公开(公告)号：WO2012091498A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：PCT/KR2011/010326

申请日：2011-12-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  안종현 ,  홍병희 ,  장석재 ,  장호욱 ,  이원호

Inventor： 안종현 ,  홍병희 ,  장석재 ,  장호욱 ,  이원호

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/442 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 본원은 그래핀 전극을 포함하는 플렉시블/스트레처블 반도체 소자 및 상기 소자에 있어서 반도체층과 그래핀 전극 사이의 접촉저항을 감소시키는 방법, 그리고 그래핀 인터커넥터에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及包含石墨烯电极的柔性/可拉伸半导体器件，以及用于降低半导体器件中的半导体层和石墨烯电极之间的接触电阻的方法以及石墨烯互连器。

公开(公告)号：WO2011081473A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/009555

申请日：2010-12-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  안종현 ,  홍병희 ,  장호욱 ,  장석재 ,  구재본

Inventor： 안종현 ,  홍병희 ,  장호욱 ,  장석재 ,  구재본

IPC: B41M5/03

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 본원은 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화학 기상 증착법을 이용하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극을 이용하여 플렉시블하고 투명한 박막 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있다.

Abstract translation: 透明石墨烯电极及其制备方法技术领域本发明涉及透明石墨烯电极，含有该透明石墨烯电极的柔性硅薄膜半导体装置及其制备方法。 通过使用包含通过化学气相沉积制备的大面积石墨烯膜作为导电膜的透明石墨烯电极，可以容易地制备柔性和透明的薄膜半导体器件。

公开(公告)号：WO2012008789A9

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/KR2011/005213

申请日：2011-07-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성테크윈 주식회사 ,  홍병희 ,  안종현 ,  유지범 ,  배수강 ,  정명희 ,  장호욱 ,  이영빈 ,  김상진

Inventor： 홍병희 ,  안종현 ,  유지범 ,  배수강 ,  정명희 ,  장호욱 ,  이영빈 ,  김상진

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 본원은 그래핀의 저온 형성 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트에 관한 것으로서, 상기 그래핀의 저온 형성 방법은 기재 상에 형성된 그래핀 성장용 금속 촉매층에 탄소 소스-함유 가스를 공급하고 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 500℃ 이하의 저온에서 그래핀을 형성하는 것을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120034349A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095834

申请日：2010-10-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  조정호 ,  홍병희 ,  장호욱 ,  이승기 ,  김범준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0045

Abstract: PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种灵活的场效应晶体管及其制造方法，通过使用离子凝胶作为栅极绝缘体，在塑料基板上制造低压操作石墨烯FET（场效应晶体管）阵列。 构成：半导体层包括碳纳米结构，其被布置成在源极和漏极之间形成沟道区。 碳纳米结构包括石墨烯。 通过化学气相沉积在金属催化剂层上形成石墨烯。 在半导体层和包括碳纳米结构的栅电极之间形成离子凝胶层。 离子凝胶层在沟道区和栅电极之间形成绝缘体层。

公开(公告)号：KR1020140106210A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020130020472

申请日：2013-02-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안성덕 ,  안종현 ,  장호욱

IPC: C01B33/021 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  C01P2004/64 ,  H01L21/02381

Abstract: A method for manufacturing ultra-thin film silicon according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a silicon layer on top of a silicon oxide film; forming a thermal oxide film in the upper region of the silicon layer by performing thermal oxidation on the surface of the silicon layer and forming a first silicon layer thinner than the silicon layer in the lower region of the silicon layer; exposing the surface of the first silicon layer by removing the thermal oxide film; forming an ozone oxide film in the first silicon layer adjacent to the surface of the first silicon layer by performing ozone surface oxidation on the surface of the first silicon layer and forming a second silicon layer thinner than the silicon layer between the ozone oxide film and the silicon oxide film; exposing the surface of the second silicon layer by removing the ozone oxide film; and separating the second silicon layer from the silicon oxide film by etching the silicon oxide film.

Abstract translation: 根据本发明实施例的制造超薄膜硅的方法包括以下步骤：在氧化硅膜的顶部制备硅层; 通过在硅层的表面上进行热氧化，在硅层的下部区域形成比硅层薄的第一硅层，在硅层的上部区域形成热氧化膜; 通过去除热氧化膜来暴露第一硅层的表面; 通过在第一硅层的表面上进行臭氧表面氧化，形成与第一硅层表面相邻的第一硅层中的臭氧氧化膜，形成比臭氧氧化物膜和 氧化硅膜; 通过去除臭氧氧化膜来暴露第二硅层的表面; 以及通过蚀刻所述氧化硅膜将所述第二硅层与所述氧化硅膜分离。