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公开(公告)号:KR102203044B1
公开(公告)日:2021-01-14
申请号:KR1020167023874
申请日:2015-10-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe3+ 이온의적어도하나의공급원, ii) Br- 이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너 JPEG112016084332427-pct00006.jpg37122 식중, R1 은수소, C1-C5-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C1-C5-알킬또는 C1-C5-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C1-C5-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X- 는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.
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公开(公告)号:KR1020170095120A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:KR1020167023874
申请日:2015-10-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23F1/18 , C23C28/321 , C23F1/46 , C23G1/103 , H05K3/062 , H05K3/064 , H05K3/383 , H05K2203/124
Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe이온의적어도하나의공급원, ii) Br이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너식중, R1 은수소, C-C-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C-C-알킬또는 C-C-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C-C-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于微蚀铜或铜合金表面的组合物,其包含:i)至少一种Fe离子源,ii)至少一种Br离子源,iii)至少一种无机酸 和iv)至少一种根据式I的醚化基团,其中R 1选自氢,C 1 -C 20烷基或取代的芳基或烷芳基; R 2选自氢,C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4烷氧基; R 3和R 4选自氢和C 1 -C 4烷基; X是合适的阴离子。 本发明还涉及使用这种组合物微蚀铜或铜合金表面的方法。
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