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公开(公告)号：KR101915635B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101848673B1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：KR1020160064622
申请日：2016-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , C23C16/30 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101430982B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020130040580
申请日：2013-04-12
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: G03F7/70408 , G03F7/029 , G03F7/2006 , G03F7/7045 , G03F7/70625 , H01L21/0273
Abstract: The present invention relates to a three-dimensional porous organic-inorganic composite structure and to a method for preparing the same, the composite structure comprising the step of: preparing an organic-inorganic composite photoresist solution including an inorganic substance; forming an organic-inorganic composite photoresist layer including the inorganic substance by coating a substrate with the solution; and forming a three-dimensional porous organic-inorganic composite photoresist pattern by examining a three-dimensional optical interference pattern by using a three-dimensional optical interference lithography on the organic-inorganic composite photoresist layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种三维多孔有机 - 无机复合结构体及其制备方法，该复合结构体包括以下步骤：制备包含无机物质的有机 - 无机复合光致抗蚀剂溶液; 通过用所述溶液涂布基材来形成包括所述无机物质的有机 - 无机复合光致抗蚀剂层; 以及通过在有机 - 无机复合光致抗蚀剂层上使用三维光学干涉光刻法检查三维光学干涉图案来形成三维多孔有机 - 无机复合光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020140021275A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120087430
申请日：2012-08-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/05 , B01J6/00 , B01J20/28054 , G03F7/2006 , G03F7/26
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a porous carbon structure using heat treatment in an organic solvent, more specifically a manufacturing method of a porous carbon structure comprising: a step of forming a photoresist layer on a substrate; a step of forming a 3D porous photoresist pattern by irradiating the photoresist layer with 3D optical interference patterns by using a 3D optical interference lithography; a step of heat-treating the 3D porous photoresist pattern in a first organic solvent; and a step of obtaining a porous carbon structure by heating the heat-treated photoresist pattern. The manufacturing method according to the present invention passes through a carbonization process after a heat-treating process on a photoresist pattern in an organic solvent so that a carbon structure can be manufactured without an etching process, and thus, process steps for manufacturing a porous carbon structure are reduced, thereby saving a production time, being economical, and because the heat-treating temperature and time are controlled in an organic solvent, the thickness of the carbon structure can be controlled. [Reference numerals] (S100) Forming a photoresist layer; (S200) Forming a 3D porous photoresist pattern by irradiating the photoresist layer with 3D optical interference patterns; (S300) Heat-treating the 3D porous photoresist patterns in a first organic solvent; (S400) Obtaining a porous carbon structure by carbonizing the heat-treated photoresist pattern
Abstract translation: 本发明涉及一种在有机溶剂中使用热处理的多孔碳结构体的制造方法，更具体地说，涉及一种多孔碳结构体的制造方法，包括：在基板上形成光致抗蚀剂层的工序; 通过使用3D光学干涉光刻用3D光学干涉图案照射光致抗蚀剂层来形成3D多孔光致抗蚀剂图案的步骤; 在第一有机溶剂中热处理3D多孔光致抗蚀剂图案的步骤; 以及通过加热经热处理的光致抗蚀剂图案获得多孔碳结构的步骤。 根据本发明的制造方法，通过在有机溶剂中的光致抗蚀剂图案上进行热处理之后的碳化处理，使得可以在没有蚀刻工艺的情况下制造碳结构，因此，制造多孔碳的工艺步骤 结构减少，从而节省生产时间，经济，并且由于在有机溶剂中控制热处理温度和时间，因此可以控制碳结构的厚度。 （附图标记）（S100）形成光致抗蚀剂层; （S200）通过用3D光学干涉图案照射光致抗蚀剂层来形成3D多孔光致抗蚀剂图案; （S300）在第一有机溶剂中热处理3D多孔光致抗蚀剂图案; （S400）通过对经热处理的光致抗蚀剂图案进行碳化来获得多孔碳结构
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101253563B1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020110094480
申请日：2011-09-20
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 전도성 투명 기재 상에 형성되며 염료가 흡착되어 있는 광전극; 상기 광전극 상에 형성되며 콜로이드 결정을 함유하는 산란층; 상기 산란층과 대향되는 상대전극; 및, 상기 산란층과 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질-함유 층을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130030897A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：KR1020110094480
申请日：2011-09-20
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A dye-sensitized solar cell including a scattering layer containing colloid crystal, and a method for preparing the same are provided to easily form the scattering layer. CONSTITUTION: A photoelectrode(200) is formed on a conductive transparent substrate(100). A scattering layer(400) is formed on the photoelectrode and includes colloidal crystal(300). A counter electrode(500) faces the scattering layer. An electrolyte-containing layer(600) is positioned between the scattering layer and the counter electrode.
Abstract translation: 目的：提供包含含有胶体晶体的散射层的染料敏化太阳能电池及其制备方法，以容易地形成散射层。 构成：在导电透明基板（100）上形成光电极（200）。 在光电极上形成散射层（400），包括胶体晶体（300）。 对电极（500）面向散射层。 含电解质层（600）位于散射层和对电极之间。
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公开(公告)号：KR20180028137A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR20160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01L51/0097
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
Abstract translation: 涉及一种方法，用于通过本发明隐喻烟板转移金属硫属化物薄膜，更特别是高度站立的电性能，除非通过使用环氧树脂不能产生在薄的柔性基材复合的缺陷和杂质呈现所述传输方法 待制造。 根据本发明的各种实施例中，通过将薄膜制备金属硫属化物，不产生在金属硫属化物薄膜要转移的缺陷和杂质具有优异的电性能的柔性底物复合物，得到烟板采取的环氧树脂的优点 你可以。 另外，通过上述方法制造的柔性基板复合物可以广泛地应用于柔性场效应晶体管，传感器，诸如LED等柔性元件等。
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8.发明公开롤투롤 공정을 위한 화학기상 증착법을 이용한 유연 기재 상의 이황화 몰리브덴 나노박막 또는 이황화 텅스텐 나노박막 제조방법 审中-实审用于通过化学气相沉积在柔性衬底上制备二硫化钼纳米管或二硫化钨纳米管以用于卷对卷工艺的方法
公开(公告)号：KR1020170133628A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160064622
申请日：2016-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , C23C16/30 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0209 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/545 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L2924/01074 , H01L2924/10722
Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.
Abstract translation: 柔性基板上的二硫化钼膜或二硫化钨膜，以及包含二硫化钼膜或二硫化钨膜作为半导体层的场效应晶体管或光学传感器。
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公开(公告)号：KR101383758B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120087430
申请日：2012-08-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 유기 용매 내 열처리를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 다공성 탄소 구조체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기재 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 형성된 포토레지스트층에 3 차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3 차원 광간섭 패턴을 조사함으로써 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 제 1 유기 용매 내에서 열처리하는 단계; 및 상기 제 1 유기 용매 내에서 열처리된 포토레지스트 패턴을 가열하여 탄화시켜 다공성 탄소 구조체를 수득하는 단계를 포함하는, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 탄소 구조체에 관한 것이다. 본원에 따른 제조 방법은 포토레지스트 패턴을 유기 용매 내에서 열처리 한 후 탄화 과정을 거치므로 에칭 과정 없이 탄소 구조체를 제작할 수 있어, 다공성 탄소 구조체의 제조 공정 단계가 감소되므로, 공정 시간을 단축할 수 있고, 경제적이며, 유기 용매 내에서 열처리 온도 및 시간을 조절함으로써 탄소 구조체의 두께를 제어할 수 있다.
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