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公开(公告)号：KR1020180092448A
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020170018125
申请日：2017-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01B3/10 , H01L21/324
Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170122380A
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160051224
申请日：2016-04-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01J1/02 , B32B7/02 , B32B9/00 , H01L29/786
Abstract: 본발명은기판; 기판위에형성된절연체층; 절연체층위에형성된산화물전송층; 및전송층위에형성된광흡수층을포함하는것을특징으로하는칼코겐과산화물박막으로구성된기능형다층구조의포토센서이다. 본발명은기존의칼코겐소재의저항막방식(Resistive-type)에서보이는낮은광전류의문제를고신뢰성/고이동도의산화물소재와다층구조의박막을통해해결하는효과가있다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 形成在基板上的绝缘层; 氧化物转移层，形成在绝缘层上; 在转印层上形成光吸收层，光传感器是由硫属化物过氧化物薄膜构成的功能性多层结构。 本发明具有通过高可靠性/高迁移率的氧化物材料和多层结构的薄膜解决在常规电阻型硫属材料中看到的低光电流问题的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101862072B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020180005835A
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02205 , H01L21/02549 , H01L21/2885 , H01L31/022441 , H01L31/1884 , H01L2924/01051 , H01L2924/10672
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在可见光区域中具有吸收特性的氧化物半导体的方法，所述方法包括：S1步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态的基板上形成半透明膜层; 以及S2步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态下在半透明膜层上形成有源层，其中半透明膜层的优选取向在特定方向上确定，并且有源层在确定的特定方向上生长 在半透明膜层中。 通过用金属表面活性剂控制电化学生长行为，本发明显示了解决高电阻率问题的效果，即，在低温电沉积工艺中生长的p型氧化物半导体的缺点。
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公开(公告)号：KR101923649B1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：KR1020170018125
申请日：2017-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01B3/10 , H01L21/324
Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101467237B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130076775
申请日：2013-07-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L29/151 , H01L29/152 , H01L29/22 , H01L33/06 , H01L33/26
Abstract: 본 발명은 기판상에 형성되는 초격자구조 박막을 갖는 반도체소자에 있어서, 초격자구조 박막은 기판상에 절연성 박막과 반도성 박막이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 초격자 박막은 반도성과 절연성 박막으로 적층 형성된 구조로 초격자 박막을 구성하는 반도성 박막 및 절연성 박막은 결정성과 비정질로 구성될 수 있으며, 혹은 혼합되어 사용될 수 있어 기존의 이종 반도성으로 이루어진 초격자의 두물질간의 격자상수의 불일치를 해결하기 위한 물질의 제약이 없어 다양한 소재들이 사용될 수 있는 특징을 가지고 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种形成在基板上的超晶格结构薄膜的半导体器件，具体地说涉及一种具有层叠有半导体薄膜和绝缘膜的超薄结构薄膜的半导体器件，其中超晶格结构薄膜由 交替地堆叠半导体薄膜和绝缘薄膜。 根据本发明，超晶格薄膜具有通过堆叠半导体膜和绝缘膜形成的结构，并且构成超晶格薄膜的半导体薄膜和绝缘薄膜可以是晶体并且是无定形的，或可以混合 。 结果，解决构成现有超晶格的两种不同半导体材料之间的晶格常数不匹配的材料没有限制。 因此，可以使用各种材料。
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公开(公告)号：KR1020140097944A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020130010734
申请日：2013-01-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01B13/00
Abstract: The present invention relates to a method of growing a transparent electrode by atomic layer deposition. The present invention includes an S1 step of arranging a target substrate to be deposited in a reaction chamber; an S2 step of forming a ZnO thin film by the chemical reaction of a zinc precursor and an oxygen precursor, by injecting the zinc precursor and the oxygen precursor into the reaction chamber; and an S3 step of injecting a doping material precursor into the reaction chamber and then forming a doping layer on the surface of the ZnO thin film. The S2 step is repeatedly performed before the S3 step is performed one time, and the whole process is repeated, thereby controlling an increase and decrease in the concentration and each height of the doping layer and the ZnO thin film consisting of multi layers.
Abstract translation: 本发明涉及通过原子层沉积来生长透明电极的方法。 本发明包括将待沉积的目标衬底布置在反应室中的S1步骤; 通过将锌前体和氧前体注入反应室，通过锌前体和氧前体的化学反应形成ZnO薄膜的S2步骤; 以及将掺杂材料前体注入到反应室中，然后在ZnO薄膜的表面上形成掺杂层的S3步骤。 在S3步骤执行一次之前重复执行S2步骤，并且重复整个处理，从而控制掺杂层和由多层组成的ZnO薄膜的浓度和每个高度的增减。
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