公开(公告)号：KR101862072B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020160085989

申请日：2016-07-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김윤석 ,  백승기 ,  안철현

IPC: H01L31/0392 ,  H01L21/288 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020180005835A

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020160085989

申请日：2016-07-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김윤석 ,  백승기 ,  안철현

IPC: H01L31/0392 ,  H01L21/288 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/2885 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1884 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/10672

Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在可见光区域中具有吸收特性的氧化物半导体的方法，所述方法包括：S1步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态的基板上形成半透明膜层; 以及S2步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态下在半透明膜层上形成有源层，其中半透明膜层的优选取向在特定方向上确定，并且有源层在确定的特定方向上生长 在半透明膜层中。 通过用金属表面活性剂控制电化学生长行为，本发明显示了解决高电阻率问题的效果，即，在低温电沉积工艺中生长的p型氧化物半导体的缺点。