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公开(公告)号:WO2019199128A1
公开(公告)日:2019-10-17
申请号:PCT/KR2019/004459
申请日:2019-04-12
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 동국대학교 산학협력단
IPC: G01N33/68 , C12Q1/6876
Abstract: DEP에 노출된 비강세포 내 유전자 발현 변화를 확인하고, 특이적인 전사체적 발현 변화를 보이는 유전자인 CSF3 및 VEGFA를 선별한 것으로, 본 발명의 비강내 DEP 노출 여부 확인용 조성물은 기존 DEP 노출 확인 방법보다 신속하고 정확하게 진단 및 예측할 수 있으며, 상기 CSF3 및 VEGFA는 염증 반응에 관여하는 유전자이기 때문에 DEP에 의해 유발되는 비강내 염증 질환의 진단에도 사용될 수 있다.
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公开(公告)号:KR101218346B1
公开(公告)日:2013-01-21
申请号:KR1020110011623
申请日:2011-02-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0078 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따라 침투 네트웍 를 이룬 저분자 벌크 이종 접합(bulk heterojunction)을 포함하는 박막의 형성방법을 개시한다. 박막의 형성방법은 복수의 증착 도가니들, 상기 도가니들과 마주보는 위치의 기판 스테이지, 상기 증착 도가니들 사이로부터 상기 기판 스테이지까지 신장되어 챔버의 영역을 나누는 분리막을 포함하는 교대 열증착 챔버의 상기 증착 도가니들에 제1 저분자 물질과 제2 저분자 물질을 분리하여 담는 단계, 상기 챔버의 상기 기판 스테이지 위에 기판을 위치시키는 단계, 및 진공 하에서 상기 기판을 회전시키면서 상기 증착 도가니를 가열하여 상기 기판 위에 상기 제1 저분자 물질과 상기 제2 저분자 물질을 교대로 증착하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR101931237B1
公开(公告)日:2018-12-20
申请号:KR1020180042969
申请日:2018-04-12
Applicant: 동국대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
IPC: G01N33/68 , C12Q1/6876
Abstract: DEP에 노출된 비강세포 내 유전자 발현 변화를 확인하고, 실제 선연구 결과들을 기반으로 한 빅데이터 분석을 통한 신호전달 네트워크 확인을 통해, 특이적인 전사체적 발현 변화를 보이는 유전자인 CSF3 및 VEGFA를 선별한 것으로, DEP에 노출시, 상기 CSF3의 발현 수준은 상향조절되었고, 상기 VEGFA의 발현 수준은 하향 조절되는 것을 확인하였다. 따라서 본 발명의 비강내 DEP 노출 여부 확인용 조성물은 기존 DEP 노출 확인 방법보다 신속하고 정확하게 진단 및 예측할 수 있으며, 상기 CSF3 및 VEGFA는 염증 반응에 관여하는 유전자이기 때문에 DEP에 의해 유발되는 비강내 염증 질환의 진단에도 사용될 수 있다.
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公开(公告)号:KR102210923B1
公开(公告)日:2021-02-03
申请号:KR1020180161370
申请日:2018-12-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 양극, 음극및 상기양극과음극사이에구비되며인가되는전압에의하여저항이가변되는저항변화층을포함하는저항변화메모리소자로서, 상기저항변화층은 (A')2An-1BnX3n+1 화학식의화합물을포함하는것을특징으로하는저항변화메모리소자가제공된다. (상기식에서 A'는비대칭적인구조를가지며페닐기를포함하는암모늄이온, A는 1가금속이온, X는할로겐이온이며, 상기 A'는인가되는전기장에의하여회전할수 있는비대칭적이온분포를가지며, n은 1과∞ 사이에있는값)
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公开(公告)号:KR102130833B1
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:KR1020180160412
申请日:2018-12-12
Applicant: 동국대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
IPC: G01N33/68 , C12Q1/6876
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公开(公告)号:KR1020120091700A
公开(公告)日:2012-08-20
申请号:KR1020110011623
申请日:2011-02-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0078 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A low polymer thin film with a bulk hetero junction and a method for forming an organic solar cell including the same are provided to improve current density and exciton separation efficiency by forming a photoactive layer to have a bulk hetero junction. CONSTITUTION: An anode layer(120) is formed on a substrate(110). A first auxiliary layer(130) is formed on the anode layer. A photoactive layer(140) with donor materials and acceptor materials is formed on the first auxiliary layer. An electron transport layer(150) is formed on the photoactive layer. A third auxiliary layer(160) and a cathode layer(170) are formed on the electronic transport layer.
Abstract translation: 目的:提供具有体异质结的低聚合物薄膜和形成包含其的有机太阳能电池的方法,以通过形成具有体异质结的光活性层来改善电流密度和激子分离效率。 构成:在基板(110)上形成阳极层(120)。 在阳极层上形成第一辅助层(130)。 在第一辅助层上形成具有供体材料和受主材料的光敏层(140)。 在光敏层上形成电子传输层(150)。 第三辅助层(160)和阴极层(170)形成在电子传输层上。
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