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公开(公告)号：KR20210032246A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113777A
申请日：2019-09-16
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , C09K13/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , H01L21/31144
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2014112694A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/KR2013/003326
申请日：2013-04-19
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B2203/0361 , G02B1/005 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01L21/288 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/32137
Abstract: 본 발명은 경사 형태의 구리 나노 로드 제작방법에 관한 것으로, 본 발명은, 웨이퍼에 식각 중지층(etch stop layer)을 포함하는 구조로 시편을 제작하는 단계; 상기 시편을 경사형태로 위치시켜 식각하는 단계; 상기 경사형태의 시편에 구리(Cu)막을 도금하여 형성하는 단계; 상기 구리막에서 과도금된 부분을 제거하는 단계; 및 상기 시편 표면에서 구리를 제외한 폴리 실리콘(Poly Si)을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 기존의 방식에 비해 대면적 제조가 가능하여 공정 수율이 우수하고, 균일한 배열(array)을 갖는 나노구조물을 형성할 수 있고, 구리 나노 로드의 각도와 직경을 임의로 조절할 수 있어 그 응용가능성이 매우 큰 효과가 있으며, 반도체, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 광소자, 가스탐지장치, 디스플레이(Display) 소자 등 다양한 소자 제조공정에 응용될 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造倾斜铜纳米棒的方法，包括以下步骤：在晶片包括蚀刻停止层的结构中制造样品; 通过将样品定位成倾斜的形状来蚀刻样品; 在倾斜样品上电镀和形成铜（Cu）膜; 从Cu膜除去过度镀覆的部分; 以及从样品表面去除除了Cu之外的多晶硅（poly-Si）。 根据本发明，与现有的方法相比，可以进行大面积的制造，因此能够形成具有优异的工艺生产率和均匀阵列的纳米结构，并且铜纳米棒的角度和直径可以任意调整，因此， 其适用性非常高，此外，铜纳米棒可用于制造各种元件如半导体，微机电系统（MEMS），光学元件，气体检测装置，显示元件等的方法。
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公开(公告)号：WO2022239945A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/KR2022/003241
申请日：2022-03-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B22F1/142 , B22F1/054 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C21D1/26 , G01N21/65 , H01M4/38 , H01G11/30 , H01G11/26 , B22F1/00
Abstract: 구리 복합 구조체의 제조방법이 개시된다. 구리 복합 구조체의 제조방법은 구리 기둥 구조물을 제조하는 제1 단계; 및 상기 구리 기둥 구조물을 질소 분위기에서 어닐링하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022102909A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/009755
申请日：2021-07-28
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로프로필메틸에테르(HFE-347mcc3) 및 펜타플루오로프로판올(PFP)을 증기화시키는 제1 단계 상기 증기화된 HFE-347mcc3, PFP 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021033884A1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：PCT/KR2020/007074
申请日：2020-06-01
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , C09K13/00 , H01L21/67
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 화학식 1의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르(Heptafluoroisopropyl methyl ether) 또는 증기화된 화학식 2의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로프로필 메틸에테르(Heptafluoropropyl methyl ether) 중에서 선택된 어느 하나 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017034186A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2016/008795
申请日：2016-08-10
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 스마트전자 주식회사
Abstract: 서지 흡수 장치의 제조방법이 개시된다. 서지 흡수 장치를 제조하기 위해, 세라믹 튜브의 내부 관통 공간이 노출되는 단부면에 도금층을 형성한 후 브레이징 링을 이용하여 도금층에 밀봉전극을 부착할 수 있다. 이 때, 도금층은 세라믹 튜브의 단부면을 식각한 후 무전해 도금 촉매층을 형성하고, 이어서 세라믹 튜브의 단부면에 무전해 도금의 방법으로 금속층을 형성한 후 이를 열처리함으로써 형성될 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造浪涌吸收装置的方法。 为了制造浪涌吸收装置，可以在暴露内部通孔的陶瓷管的端面上形成镀层，然后使用钎焊环将密封电极附着到镀层上。 此时，可以如下形成镀层：在蚀刻陶瓷管的端面之后形成化学镀催化剂层; 根据化学镀在陶瓷管的端面上形成金属层; 之后对金属层进行热处理。
