公开(公告)号：KR101945814B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020170175698

申请日：2017-12-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현석 ,  장호원 ,  이상명 ,  김병조 ,  전재범 ,  방기주 ,  김원빈 ,  최재호 ,  한지수 ,  이동건

IPC: H01L45/00

公开(公告)号：KR102114721B1

公开(公告)日：2020-05-25

申请号：KR1020200017198

申请日：2020-02-12

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황진환 ,  정재영 ,  한지수

IPC: G06F30/23 ,  G06F17/11

公开(公告)号：KR102210923B1

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：KR1020180161370

申请日：2018-12-13

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 장호원 ,  한지수 ,  김효정

IPC: H01L45/00

Abstract: 양극, 음극및 상기양극과음극사이에구비되며인가되는전압에의하여저항이가변되는저항변화층을포함하는저항변화메모리소자로서, 상기저항변화층은 (A')2An-1BnX3n+1 화학식의화합물을포함하는것을특징으로하는저항변화메모리소자가제공된다. (상기식에서 A'는비대칭적인구조를가지며페닐기를포함하는암모늄이온, A는 1가금속이온, X는할로겐이온이며, 상기 A'는인가되는전기장에의하여회전할수 있는비대칭적이온분포를가지며, n은 1과∞ 사이에있는값)

公开(公告)号：KR101946468B1

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：KR1020180009718

申请日：2018-01-26

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 장호원 ,  한지수 ,  최재호

IPC: H01L45/00