KR20210032246A - Plasma etching method
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:KR20210032246A

    公开(公告)日:2021-03-24

    申请号:KR1020190113777A

    申请日:2019-09-16

    CPC classification number: H01L21/3065 C09K13/00 H01L21/31144

    Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.

    플라즈마 식각 방법
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021033884A1

    公开(公告)日:2021-02-25

    申请号:PCT/KR2020/007074

    申请日:2020-06-01

    Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 화학식 1의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르(Heptafluoroisopropyl methyl ether) 또는 증기화된 화학식 2의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로프로필 메틸에테르(Heptafluoropropyl methyl ether) 중에서 선택된 어느 하나 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.

    플라즈마 식각 방법
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021054567A1

    公开(公告)日:2021-03-25

    申请号:PCT/KR2020/007073

    申请日:2020-06-01

    Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.

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