公开(公告)号：KR102220381B1

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：KR1020190092814

申请日：2019-07-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김동수 ,  윤영대

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/02

Abstract: 본원은금속전구체및 수산화이온을함유하는용액상에기판을함침하는단계, 및상기용액상에전압을인가하여상기기판상에금속산화물을형성하는단계를포함하고, 상기용액은계면활성제를포함하며, 상기계면활성제의종류에따라상기금속산화물의결정의성장방향이조절되는것인, 산화물반도체의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101923649B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020170018125

申请日：2017-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  안철현 ,  김예균 ,  강원준 ,  김영훈

IPC: H01L21/02 ,  H01B3/10 ,  H01L21/324

Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101738238B1

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020150074247

申请日：2015-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  권용현 ,  도현우

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/44 ,  C07C391/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은적층형전구체로스피노달상분리를발생시켜나노구조체를합성하는방법에관한것으로서, (a1) 기판상에물질 A를증착시켜제1층을형성시키는단계; (a2) 제1층상에물질 A 및물질 B의제1 화합물을증착시켜제2층을형성시키는단계; (a3) 제2층위에물질 B를추가증착시켜제3층을형성시키는단계; (a4) 제1층내지제3층으로이루어진적층형전구체에가열처리를하여제2층의제1 화합물이스피노달(spinodal) 상분리를통해물질 A와물질 B의고상제2화합물및 액상물질 A로상분리를시키는단계; 및 (a5) 제1층의물질 A를 (a4) 단계의액상화된물질 A를통해제2 화합물로확산시켜나노선형상으로성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은적층형전구체구조를이용하여스피노달상분리를시켜나노구조체를합성하는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020120140083A

公开(公告)日：2012-12-28

申请号：KR1020110059721

申请日：2011-06-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  서동규 ,  김준현

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/22 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01L35/20 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi-component metal oxide thin film with a superlattice structure of a thermoelectric device is provided to reduce manufacturing costs by not requiring a vacuum chamber to form a thin film. CONSTITUTION: A ZnO buffer layer is formed on a substrate by a sputtering method(S1). A thin film is formed by rotating the substrate with a buffer layer using a spin coating method to drop metal source containing solutions on the rotating substrate(S2). The thin film formed with the spin-coating method is dried(S3). A metal oxide thin film with the superlattice structure is formed by thermally processing the dried thin film(S4). [Reference numerals] (S1) Forming a ZnO buffer layer on a substrate by sputtering; (S2) Forming a thin film on a buffer layer with a spin-coating method; (S3) Drying a thin film; (S4) Forming a metal oxide thin film with a superlattice structure by thermally processing a thin film

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有热电装置的超晶格结构的多组分金属氧化物薄膜的方法，以通过不需要真空室来形成薄膜来降低制造成本。 构成：通过溅射法在基板上形成ZnO缓冲层（S1）。 通过使用旋转涂布方法用缓冲层旋转衬底来形成薄膜，以将含金属源的溶液滴在旋转衬底上（S2）。 用旋涂法形成的薄膜被干燥（S3）。 通过热处理干燥的薄膜形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜（S4）。 （参考号）（S1）通过溅射在基板上形成ZnO缓冲层; （S2）用旋涂法在缓冲层上形成薄膜; （S3）干燥薄膜; （S4）通过热处理薄膜来形成具有超晶格结构的金属氧化物薄膜

公开(公告)号：KR1020120126197A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110043817

申请日：2011-05-11

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김동찬

IPC: H01L31/09

CPC classification number: H01L31/09 ,  G08B17/06 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392

Abstract: PURPOSE: A metal oxide nanostructure ultraviolet-ray sensor and a fire-warning apparatus applying the same are provided to offer high response rate by including low background current using an upper electrode higher than a work function. CONSTITUTION: A buffer layer(200) is formed on a transparent electrode(100). A metal oxide is formed on the buffer layer. An upper electrode(400) is formed on the upper surface of a metal oxide nanostructure(300). The metal oxide nanostructure is comprised of a metal oxide. A flame detecting sensor comprises a metal oxide nanostructure ultraviolet-ray sensor. A fire warning part receives a signal from the flame detecting sensor and raises the alarm when the metal oxide nanostructure ultraviolet-ray sensor senses ultraviolet-rays. A power supply part supplies electricity to the flame detecting sensor and the fire warning part.

Abstract translation: 目的：提供金属氧化物纳米结构紫外线传感器和应用该金属氧化物纳米结构的防火警报装置，通过使用高于功函数的上电极，通过包括低背景电流来提供高响应率。 构成：在透明电极（100）上形成缓冲层（200）。 在缓冲层上形成金属氧化物。 在金属氧化物纳米结构（300）的上表面上形成上电极（400）。 金属氧化物纳米结构由金属氧化物组成。 火焰检测传感器包括金属氧化物纳米结构紫外线传感器。 当火焰警告部分接收到来自火焰探测传感器的信号时，当金属氧化物纳米结构紫外线传感器感测紫外线时，会发出警报。 电源部分向火焰检测传感器和火警警告部分供电。

公开(公告)号：KR101093566B1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020100029518

