전해질

Abstract translation: 包括自组装分子层的掩模图案，形成掩模图案的方法以及制造半导体器件的方法。 根据本发明的掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案以及涂覆在抗蚀剂图案的至少侧壁上的自组装分子层。 为了形成掩模图案，首先在基底上的基底膜上形成具有用于将底膜暴露第一宽度的开口的抗蚀剂图案。 然后，在抗蚀剂图案的表面上形成自组装分子层。 通过形成具有用于由第一宽度基膜曝光到所述半导体衬底的开口的抗蚀剂图案之后的小的第二宽度露出，该膜不是任选仅在比所述第一宽度的抗蚀剂图案的表面形成自组装单分子层 这样。 使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模蚀刻基底膜以实现精细图案。

公开(公告)号：KR1020060041537A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040090780

申请日：2004-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 콜라케마야수바라마냐 ,  여인석

IPC: B32B33/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G11B5/712 ,  B05D1/185 ,  B05D7/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12104 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/298 ,  Y10T428/31663

Abstract: 10
12 입자/cm
2 이상의 파티클 밀도를 가질 뿐만이 아니라 기판의 전면에 균일하게 나노파티클 모노레이어 필름을 형성할 수 있는 방법 및 그에 따른 나노파티클 모노레이어 필름을 제공한다. 본 발명에 따른 나노파티클 모노레이어 필름의 제조방법에서는 먼저 기판을 준비한 다음, 일단에는 기판을 형성하는 물질과 화학적으로 결합하는 작용기가 결합되어 있고, 타단에는 NH
3 기가 결합되어 있는 물질로 형성된 표면 수정층(surface modifying layer)을 기판 상에 형성한다. 그리고, 화학적으로 합성된 나노파티클(chemically synthesized nanopaticles)을 포함하는 증착 용액을 표면 수정층 상에 가한 다음에, 소정의 시간 동안 상기 결과물을 방치하는 큐어링 공정을 진행하여 표면 수정층과 증착 용액이 계면 상에 나노파티클 모노레이어 필름이 형성되도록 한다. 그리고, 잔류하는 증착 용액은 제거되도록 기판을 스핀한다.
나노파티클, 모노레이어, SAM, 스핀 코팅

公开(公告)号：KR100809694B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020060074318

申请日：2006-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 콜라케마야수바라마냐 ,  이선우 ,  여인석

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 촉매 나노 입자들을 실리콘 원소를 함유하는 분자 물질의 표면 개선제, 예컨대, 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 표면 개선 처리하고, 표면 처리된 촉매 나노 입자들 상에 표면 처리에 의해 직경이 제어되게 탄소나노튜브를 성장시킨다. 탄소나노튜브는 표면 개선제의 분해에 의해 촉매 나노 입자 표면에 퇴적되는 실리콘 산화물 계열의 퇴적물에 의한 표면 스테릭 안정화(steric stabilization)에 의해서 직경이 제어되며 성장될 수 있다.
탄소나노튜브, 촉매 나노 입자, 표면 개선, 응집 현상, CVD

公开(公告)号：KR100618850B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020040057142

申请日：2004-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  홍진 ,  김현우 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

Abstract: 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 코팅되어 있고 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함한다. 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층은 졸-겔 반응으로부터 얻어지는 실리카 네트워크로 구성된다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, 실리케이트 올리고머, 가수분해 산물, 졸-겔 반응

公开(公告)号：KR1020050098599A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020040024022

申请日：2004-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  김현우 ,  윤진영 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/11

Abstract: 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 적어도 측벽에 코팅되어 있는 자기조립 분자층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.