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公开(公告)号：KR20210024276A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190102369A
申请日：2019-08-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C25B11/061 , C22C1/0433 , C22C19/03 , C22F1/10 , C25B1/04 , C25D11/34
Abstract: 본 발명은 아크-멜팅법을 이용하여 콤플렉스 컨센트레이티드 합금(Complex concentrated alloy, CCAs)을 제조하고, 이를 촉매 전극화하여 고효율의 수전해 특성을 가지는 촉매전극을 제조하는 촉매전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 촉매전극에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020263006A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/KR2020/008333
申请日：2020-06-26
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , B82B3/00 , G01N33/00
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 상온 구동형 가스 센서는 기판, 기판 상에 배치되고 니오븀 이황화물(NbS 2 ) 박막을 포함하는 가스 감지층 및 가스 감지층 상에 배치되는 전극을 포함하고, 선택적으로 니오븀 이황화물 박막 상에 증착된 금속 나노 입자를 더 포함하며, 상온에서 가스에 대한 감도가 우수하고, 가역적으로 사용 가능한 상온 구동형 가스 센서, 이의 제조방법 및 가스 센서 어레이를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101782379B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020160062638
申请日：2016-05-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본발명은유연성기판; 상기유연성기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에적층되고, 페로브스카이트구조로형성되며구동되는전류의제한에따라다중저항을갖는유무기박막층; 및상기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는다중저항스위칭특성을가지는유연성메모리소자및 이의제조방법을제공한다. 따라서메모리소자에다양한곡률을가질수 있는유연성을부과하여다양한형태및 크기를가지는메모리소자를제조할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101724692B1
公开(公告)日：2017-04-10
申请号：KR1020150180251
申请日：2015-12-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C01G23/053 , C01G23/047 , H01L31/0224
Abstract: 본발명은열가수분해공정을이용한이산화티타늄나노로드의제조방법및 이로부터제조된이산화티타늄나노로드를포함하는광전극에관한것으로, 더욱구체적으로 p형실리콘위에이산화티타늄시드층을형성시킨후 열처리하는단계; 및티타늄전구체를포함하는혼합용액을이용한열가수분해공정으로상기열처리된이산화티타늄시드층에이산화티타늄나노로드를형성시키는단계;를포함하는열가수분해공정을이용한이산화티타늄나노로드의제조방법및 이로부터제조된이산화티타늄나노로드를포함하는광전극에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102000160B1
公开(公告)日：2019-07-15
申请号：KR1020180003243
申请日：2018-01-10
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/12
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公开(公告)号：KR101931110B1
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：KR1020170069144
申请日：2017-06-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 광전기화학적 수소생산을 위한 촉매용 황 도핑된 몰리브데넘 인화물 박막의 합성 방법은, 전이금속 이황화물 전구체 용액을 실리콘 기판 위에 스핀 코팅하는 단계; 황(S)과 인(P)의 혼합 비율을 조절하여 분말 전구물질을 형성하는 단계; 상기 전이금속 이황화물 전구체 용액이 스핀 코팅된 실리콘 기판과 상기 분말 전구물질을 수소(H
2 ) 가스와 질소(N
2 ) 가스가 주입되는 열분해 챔버에서 열처리하는 단계; 및 상기 열처리를 통해, 상기 실리콘 기판 상에 황 도핑된 몰리브데넘 인화물(S:MoP) 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라 생성된 황 도핑된 몰리브데넘 인화물(S:MoP) 박막은 반도체 상에서 촉매 활성을 극대화한 대면적 전기화학적 수소생산용 광전극을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020160134975A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150067279
申请日：2015-05-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/26 , G01N27/406 , C01B31/04
Abstract: 본발명은플렉서블그래핀투명가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 막대형상의한쌍의그래핀이평형하게구비되되, 상기한쌍의그래핀장축중앙에그래핀이형성되어상기평형하게구비되는한쌍의그래핀을연결하는것을특징으로하는플렉서블그래핀투명가스센서및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101662890B1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020140096599
申请日：2014-07-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은상온에서구동가능한가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로다수의전극이교대로배열된 IDE(interdigitated electrode) 전극; 상기전극위에형성된금속이황화물; 및상기금속이황화물위에형성된금속나노입자;를포함하는상온에서구동가능한가스센서및 이의제조방법에관한것이다.
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