申请日：2010-03-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김동찬 ,  서동규

IPC: H01L35/14 ,  H01L21/316

Abstract: 본 발명은 In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 다성분계 산화물 박막 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계; ZnO 버퍼층상에서 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O
2 )를 주입하면서 스퍼터링을 통해 단결정의 IGZO 박막이 성장되는 S2 단계; 및 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며, S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 기판상에 버퍼층이 형성됨으로써 박막의 결정화를 용이하게 하는 효과가 있다. 본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 버퍼층에서 성장된 박막을 고온에서 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020110109688A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020100029518

申请日：2010-03-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김동찬 ,  서동규

IPC: H01L35/14 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L35/14 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 본 발명은 In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 다성분계 산화물 박막 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 버퍼층에서 박막이 성장되는 S2 단계; 및 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며, S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 초격자구조의 박막제조방법은 기판상에 버퍼층이 형성됨으로써 박막의 결정화를 용이하게 하는 효과가 있다. 본 발명에 초격자구조의 박막제조방법은 버퍼층에서 성장된 박막을 고온에서 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020100023085A

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：KR1020080081669

申请日：2008-08-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김영이 ,  김동찬

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/31 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02601 ,  C01G9/02 ,  C01P2004/16 ,  H01L21/02603 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: Semiconductor nanorods, a method for manufacturing the semiconductor nanorod, solar cell including the semiconductor nanorod, and an electroluminescent device including the semiconductor nanorod are provided to form the nanorod having excellent crystalline without containing a metal catalyst agent by forming the nanorod on a seed. CONSTITUTION: A method for manufacturing nanorods comprises the following steps: offering a substrate(10); forming a seed(15) of an island shape on the substrate; and forming the nanorod(17) on the seed. The seed is the seed of ZnO-based metal oxide. The nanorod is the nanorod of ZnO-based metal oxide. The nanorod has a wurtzite tructure which is highly oriented into c- shaft. The nanorod contains metallic impurities. The metallic impurities are Ga, Al, In, P, and Mg.

Abstract translation: 目的：提供半导体纳米棒，制造半导体纳米棒的方法，包括半导体纳米棒的太阳能电池和包括半导体纳米棒的电致发光器件，以形成具有优异结晶性的纳米棒，而不含有金属催化剂，通过在种子上形成纳米棒 。 构成：制造纳米棒的方法包括以下步骤：提供基底（10）; 在所述基板上形成岛状的种子（15）; 并在种子上形成纳米棒（17）。 种子是ZnO基金属氧化物的种子。 纳米棒是ZnO基金属氧化物的纳米棒。 纳米棒具有高度定向成c轴的纤锌矿结构。 纳米棒含有金属杂质。 金属杂质是Ga，Al，In，P和Mg。

公开(公告)号：KR101467237B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130076775

申请日：2013-07-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  안철현

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L29/151 ,  H01L29/152 ,  H01L29/22 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26

Abstract: 본 발명은 기판상에 형성되는 초격자구조 박막을 갖는 반도체소자에 있어서, 초격자구조 박막은 기판상에 절연성 박막과 반도성 박막이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 초격자 박막은 반도성과 절연성 박막으로 적층 형성된 구조로 초격자 박막을 구성하는 반도성 박막 및 절연성 박막은 결정성과 비정질로 구성될 수 있으며, 혹은 혼합되어 사용될 수 있어 기존의 이종 반도성으로 이루어진 초격자의 두물질간의 격자상수의 불일치를 해결하기 위한 물질의 제약이 없어 다양한 소재들이 사용될 수 있는 특징을 가지고 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成在基板上的超晶格结构薄膜的半导体器件，具体地说涉及一种具有层叠有半导体薄膜和绝缘膜的超薄结构薄膜的半导体器件，其中超晶格结构薄膜由 交替地堆叠半导体薄膜和绝缘薄膜。 根据本发明，超晶格薄膜具有通过堆叠半导体膜和绝缘膜形成的结构，并且构成超晶格薄膜的半导体薄膜和绝缘薄膜可以是晶体并且是无定形的，或可以混合 。 结果，解决构成现有超晶格的两种不同半导体材料之间的晶格常数不匹配的材料没有限制。 因此，可以使用各种材料。

公开(公告)号：KR1020140097944A

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020130010734

申请日：2013-01-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  안철현

IPC: H01B13/00

Abstract: The present invention relates to a method of growing a transparent electrode by atomic layer deposition. The present invention includes an S1 step of arranging a target substrate to be deposited in a reaction chamber; an S2 step of forming a ZnO thin film by the chemical reaction of a zinc precursor and an oxygen precursor, by injecting the zinc precursor and the oxygen precursor into the reaction chamber; and an S3 step of injecting a doping material precursor into the reaction chamber and then forming a doping layer on the surface of the ZnO thin film. The S2 step is repeatedly performed before the S3 step is performed one time, and the whole process is repeated, thereby controlling an increase and decrease in the concentration and each height of the doping layer and the ZnO thin film consisting of multi layers.

Abstract translation: 本发明涉及通过原子层沉积来生长透明电极的方法。 本发明包括将待沉积的目标衬底布置在反应室中的S1步骤; 通过将锌前体和氧前体注入反应室，通过锌前体和氧前体的化学反应形成ZnO薄膜的S2步骤; 以及将掺杂材料前体注入到反应室中，然后在ZnO薄膜的表面上形成掺杂层的S3步骤。 在S3步骤执行一次之前重复执行S2步骤，并且重复整个处理，从而控制掺杂层和由多层组成的ZnO薄膜的浓度和每个高度的增减。