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公开(公告)号：KR20210032246A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113777A
申请日：2019-09-16
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , C09K13/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , H01L21/31144
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022239945A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/KR2022/003241
申请日：2022-03-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B22F1/142 , B22F1/054 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C21D1/26 , G01N21/65 , H01M4/38 , H01G11/30 , H01G11/26 , B22F1/00
Abstract: 구리 복합 구조체의 제조방법이 개시된다. 구리 복합 구조체의 제조방법은 구리 기둥 구조물을 제조하는 제1 단계; 및 상기 구리 기둥 구조물을 질소 분위기에서 어닐링하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022102909A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/009755
申请日：2021-07-28
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로프로필메틸에테르(HFE-347mcc3) 및 펜타플루오로프로판올(PFP)을 증기화시키는 제1 단계 상기 증기화된 HFE-347mcc3, PFP 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021033884A1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：PCT/KR2020/007074
申请日：2020-06-01
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , C09K13/00 , H01L21/67
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 화학식 1의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르(Heptafluoroisopropyl methyl ether) 또는 증기화된 화학식 2의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로프로필 메틸에테르(Heptafluoropropyl methyl ether) 중에서 선택된 어느 하나 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021054567A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/KR2020/007073
申请日：2020-06-01
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C09K13/00 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：WO2016200119A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/KR2016/006004
申请日：2016-06-07
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/3065 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3065 , B32B33/00 , B32B2307/73 , H01L21/02112 , H01L21/033 , H01L21/0334
Abstract: 본 발명은 초소수성 표면 제조방법 및 초소수성 표면체에 관한 것으로서, 플라즈마 식각과 증착만으로 초소수성 표면을 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 초소수성 표면은 부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m 2 이하로 매우 작아 자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차 유리 표면, 약물전달 소자 등 다양한 분야에 응용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及超疏水性表面的制造方法和超疏水性表面结构。 该方法仅通过等离子体蚀刻和沉积来实现超疏水表面。 本发明的疏水性表面粘合力低，为3mJ / m 2以下，疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃表面， 药物传播装置等
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公开(公告)号：WO2016085155A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/012037
申请日：2015-11-10
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081
Abstract: 실리콘 기판의 원하는 부분을 식각하는 실리콘 기판 식각방법에 있어서, 본 발명의 실리콘 기판 식각방법은 실리콘 기판 상에 식각 마스크를 형성하는 단계; 할로겐 기초가스, 불화탄소 가스 및 산소를 포함하는 제1 가스를 준비하는 단계; 및 상기 제1 가스를 상기 기판 상에 플라즈마 처리하여 상기 기판을 식각하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的硅衬底蚀刻方法可以使硅衬底的所需部分被蚀刻，包括以下步骤：在硅衬底上形成蚀刻掩模; 制备包含卤素基础气体，氟化碳气体和氧气的第一气体; 以及通过对所述衬底上的所述第一气体进行等离子体处理来蚀刻所述衬底。
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公开(公告)号：KR101930640B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020170100465
申请日：2017-08-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/0236 , G02B5/02 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 저반사 구조물이 개시된다. 저반사 구조물은 베이스 플레이트 및 베이스 플레이트의 제1 면으로부터 경사지게 돌출되고 서로 이격된 복수의 경사 로드(rod)들을 구비한다. 이러한 저반사 구조물은 입사광의 경로를 증가시켜 반사되는 광량을 감소시킬 수 있고, 태양전지나 광학 필름 등에 적용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101562134B1
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020140073448
申请日：2014-06-17
Applicant: 스마트전자 주식회사 , 아주대학교산학협력단
CPC classification number: C23C16/0254 , C23C16/407
Abstract: 본발명은세라믹기판상에산화주석박막을형성하는방법에관한것으로, 더욱상세하게는산화주석박막의결합력, 밀도를높임으로써, 표면저항, 전기전도도등과전기적특성을향상시킬수 있는세라믹기판상에산화주석박막을형성하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在陶瓷基板上形成氧化锡薄膜的方法，更具体地说，涉及在陶瓷基板上形成氧化锡薄膜的方法，其可以改善电特性如表面电阻和电 通过增加氧化锡薄膜的结合力和密度来提高导电性。
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