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7.发明申请금속산화물-그래핀 나노복합체의 제조방법 및 금속산화물-그래핀 나노복합체를 이용한 전극 제조방법 审中-公开制备金属氧化物 - 石墨纳米复合材料的方法和使用金属氧化物 - 石墨纳米复合材料制备电极的方法
公开(公告)号：WO2015034180A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/KR2014/007016
申请日：2014-07-31
Applicant: 아주대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/364 , C01B32/184 , H01G11/36 , H01G11/38 , H01G11/42 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/0409 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/24 , H01M4/362 , H01M4/52 , H01M4/523 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/623 , H01M4/661 , Y02E60/13
Abstract: 본 발명은 금속산화물-그래핀 나노복합체의 제조방법 및 금속산화물-그래핀 나노복합체를 이용한 전극 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은, 나노복합체의 합성 재료를 준비하는 단계; 상기 합성 재료를 전처리하여 그래핀 플레이크(graphene flake)를 형성하는 단계; 및 상기 전처리한 합성 재료를 수열합성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 기존의 산화제와 환원제, 고온의 열을 이용한 그래핀 방법에서 벗어나 계면활성제만을 이용하여 한 번의 공정(one-step)으로 값싼 그래파이트로부터 금속산화물-그래핀 나노복합체를 제조 가능하다는 장점을 가지며, 이는 공정단계를 개선함과 동시에 공정비용의 경제성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 전극 제조시 기존의 활물질, 도전재, 바인더를 사용하는 방법에서 벗어나 그래핀으로 인한 낮은 전기저항을 그대로 살려 도전재를 첨가하지 않는 공정을 통해 효율성을 가져올 수 있는 효과가 있다. 또한, 순도가 높은 그래핀을 단시간에 제조함과 동시에 에너지 저장장치에 응용 가능한 다양한 금속산화물 활물질을 단성분계, 이성분계, 다성분계 금속산화물을 한 번의 공정으로 제조가능하며, 원하는 중량비, 필요로 하는 산화물{산화코발트(CoO), 사산화삼코발트(Co3O4), 수산화코발트[Co(OH) 2 ] 등}을 손쉽게 제조할 수 있어 매우 넓은 응용범위(이차전지 및 가스 센서 등)를 기대할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备金属氧化物 - 石墨烯纳米复合材料的方法和使用该金属氧化物 - 石墨烯纳米复合材料制备电极的方法，以及制备金属氧化物 - 石墨烯纳米复合材料的方法，包括以下步骤： 纳米复合材料; 预处理复合材料以形成石墨烯薄片; 并水热合成预处理的复合材料。 根据本发明，金属氧化物 - 石墨烯纳米复合材料可以通过仅使用表面活性剂的一步法由廉价石墨代替来自使用高温热的石墨烯法，从而改善加工步骤， 提高加工成本的经济效益。 此外，当制备电极时，代替使用活性材料，导电材料和粘合剂的常规方法，可以通过不由于石墨烯而使用低电阻添加导电材料的方法来实现效率。 此外，可以在短时间内制备具有高纯度的石墨烯，并且同时可以通过使用适用于储能装置的各种金属氧化物活性材料的一步法制备一元系统，二元系统和多组分金属氧化物， 重量比和必要的氧化物（氧化钴（CoO），三氧化四铁（Co 3 O 4），氢氧化合钴（Co（OH）2]等}），因此具有非常广泛的应用范围（二次电池，气体传感器 等等）。
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公开(公告)号：WO2021054567A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/KR2020/007073
申请日：2020-06-01
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C09K13/00 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 플라즈마 식각 방법은 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethly-2,2,2-trifluoroethyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및 상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2016200119A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/KR2016/006004
申请日：2016-06-07
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/3065 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3065 , B32B33/00 , B32B2307/73 , H01L21/02112 , H01L21/033 , H01L21/0334
Abstract: 본 발명은 초소수성 표면 제조방법 및 초소수성 표면체에 관한 것으로서, 플라즈마 식각과 증착만으로 초소수성 표면을 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 초소수성 표면은 부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m 2 이하로 매우 작아 자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차 유리 표면, 약물전달 소자 등 다양한 분야에 응용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及超疏水性表面的制造方法和超疏水性表面结构。 该方法仅通过等离子体蚀刻和沉积来实现超疏水表面。 本发明的疏水性表面粘合力低，为3mJ / m 2以下，疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃表面， 药物传播装置等
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